Počítačové modelování elektrotechnických zařízení a komponentů (BMEM) Počítačová cvičení

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Studijní text „Počítačové modelování elektrotechnických zařízení a komponentů“ jako pomocný textpro počítačová cvičení představuje shrnutí poznámek a studijního materiálu ke stejnojmenéhopředmětu a je určen studentům bakalářského stupně studia na FEKT VUT v Brně.Numerické modelování elektromagnetických polí se s rozvojem výpočetní techniky, zrychlujícího secyklu výzkum-vývoj-výroba-užití stalo spolu s optimalizačními technikami nepostradatelnou složkounávrhu konstrukcí nových elektrotechnických a elektronických zařízení i zařízení z oblastíaplikovaného výzkumu a vývoje mezioborových aplikací. Numerické modelování je také bezesporunedílnou součástí komplexních analýz chování časoprostorových polí, které jsou důležité proposouzení nových parametrů a požadavků na kvalitu zařízení jako je například elektromagnetickákompatibilita. Složité úlohy řešené v současných výzkumně-vývojových pracovištích nelze vkonkurenčním prostředí zvládnout ve většině případů jinými prostředky než pomocí použití vhodnýchnumerických metod za použití výkonných počítačů.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UTEE - Pavel Fiala, Tibor Bachorec, Tomáš Kříž

Strana 64 z 100

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Nastavíme metodu tvorby sítě Hex Dominant All Quads (kvádry) Obr.FEKT Vysokého učení technického Brně Přiřadíme materiálové vlastnosti jednotlivým částem modelu podle Obr.98: Zobrazení ideálního kontaktu, nastavení tvaru sítě Kontakt mezi tranzistorem chladičem byl vytvořen automaticky Obr. Obr.98. 2. mezi tranzistorem chladičem dochází ideálnímu přenosu tepla. Obr. 2. Velikost prvků nastavíme celém modelu hodnotu 0,5 mm.99: Nastavení velikosti prvků, komponenta okolí . Kontaktní prvky se využívají, abychom nemuseli fyzicky modelovat tenkou vrstvu. 2. 2. 2. Vytvořená síť Obr.98. Kontakt lze definovat i jako prvek, který nahrazuje tenkou vrstvu, definovanou tepelnou vodivostí. 2. Jedná ideální kontakt, tj.97.99