Počítačové modelování elektrotechnických zařízení a komponentů (BMEM) Počítačová cvičení

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Studijní text „Počítačové modelování elektrotechnických zařízení a komponentů“ jako pomocný textpro počítačová cvičení představuje shrnutí poznámek a studijního materiálu ke stejnojmenéhopředmětu a je určen studentům bakalářského stupně studia na FEKT VUT v Brně.Numerické modelování elektromagnetických polí se s rozvojem výpočetní techniky, zrychlujícího secyklu výzkum-vývoj-výroba-užití stalo spolu s optimalizačními technikami nepostradatelnou složkounávrhu konstrukcí nových elektrotechnických a elektronických zařízení i zařízení z oblastíaplikovaného výzkumu a vývoje mezioborových aplikací. Numerické modelování je také bezesporunedílnou součástí komplexních analýz chování časoprostorových polí, které jsou důležité proposouzení nových parametrů a požadavků na kvalitu zařízení jako je například elektromagnetickákompatibilita. Složité úlohy řešené v současných výzkumně-vývojových pracovištích nelze vkonkurenčním prostředí zvládnout ve většině případů jinými prostředky než pomocí použití vhodnýchnumerických metod za použití výkonných počítačů.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UTEE - Pavel Fiala, Tibor Bachorec, Tomáš Kříž

Strana 60 z 100

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
ztráty vodivém prostředí způsobené průchodem proudu.91: Hlavní okno projektu teplotní analýza tranzistoru Spustíme program ANSYS Workbench. 2. Geometrii načteme externího grafického souboru File Import External Geometry File vybereme soubor modelem tranzistoru. Uspořádání projektu teplotní analýzy tranzistoru je na Obr.90: Geometrie modelu Obr.92.91. 2. 2. spuštění vybereme metry jako jednotku délky. Blok Steady-State Thermal umožňuje analýzu ustáleného teplotního pole. Načtený model Obr. Nyní jsou všech položek znaky znamená, bloky neobsahují data potřebná pro analýzu. Projekt uložíme pod názvem „teplotni_analyza_tranzistoru“. Otevře hlavní okno programu novým projektem. Nejprve načteme připravenou geometrii modelu. . Otevřeme Design Modeler dvojitým kliknutím Geometry. vlastnostech importu nastavíme Operation Add Frozen a vygenerujeme model. 2. Pro teplotní analýzu tranzistoru bude projekt sestaven bloku Geometry, Steady-State Thermal. Jako zdroj tepla lze využít teplotu zadanou plochu, objemový tepelný zdroj, kde zadávají W/m3 nebo zdroj tepla může být ztrátový výkon, vypočítaný jiné analýze, např. Postupně přesuneme levého menu Toolbox bloky okna projektu.FEKT Vysokého učení technického Brně Obr. Nejprve přesuneme okna projektu blok Geometry blok Geometry přesuneme blok Steady-State Thermal