Studijní text „Počítačové modelování elektrotechnických zařízení a komponentů“ jako pomocný textpro počítačová cvičení představuje shrnutí poznámek a studijního materiálu ke stejnojmenéhopředmětu a je určen studentům bakalářského stupně studia na FEKT VUT v Brně.Numerické modelování elektromagnetických polí se s rozvojem výpočetní techniky, zrychlujícího secyklu výzkum-vývoj-výroba-užití stalo spolu s optimalizačními technikami nepostradatelnou složkounávrhu konstrukcí nových elektrotechnických a elektronických zařízení i zařízení z oblastíaplikovaného výzkumu a vývoje mezioborových aplikací. Numerické modelování je také bezesporunedílnou součástí komplexních analýz chování časoprostorových polí, které jsou důležité proposouzení nových parametrů a požadavků na kvalitu zařízení jako je například elektromagnetickákompatibilita. Složité úlohy řešené v současných výzkumně-vývojových pracovištích nelze vkonkurenčním prostředí zvládnout ve většině případů jinými prostředky než pomocí použití vhodnýchnumerických metod za použití výkonných počítačů.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UTEE - Pavel Fiala, Tibor Bachorec, Tomáš Kříž
Strana 60 z 100
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
91: Hlavní okno projektu teplotní analýza tranzistoru
Spustíme program ANSYS Workbench.
. Nyní jsou všech položek znaky znamená, bloky neobsahují data potřebná pro
analýzu. Jako zdroj tepla lze využít teplotu zadanou plochu, objemový tepelný
zdroj, kde zadávají W/m3
nebo zdroj tepla může být ztrátový výkon, vypočítaný jiné analýze,
např. Otevře hlavní okno programu novým projektem. spuštění vybereme metry jako jednotku délky.92. Blok Steady-State Thermal umožňuje analýzu
ustáleného teplotního pole. Postupně přesuneme levého menu
Toolbox bloky okna projektu.
Geometrii načteme externího grafického souboru File Import External Geometry File vybereme
soubor modelem tranzistoru. Uspořádání projektu teplotní analýzy tranzistoru je
na Obr. Načtený model Obr. ztráty vodivém prostředí způsobené průchodem proudu. vlastnostech importu nastavíme Operation Add Frozen
a vygenerujeme model. 2. Nejprve načteme připravenou geometrii modelu. Pro teplotní analýzu tranzistoru bude projekt
sestaven bloku Geometry, Steady-State Thermal. Nejprve přesuneme okna projektu blok Geometry blok
Geometry přesuneme blok Steady-State Thermal. Projekt
uložíme pod názvem „teplotni_analyza_tranzistoru“. 2. 2.91. Otevřeme Design Modeler dvojitým
kliknutím Geometry.90: Geometrie modelu
Obr. 2.FEKT Vysokého učení technického Brně
Obr
