Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............... 39 Obr..................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .. 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení....................................................... 38 Obr.................... 44 Obr............................................. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků. 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.......................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ..... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET..................................................................................... 36 Obr................... 29 Obr.............................................................................................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ............. 45 Obr............. 46 Obr................................................ 34 Obr........ 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ........ 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.................................................................................. 30 Obr............................................................. 44 Obr...................................... 46 Obr........... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ..................................................................................................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................................. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez .......... 26 Obr... 46 Obr.. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V................................................................................... 29 Obr......................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ............... 46 .......... 27 Obr.......................... 26 Obr......... 27 Obr......... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ....................................................... 30 Obr........ 49: Elektrický potenciál při napětí V........................................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ............................................................. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................... 43: Struktura polovodiče................. 31 Obr....................................... 45 Obr............... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez. 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci......................................................................................4 Obr............................... 39: Dotační profil diody............... 44 Obr.................................................... 38 Obr.............. 28 Obr................................................ 28 Obr...................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ........................................ 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci .....................