Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

. 45 Obr.........4 Obr........................................... 28 Obr................................... 44 Obr............... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ...................................................... 27 Obr............................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................................... 30 Obr...................... 36 Obr.......................................................... 45 Obr....................................................................................................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ................................ 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V............ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení.... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ... 30 Obr............................. 46 Obr. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků......... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.......................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ............. 46 Obr.............. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ............................................................................ 39: Dotační profil diody................ 29 Obr........................................................................................................................................................................................................ 28 Obr............................ 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.......................... 43: Struktura polovodiče.... 31 Obr......... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ......... 39 Obr. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ....................................... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.... 29 Obr............................................... 27 Obr..... 38 Obr........................ 46 ... 26 Obr....................................................... 38 Obr...................................... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.................................................................. 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ............... 44 Obr........... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ................. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ............. 46 Obr................................................................... 44 Obr.......... 26 Obr.............................. 34 Obr................................................................................................. 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci...................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd..................

---

---