Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

................................................................... 30 Obr.... 28 Obr......... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.......................................................... 34 Obr....... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez....... 27 Obr. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .................................................. 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení........................................................ 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ....................... 27 Obr................................................................................................. 29 Obr........................................................................................ 26 Obr....... 38 Obr........................................... 39: Dotační profil diody........................... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ......... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ........................................................................... 39 Obr............................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .............................. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V............................................. 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .... 46 ................................................................ 30 Obr............................................................................ 49: Elektrický potenciál při napětí V.................................................... 45 Obr.............. 26 Obr............................... 28 Obr............ 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu...... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků........................................................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET.......... 29 Obr................. 38 Obr................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci........................ 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ......................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ...................................... 46 Obr............ 46 Obr.....................................4 Obr.......................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez .. 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ..... 46 Obr........................................... 43: Struktura polovodiče... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci .............................. 31 Obr.............................. 36 Obr............................................................ 44 Obr..... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí .............................. 44 Obr.................................................. 44 Obr................................ 45 Obr......

---

---