Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

........ 46 Obr............................................................................ 46 .......................................................................... 45 Obr............................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .... 27 Obr............... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .......................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu. 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez........... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek....................................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ....... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci . 44 Obr...................................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ....... 26 Obr.................... 36 Obr............ 35: Vygenerovaná síť konečných prvků... 30 Obr......... 45 Obr...... 30 Obr................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ......................... 27 Obr..................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V............................................... 43: Struktura polovodiče................................................................................................................ 39: Dotační profil diody................................. 31 Obr....... 46 Obr................................................................................ 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ...........4 Obr............ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.............. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ............................ 29 Obr..................................................... 29 Obr.................................. 28 Obr.............................................................. 38 Obr...................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................................ 46 Obr.................................. 39 Obr....................................... 26 Obr....................................................................................... 28 Obr.... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení............................................................................................. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................................... 44 Obr. 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu .............. 34 Obr........................................................................................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd............................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................. 44 Obr..................................... 38 Obr.............................

---

---