Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

............................................. 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ........................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu...................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek..... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ........ 31 Obr......................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ...................... 34 Obr.............................................. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ........................................................... 29 Obr................................. 46 ..................................................................... 36 Obr. 45 Obr...... 43: Struktura polovodiče................. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V......... 38 Obr................................................................................... 29 Obr................ 27 Obr.......... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu....... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení. 45 Obr. 46 Obr........................................................................................... 39: Dotační profil diody...................... 26 Obr......................... 28 Obr........ 38 Obr......................................................................4 Obr................................................ 39 Obr............... 27 Obr................................................. 26 Obr......................................................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ............... 28 Obr....................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ........................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez .................................................................................................. 44 Obr............................................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V......................... 44 Obr......................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ........ 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ..... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................ 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci...................................................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ....................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd............................................ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........................................... 46 Obr........ 44 Obr....................................................................... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků........ 30 Obr. 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení . 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez............................................. 46 Obr.......... 30 Obr

---

---