Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.. 45 Obr..................... 28 Obr.... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ........................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 .... 44 Obr.................... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků................................................ 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu........ 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ........................................................................................... 27 Obr...................................................... 44 Obr........... 46 Obr........................... 30 Obr............ 31 Obr......... 28 Obr. 26 Obr. 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí .... 27 Obr........................................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ............................................................................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .............. 39 Obr..................................................................................... 44 Obr................................................... 29 Obr. 43: Struktura polovodiče.......................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek............. 46 Obr......................................................................................................................................................................................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............ 34 Obr......................... 45 Obr... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................................................................................................................... 46 ....... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ...................................................................................................... 38 Obr............... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.................. 46 Obr....... 38 Obr.............................. 36 Obr............................................................................................................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez...................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ............................. 49: Elektrický potenciál při napětí V........................ 26 Obr..... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.. 30 Obr....4 Obr............................ 39: Dotační profil diody............. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ..... 29 Obr............................................................................................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ....................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................

---

---