Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

...... 45 Obr.................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci............ 36 Obr............................................ 27 Obr......................... 30 Obr.......................... 29 Obr......... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................ 46 Obr......................................................................................... 46 Obr.............................................. 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení........................................ 39: Dotační profil diody............................................. 31 Obr............................................................................................. 44 Obr.................................................................................................................. 30 Obr.................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ...... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí .............. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ............................................ 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 38 Obr.................................................4 Obr...................................................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ................ 34 Obr. 43: Struktura polovodiče................................................. 44 Obr...................................................................................................... 45 Obr............................................................................................................................ 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .... 28 Obr....................................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........... 38 Obr.... 26 Obr.......... 46 .................................................................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET..................... 44 Obr..................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ...................................................................... 28 Obr........................... 46 Obr...... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd...................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ...... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků....... 26 Obr................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ................. 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek........................ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V......................... 39 Obr................... 27 Obr.......................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ............... 49: Elektrický potenciál při napětí V... 29 Obr

---

---