Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
......................................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.................... 30 Obr............................................................................. 36 Obr............................... 29 Obr.............. 26 Obr............................. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ...................................................... 39: Dotační profil diody............................................... 46 Obr..................................................................... 26 Obr.................. 45 Obr..............4 Obr................................................................................................... 44 Obr......................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET... 44 Obr. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .................................. 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ............... 27 Obr........................................................................................ 44 Obr.................................................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.......... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ............................................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V..................................................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu . 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu........... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu........... 27 Obr........................... 45 Obr....... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................. 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ..................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení........................ 38 Obr.......... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V............................... 46 .................. 39 Obr...................................................................................................... 28 Obr............................... 46 Obr............... 28 Obr.......................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ................... 31 Obr................................................................................. 34 Obr..................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí .......................... 43: Struktura polovodiče......................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd....................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .......... 38 Obr..... 29 Obr.............................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ....................... 46 Obr............. 30 Obr.. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ......... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků..... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ....................................