Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

..................................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V.................. 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ....................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ............................. 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................. 44 Obr.................................................................. 46 Obr.................................................. 46 Obr.......................... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků..................................... 34 Obr.................................. 27 Obr............................................... 28 Obr...................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ................................... 36 Obr............. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ..... 43: Struktura polovodiče...................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .............. 44 Obr......... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu....................................................4 Obr....................................................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ...................................................................... 38 Obr............................. 30 Obr......................................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ............. 38 Obr................... 45 Obr............................ 39: Dotační profil diody................... 29 Obr............................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení........... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET..................... 44 Obr... 46 ................................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek...................................................... 39 Obr................................................................................................ 31 Obr.......................................................................................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez........ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V..................................................................................... 26 Obr............ 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ....................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu......................................................................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ...... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .... 45 Obr......... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz .... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ........................................................................... 30 Obr........... 29 Obr......... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.................. 27 Obr..................... 28 Obr.... 46 Obr............... 26 Obr........

---

---