Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
........................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .................................... 29 Obr........................................................ 46 ............................... 44 Obr........ 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez................................ 28 Obr................ 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ......................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ........ 43: Struktura polovodiče............................................................ 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu .................. 26 Obr...................................................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .............. 39: Dotační profil diody............................. 44 Obr.4 Obr... 39 Obr................................ 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ......................................................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci............................................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .. 28 Obr............................................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................................................................... 38 Obr... 36 Obr............... 26 Obr.................................. 46 Obr.............................................................................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz .................. 46 Obr............................. 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd. 31 Obr......................................... 45 Obr...................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ............................................................................................. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.................. 27 Obr...................... 27 Obr..... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení............................................. 30 Obr......................................................................... 34 Obr....................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET.. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V............... 49: Elektrický potenciál při napětí V....... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci .... 29 Obr.............. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků.. 44 Obr...................... 30 Obr......................................................................................... 46 Obr.... 38 Obr............. 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek....................................................................................................................................................................................................... 45 Obr................. 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ............................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez .........