Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
.......................................................................... 26 Obr............................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................................................... 27 Obr................ 38 Obr.......................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.................................... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.......................... 30 Obr..................................................... 43: Struktura polovodiče.................................................................................................................................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek....................................................................... 46 ........ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz . 45 Obr........ 29 Obr.................................... 38 Obr........... 29 Obr................................................................................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ..... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ....... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.. 28 Obr............ 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............... 27 Obr............ 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu .... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .......................................... 46 Obr........ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V....................................................................... 45 Obr.......................................................................... 44 Obr................................. 34 Obr.............................. 31 Obr.................... 28 Obr..................... 39 Obr........................................................................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení....... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ...................... 36 Obr............................................ 26 Obr.............................................. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků..............4 Obr............................................................ 44 Obr.......................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci .. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ..................... 46 Obr...................................................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez . 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ....... 49: Elektrický potenciál při napětí V.................. 44 Obr.......................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................... 46 Obr.......................................... 30 Obr......................... 39: Dotační profil diody............................ 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ........