Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ..................... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................. 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení. 34 Obr............................................................................................................. 45 Obr......................................... 39 Obr........... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ..................4 Obr.................................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ............................................... 45 Obr........... 29 Obr............................... 38 Obr.. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez .................. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci .................................. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ........................... 30 Obr................................................................................................................. 39: Dotační profil diody...................... 43: Struktura polovodiče.................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ............ 26 Obr.. 28 Obr......................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd...................................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ............... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ................... 31 Obr............... 29 Obr................................. 44 Obr.............................. 27 Obr................................ 46 Obr....................................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ..................................... 46 Obr..................................................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez............................................................ 46 ............ 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V............ 30 Obr....... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ................................................................ 28 Obr............................................................................................ 44 Obr................ 44 Obr................................................................................. 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................................................. 26 Obr................................................ 38 Obr........... 49: Elektrický potenciál při napětí V...................... 36 Obr.......................................................................... 46 Obr......................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET.... 27 Obr.......................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.......