Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................................................................... 38 Obr................................................................................................. 26 Obr............................................................ 26 Obr.......... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................................................................................................. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ........................................................... 31 Obr.... 49: Elektrický potenciál při napětí V......... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .............................. 34 Obr........ 35: Vygenerovaná síť konečných prvků.................................................................................................. 44 Obr....................................................................................................................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET....... 43: Struktura polovodiče............................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ................................. 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez................. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ..................... 38 Obr..................................... 28 Obr........ 45 Obr......................... 46 Obr............. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ....... 29 Obr...................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ............................... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ......................................................................................................... 39 Obr....... 44 Obr. 39: Dotační profil diody.......................................... 27 Obr...............................4 Obr............. 45 Obr............. 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek...................... 36 Obr.................................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd............................................ 28 Obr.......................................... 44 Obr....... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ............................... 30 Obr... 46 ... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci....................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .. 27 Obr......... 46 Obr........................................................................................................................ 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V................. 30 Obr................. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ....... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ................................... 29 Obr.............................. 46 Obr......