Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

................................................... 46 Obr............................ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.......................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu .. 49: Elektrický potenciál při napětí V......................... 46 ..................................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ................................................ 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.................................................................................................................... 45 Obr..... 39 Obr............ 44 Obr................ 38 Obr.................................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ............................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek........................................................................................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci........................................ 38 Obr......................4 Obr........................... 45 Obr......................................... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků...................................... 31 Obr.................................. 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .................... 30 Obr...... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu. 26 Obr............ 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez........... 44 Obr........... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................................................ 39: Dotační profil diody. 46 Obr................................................. 28 Obr................................................................................ 36 Obr. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ..................................... 29 Obr............................ 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .... 43: Struktura polovodiče............................ 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ....... 46 Obr...... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ............................. 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ............................................................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení......... 27 Obr....................... 30 Obr................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .............................................................................. 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ... 26 Obr................................................. 29 Obr..... 44 Obr........ 34 Obr............................................................ 27 Obr. 28 Obr............. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ...........................................................................

---

---