Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

........................................ 26 Obr......................................... 43: Struktura polovodiče...... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez . 30 Obr....................................................................................................................................... 27 Obr.......... 28 Obr....................................... 29 Obr................................ 39 Obr.. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení.. 38 Obr.................................................. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ..................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.......................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek................................................................................... 46 Obr............... 30 Obr................................... 36 Obr............................................................................. 46 Obr... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ..................... 38 Obr........................................................ 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ...................................4 Obr.. 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ....................................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ............................. 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET......................................................................... 34 Obr.................. 29 Obr...... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci..................................................................................................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ........... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.... 45 Obr.......................... 28 Obr...... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků............................................................. 44 Obr.................................................................... 49: Elektrický potenciál při napětí V....... 44 Obr........................ 39: Dotační profil diody.... 45 Obr..... 26 Obr................................. 44 Obr................................. 46 ........................................ 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ................................................ 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ...................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .................................................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz . 27 Obr.......... 46 Obr......................................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................. 31 Obr.....................

---

---