Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............................................................................... 26 Obr..................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .............................. 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu...................................................................................... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků........ 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET...................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ....................4 Obr................................... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................ 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .......................................................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek................................................................................................................ 46 Obr..................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ............ 46 Obr.................. 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ..................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení.......................... 44 Obr................................. 27 Obr.............................. 46 ........... 36 Obr.............................. 39 Obr.......................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd............ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz .................................... 38 Obr............................................................................................. 44 Obr................. 26 Obr..................... 46 Obr........... 34 Obr........ 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .......................... 44 Obr........................................................ 31 Obr................................................... 38 Obr...................................... 27 Obr......... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez............. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .............................. 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ............... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci......................... 29 Obr................................................... 43: Struktura polovodiče......................................... 29 Obr........................................ 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 28 Obr.................................. 45 Obr................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ............................. 28 Obr......... 39: Dotační profil diody.... 49: Elektrický potenciál při napětí V................. 30 Obr........................... 45 Obr............................................................................................... 30 Obr