Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............. 36 Obr................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ................................................ 44 Obr....... 30 Obr......... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ............................................ 26 Obr... 39 Obr...................................................................... 46 ................................ 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ....................................................................................................................................................... 38 Obr......... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V........... 29 Obr......................... 26 Obr........................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ..................................................................................... 46 Obr.....4 Obr................................ 27 Obr............ 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.......... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.................................................... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.................................................................................... 27 Obr....................................................................... 28 Obr.......................................................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci.................... 45 Obr............. 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ............ 28 Obr....................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET.... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek.. 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................................................................................ 45 Obr.............. 39: Dotační profil diody..... 31 Obr......................................................... 34 Obr.................... 44 Obr.................. 38 Obr......................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .............. 29 Obr....................... 44 Obr........................ 46 Obr............................................................... 43: Struktura polovodiče..... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ........... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu..... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci .......................... 49: Elektrický potenciál při napětí V..................... 46 Obr.................................................. 30 Obr............ 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........ 35: Vygenerovaná síť konečných prvků................................................................................................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ...... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ......................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ........................................