Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

. 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .............................. 36 Obr.............................................................................................................................................................. 39: Dotační profil diody.................................. 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd................................................ 44 Obr......... 49: Elektrický potenciál při napětí V................................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ......................................................................... 29 Obr.. 28 Obr.................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu ............................ 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ........................................................................................................ 45 Obr...................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ............... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 .............. 31 Obr................ 44 Obr................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ...................................... 29 Obr......................... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek........................................................................ 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.................. 38 Obr............... 27 Obr............ 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu........... 44 Obr........ 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ............................................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení.......... 46 . 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.......... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci................................................................. 30 Obr. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ..... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků.................................................................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ............................................. 28 Obr........................................ 43: Struktura polovodiče.. 39 Obr.............................................................. 34 Obr........ 26 Obr............. 26 Obr............................ 46 Obr............................................... 27 Obr..................................... 38 Obr......... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci .. 46 Obr..... 30 Obr.... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.... 46 Obr........................................................................................................ 45 Obr................................. 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET.......................................................... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ...............4 Obr...........................

---

---