Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
............................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........... 43: Struktura polovodiče.......................................................................................................................................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ................ 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ............. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu....................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET................... 31 Obr.... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ...................................................... 44 Obr.......................................................................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ......... 28 Obr........... 49: Elektrický potenciál při napětí V......... 34 Obr.......... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd.... 36 Obr................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez............. 35: Vygenerovaná síť konečných prvků....................................................................... 46 .............. 28 Obr................ 45 Obr................................................ 39: Dotační profil diody.......................................................................................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu......................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................................. 46 Obr.................................... 46 Obr......... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .............................. 29 Obr......... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ......................................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ....... 38 Obr........ 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek................................................................. 39 Obr...... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .............................4 Obr.................................................... 27 Obr............... 46 Obr............ 29 Obr............... 30 Obr............................................................... 27 Obr................................................... 44 Obr........................... 45 Obr............................................................................................ 30 Obr............................................................. 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .......................... 26 Obr.. 26 Obr.............. 44 Obr....... 38 Obr............................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ......................................................................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci .. 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V.................................................