Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
................................................ 29 Obr............. 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd................................................................................. 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu................................ 43: Struktura polovodiče.............................. 46 Obr....... 26 Obr... 28 Obr...... 38 Obr..................................................4 Obr............................... 36 Obr.............. 49: Elektrický potenciál při napětí V..... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků............................................................ 45 Obr... 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení ................... 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení......................... 44 Obr... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V....... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu .... 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ................................................. 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz .................................... 28 Obr........................ 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek........................................... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci...... 39 Obr.......................................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry .... 26 Obr......................... 44 Obr............... 46 ............. 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ...................................... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez ... 44 Obr............................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ....................................................... 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ............ 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.... 45 Obr...................................... 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ............................................................................. 39: Dotační profil diody................................................................................. 27 Obr.................... 34 Obr.......................................... 31 Obr............................. 29 Obr..................................................... 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez.............................................. 38 Obr................................................................. 27 Obr....................................................... 30 Obr.......................... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET......................................................................... 30 Obr...... 46 Obr.... 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci .................................................................................................. 46 Obr......................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .......................