Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 9 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
..................... 44 Obr................................................................................................ 38: Závislost normované fázové konstanty šíření koplanárním třívodičovém vedení frekvenci ............................................... 44: Struktura nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu.................................. 46 Obr.. 52: Rozložení elektrické vodivosti při napětí -25 ... 27 Obr..................... 31 Obr.............................................. 44 Obr.....4 Obr.................................. 30: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz výřez................. 36 Obr..................................................... 42: Funkce modelovaného polovodičového přechodu ... 37: Závislost ztrát koplanárním třívodičovém vedení frekvenci............................................................................... 46 Obr. 34: Profil modelovaného koplanárního třívodičového vedení .................................. 38 Obr........ 49: Elektrický potenciál při napětí V......... 47: Závislost ztrát frekvenci při napětí přiloženém mikropásek................... 50: Elektrický potenciál při napětí -25 V........................... 45: Výpočetní síť nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu............................................... 28 Obr. 39 Obr................................. 43: Struktura polovodiče.... 39: Dotační profil diody............. 34 Obr............................... 28 Obr.......... 26 Obr.......................... 51: Rozložení elektrické vodivosti při napětí ....................... 46: Rozložení elektrického pole průřezu nesymetrického mikropáskového vedení polovodičovém substrátu .......................................................................... 44 Obr............................................................................................. 29 Obr... 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET............................ 48: Normovaná fázová konstanta šíření nesymetrickém mikropáskovém vedení................................................. 29: Vygenerovaná síť konečných prvků výřez ...................................................... 26 Obr............................................ 45 Obr............................................................. 32: Závislost normované fázové konstanty šíření štěrbinovém vedení na frekvenci ........................................... 31: Závislost ztrát štěrbinovém vedení frekvenci ..................... 27 Obr.............................. 38 Obr......................................................... 33: Koplanární třívodičové vedení rozměry ........................................ 45 Obr...... 28: Profil modelovaného štěrbinového vedení výřez .............................................................................................. 29 Obr.......... 35: Vygenerovaná síť konečných prvků........... 41: Závislost vodivosti ztrát hodnotě dotací elektronů Nd............... 46 .................. 30 Obr...................................................... 36: Rozložení elektrického pole průřezu štěrbinového vedení frekvenci 50 GHz ........................ 46 Obr......................... 30 Obr.................