Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 47 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
takto vzniklých úseček, byly následně vytvořeny smyčky definující plošný povrch Line Loop(.,. model driftdiffusion Nastavení simulace driftu difuze { options { simulation_name Nastavení názvu simulace physical_regions all Nastavení regionů } physical_model electron_mobility Nastavení mobility pro elektrony { model constant low_field_model constant } physical_model hole_mobility Nastavení mobility pro díry { model constant .)={P1,P2}, kde udávají definované body, kterých bude výsledná úsečka tvořena. nabídce programu Gmsh byla následně vybrána položka Mesh a generována výpočetní síť.}; Plane Surface(.}. Takto definované body struktury, byly dále pospojovány úseček pomocí definice Line(.2.)={.geo.} Physical Line(" ")={.2.,.42 8. Region substrat_h Název regionu (horní vrstva) { material GaAs Definice použitého materiálu doping 2. spuštění programu pomocí nabídky Geometry Edit, byly zadány parametry polovodičové struktury.,. Polovodičová struktura byla popsána pomocí bodů definovaných pomocí Point(.)={x,y,z,m}, kde jsou prostorové souřadnice definuje velikost rozměru sítě.1 Geometrie polovodičové struktury výpočetní síť Geometrie byla vytvořena pomocí programu Gmsh. Výsledným útvarům definujícím plošný povrch úsečkám popisujícím kontakty bylo ještě přiděleno fyzické označení definované Physical Surface(" ")={.1e7 doping_type donor Definice koncentrace nosičů náboje } Region substrat_s Název regionu (spodní vrstva) { material GaAs doping 1e16 doping_type donor } Dále byly definovány simulační okrajové podmínky modelu.}.2 Konfigurační soubor TiberCADu Nejdříve bylo nutné nadefinovat fyzikální parametry polovodičové struktury, a použitý materiál gallium arsenid koncentrace nosičů zadávané cm-3 , v jednotlivých strukturách. Struktury jsou zde popsány definicí Region její názvy musí odpovídat názvům definovaným souboru *.)={. 8