|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
1 Geometrie polovodičové struktury výpočetní síť
Geometrie byla vytvořena pomocí programu Gmsh. Struktury jsou zde popsány definicí Region její názvy
musí odpovídat názvům definovaným souboru *. Takto definované body struktury, byly dále pospojovány úseček
pomocí definice Line(.)={x,y,z,m}, kde jsou prostorové souřadnice definuje velikost
rozměru sítě.1e7 doping_type donor Definice koncentrace nosičů náboje
}
Region substrat_s Název regionu (spodní vrstva)
{
material GaAs
doping 1e16 doping_type donor
}
Dále byly definovány simulační okrajové podmínky modelu.)={.2.42
8.,.,.
model driftdiffusion Nastavení simulace driftu difuze
{
options
{
simulation_name Nastavení názvu simulace
physical_regions all Nastavení regionů
}
physical_model electron_mobility Nastavení mobility pro elektrony
{
model constant
low_field_model constant
}
physical_model hole_mobility Nastavení mobility pro díry
{
model constant
.2.} Physical
Line(" ")={. spuštění programu
pomocí nabídky Geometry Edit, byly zadány parametry polovodičové struktury.}.)={P1,P2}, kde udávají definované body, kterých
bude výsledná úsečka tvořena.
Polovodičová struktura byla popsána pomocí bodů definovaných pomocí
Point(.geo.2 Konfigurační soubor TiberCADu
Nejdříve bylo nutné nadefinovat fyzikální parametry polovodičové struktury,
a použitý materiál gallium arsenid koncentrace nosičů zadávané cm-3
,
v jednotlivých strukturách.)={.}; Plane Surface(.,. takto vzniklých úseček, byly následně vytvořeny
smyčky definující plošný povrch Line Loop(.}.
Region substrat_h Název regionu (horní vrstva)
{
material GaAs Definice použitého materiálu
doping 2.
Výsledným útvarům definujícím plošný povrch úsečkám popisujícím kontakty bylo
ještě přiděleno fyzické označení definované Physical Surface(" ")={. nabídce programu Gmsh byla následně vybrána položka Mesh
a generována výpočetní síť.
8
