Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 44 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
43: Struktura polovodiče Doménám polovodiče byl knihovny materiálů přiřazen gallium arsenid, kde na místo vodivosti byla vložena proměnná sigm vzorce 300 nnm ⋅⋅= (59) Pro simulaci dějů probíhajících polovodiči prostředí COMSOL Multiphysics je nutné provést prvním kroku simulace předvýpočet pro počáteční odhad proměnných elektrického toku psi_init koncentrace elektronů n_init, který se následně použije druhém kroku tím samotné simulaci zahrnující termodynamické vlastnosti polovodičové struktury. Nejprve byly nastaveny vlastností subdomén (oblastí) okrajových podmínek v elektrostatickém modulu (electrostatics) pro předvýpočet. Jedná elektrostatický modul (electrostatics), který je použit dvakrát (předvýpočet samotná simulace) modul zahrnující transport elektronů (transport diluted species). Elektrostatické vlastnosti modelu byly řešeny pomocí rovnic Vρ=⋅∇ 0psi⋅−∇=E (60) Na celé subdoméně modelu, byla řešena podmínka zachování elektrického náboje (charge conservation), definovaná rovnicemi ( Vr0 ρεε =⋅∇ 0psi−∇=E (61) kde hodnotu elektrického potenciálu psi0 byla vložena hodnota psi_init definovaná v parametrech simulace pomocí rovnice 22 arcsin 1 _ gGaAs i q E q n N hc initpsi −−       ⋅ ⋅ = χ (62) a dále podmínka elektronové hustoty (space charge density) ( )0V nNq −⋅=ρ (63) kde vyjádřeno pomocí rovnice (57) pomocí (64) vložených parametrů simulace.39 Obr. . V samotné simulaci byly použity tři moduly zahrnující vlastnosti pro řešení dějů probíhajících polovodičích