|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
Zbyněk Raida
Předseda oborové rady
UPOZORNĚNÍ:
Autor diplomové práce nesmí při vytváření diplomové práce porušit autorská práva třetích osob, zejména nesmí
zasahovat nedovoleným způsobem cizích autorských práv osobnostních musí být plně vědom následků
porušení ustanovení následujících autorského zákona 121/2000 Sb. Pavel Chára ID: 98546
Ročník: Akademický rok: 2011/2012
NÁZEV TÉMATU:
Planární přenosové vedení polovodičovém substrátu
POKYNY PRO VYPRACOVÁNÍ:
Seznamte typy planárních vedení diskutujete jejich vlastnosti.D. Ing. Michal Pokorný, Ph., včetně možných trestněprávních
důsledků vyplývajících ustanovení části druhé, hlavy VI.VYSOKÉ UČENÍ
TECHNICKÉ BRNĚ
Fakulta elektrotechniky
a komunikačních technologií
Ústav radioelektroniky
Diplomová práce
magisterský navazující studijní obor
Elektronika sdělovací technika
Student: Bc.
. díl Trestního zákoníku č.2012
Vedoucí práce: Ing.2012 Termín odevzdání: 18.
[2] KRAMER, M., HITCHON, Semiconductor Devices Simulation Approach.
Konzultanti diplomové práce:
prof. Englewood
Cliffs: Prentice Hall, 1997. Hiedelberg: Springer-Verlag,
1984. Výsledky ověřte výpočtem specializovaném
programu TiberCAD.
Termín zadání: 6. Vyšetřete vliv přiloženého napětí vodivosti substrátu přenosové vlastnosti
vybraných vedení. Nahraďte dielektrický
substrát polovodičovým modelováním transportních procesů určete jeho elektrické parametry pro
různé hodnoty přiloženého stejnosměrného napětí.5. Vytvořte reálné modely vybraných
typů vedení programu COMSOL Multiphysics simulací ověřte jejich vlastnosti.2.
DOPORUČENÁ LITERATURA:
[1] SELBERHERR, Analysis and Simulation Semiconductor Devices. Dr.40/2009 Sb
