Kniha obsahuje základní informace o operačních zesilovačích. Seznamuje čtenáře s vlastnostmi a s hlavními druhy operačních zesilovačů, s technikou jejich měření a zapojení ve zpětnovazebních operačních sítích i s jejich použitím ve vyhodnocovacích, měřicích a regulačních obvodech v automatizační technice. Kniha je určena širokému okruhu čtenářů se středním vzděláním, kteří se zabývají návrhem, měřením a použitím obvodů, přístrojů a zařízení s operačními zesilovači v automatizační, měřicí a výpočetní technice.
36b.-
) 7sd (27)
Obr. dobou zotavení diody určují
dynamické spínací vlastnosti diody. Exponenciální vztah (27) využívá
v operačních sítích pro modelování logaritmických exponen
ciálních funkcí (kap.operační sítě jsou nejdůležitější křemíkové plošné diody, jejichž
typická charakteristika obr. Tato vlastnost využívá stabilizačních (Zenerových)
diod, které dodávají velmi jemně odstupňovaným Zenero-
vým napětím. 36). Náhradní zapojení diody
Pro posouzení spínacích vlastností nahradíme skutečnou diodu
sériovou kombinací ideální diody, odporu přímém směru ižPU
a zdroje prahového napětí ÍJpD její exponenciální charakteristiku
nahradíme lomenou čarou (obr. Při teplotě jeUe =
= mV. 36c). obr.
Pro přímé modelování logaritmické exponenciální funkce se
využívá exponenciální závislost mezi kolektorovým proudem
70
. 36b), kdy závěrný odpor diody í?kd klesá velmi malou
hodnotu.
Ve zpětném směru působí křemíková dioda jako zdroj kon
stantního proudu /sd dosažení průrazného napětí U%-g
(obr. Mezi proudem napětím
křemíkové diody přímém směru platí přibližně exponenciální
vztah
i /sd 1
kde /sd extrapolovaný nasycený proud diody zpětném
směru, tepelné napětí, závislé absolutní teplotě, Boltz-
mannově konstantě náboji elektronu. je
náhradní zapojení diody doplněné paralelním závěrným odporem
jSnd zdrojem nasyceného proudu /sd kapacitou přechodu Cpx>■
Kapacita přechodu spolu tzv. 37. Nasycený proud /sd při každém zvětšení teploty
o zdvojnásobí. Bod zlomu charakteristiky
odpovídá prahovému napětí Upd, jehož velikost podle typu
diody pohybuje při teplotě +25 +0,4 +0,8 se
vzrůstající teplotou zmenšuje 3mY/°C.
Někdy operačních sítích používají místo diod tranzistory
