4. Poměrná teplotní
a proudová závislost
parametru h2iE tranzistorů
KC507 KC509
79
.
Omezíme zjišťování vlivu teploty napájecího napětí, resp. Proto nejprve zaměříme
na zrněny jeho parametrů. Výsledky měření
Obr.2. Jako příklad vyšetříme změny parametrů
nízkofrekvenčního tranzistoru řady KC507 KC509.
Základní článek zesilovačů, diskrétními součástkami nebo
v integrované formě, tvoří bipolární tranzistor. napáje
cího proudu.4. Změny parametrů většiny polovodičových součástek si
s teplotou napájením zachovávají svůj charakter bez ohledu typ
a výrobce součástky. Vliv teploty napájení můžeme sledo
vat současně, protože obvykle vlivem určité nestability klidového pracov
ního režimu prvku probíhají současně změny ostatních parametrů. Přesto však při podrobnější analýze musíme kritické
parametry určit měřením, při kterém zjistíme velké odchylky absolut
ních hodnotách změn parametrů.1. VNĚJŠÍ VLIVY PŮSOBÍCÍ NESTABILITU
PŘENOSOVÝCH VLASTNOSTÍ
Nestabilita přenosových vlastností elektronických zařízení je
způsobena změnou parametrů jednotlivých polovodičových součástek
