napáje
cího proudu. Jako příklad vyšetříme změny parametrů
nízkofrekvenčního tranzistoru řady KC507 KC509.1. Vliv teploty napájení můžeme sledo
vat současně, protože obvykle vlivem určité nestability klidového pracov
ního režimu prvku probíhají současně změny ostatních parametrů. 4. Změny parametrů většiny polovodičových součástek si
s teplotou napájením zachovávají svůj charakter bez ohledu typ
a výrobce součástky.2. Poměrná teplotní
a proudová závislost
parametru h2iE tranzistorů
KC507 KC509
79
. Proto nejprve zaměříme
na zrněny jeho parametrů.
Omezíme zjišťování vlivu teploty napájecího napětí, resp. Výsledky měření
Obr.
Základní článek zesilovačů, diskrétními součástkami nebo
v integrované formě, tvoří bipolární tranzistor.4. VNĚJŠÍ VLIVY PŮSOBÍCÍ NESTABILITU
PŘENOSOVÝCH VLASTNOSTÍ
Nestabilita přenosových vlastností elektronických zařízení je
způsobena změnou parametrů jednotlivých polovodičových součástek. Přesto však při podrobnější analýze musíme kritické
parametry určit měřením, při kterém zjistíme velké odchylky absolut
ních hodnotách změn parametrů
