1. Změny parametrů většiny polovodičových součástek si
s teplotou napájením zachovávají svůj charakter bez ohledu typ
a výrobce součástky.
Základní článek zesilovačů, diskrétními součástkami nebo
v integrované formě, tvoří bipolární tranzistor. Přesto však při podrobnější analýze musíme kritické
parametry určit měřením, při kterém zjistíme velké odchylky absolut
ních hodnotách změn parametrů. 4. Vliv teploty napájení můžeme sledo
vat současně, protože obvykle vlivem určité nestability klidového pracov
ního režimu prvku probíhají současně změny ostatních parametrů. Proto nejprve zaměříme
na zrněny jeho parametrů. VNĚJŠÍ VLIVY PŮSOBÍCÍ NESTABILITU
PŘENOSOVÝCH VLASTNOSTÍ
Nestabilita přenosových vlastností elektronických zařízení je
způsobena změnou parametrů jednotlivých polovodičových součástek. Výsledky měření
Obr. napáje
cího proudu.
Omezíme zjišťování vlivu teploty napájecího napětí, resp.4.2. Jako příklad vyšetříme změny parametrů
nízkofrekvenčního tranzistoru řady KC507 KC509. Poměrná teplotní
a proudová závislost
parametru h2iE tranzistorů
KC507 KC509
79
