Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 79 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Výsledky měření Obr.4.2. Vliv teploty napájení můžeme sledo­ vat současně, protože obvykle vlivem určité nestability klidového pracov­ ního režimu prvku probíhají současně změny ostatních parametrů. Přesto však při podrobnější analýze musíme kritické parametry určit měřením, při kterém zjistíme velké odchylky absolut­ ních hodnotách změn parametrů. napáje­ cího proudu.1. Jako příklad vyšetříme změny parametrů nízkofrekvenčního tranzistoru řady KC507 KC509. Omezíme zjišťování vlivu teploty napájecího napětí, resp. Poměrná teplotní a proudová závislost parametru h2iE tranzistorů KC507 KC509 79 . 4. Základní článek zesilovačů, diskrétními součástkami nebo v integrované formě, tvoří bipolární tranzistor. Proto nejprve zaměříme na zrněny jeho parametrů. Změny parametrů většiny polovodičových součástek si s teplotou napájením zachovávají svůj charakter bez ohledu typ a výrobce součástky. VNĚJŠÍ VLIVY PŮSOBÍCÍ NESTABILITU PŘENOSOVÝCH VLASTNOSTÍ Nestabilita přenosových vlastností elektronických zařízení je způsobena změnou parametrů jednotlivých polovodičových součástek