Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 71 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
vzrůstem teploty roste energie nosičů zachycených povrchu zvětšuje pravděpodob­ nost, nosiče uvolní. Pokud mít provozu řídicí elektroda nulové předpětí proti zdrojové elektrodě, spojují obě elektrody přes rezistor minimální použitelné velikosti, obvykle však Mň. Složitější situace, kdy mít řídicí elektroda napětí nižší 71 . Vlivem filtračního členu nepůso­ bí zpětná vzba střídavý signál. 3. Zesílené chybové napětí pak působí předpětí tranzistoru tak, aby klidový proud koncového stupně vrátil původní hodnotu. Nejjedno­ dušší jsou zapojení bez nároků stabilitu pracovního proudu širokém rozsahu okolních teplot. znamená, vzrůstající teplotou pohyblivost nosičů klesá úměrně klesá proud kolektoru strmost tranzistorů. Místo tranzistoru T3může být obvodu stabilizace zapojen i operační zesilovač. Požadujeme-li kladné napětí řídicí elektrody, připojuje elektroda na dělič napětí. Zatím však nebyla vypracována jednoduchá metoda návrhu teplotní stabilizace tranzistorů FET, tak obvykle nutné hledat podmínky pro nejlepší teplotní stabili­ zaci experimentálně. Stupeň stabilizace dán zesílením tranzistoru T3. Tato pohyblivost přes odlišné velikosti dané technologií výroby tranzistorů FET vždy záporný teplotní součinitel.5. Z toho zřejmé, tranzistorů FET existují mechanismy navzájem opačnou teplotní závislostí. vzrůstající teplotou tedy bude stoupat kon­ centrace pohyblivých nosičů kanále tranzistoru, což následek úměrné zvětšení proudu kolektoru strmosti.změna tohoto proudu vyvolaná teplotou, napájecím napětím nebo stárnu­ tím součástek, zesilována stupni T3. Mohou nastat situace, kdy obě teplotní závislosti pro některý parametr určitém rozmezí teplot vzájemně kom­ penzují, dochází tak velmi dobré teplotní stabilitě. Podobně jako bipolárních tranzistorů typů FET nastavuje klidový pracovní režim pomocí vnějších součástek, nejčastěji rezistorů. STABILIZACE TRANZISTORŮ ŘÍZENÝCH ELEKTRICKÝM POLEM V tranzistorech FET existuje rovněž teplotní závislost pohyb vosti nosičů náboje, jak elektronů, tak děr. Naproti tomu některých typů tranzistorů FET ještě uplatňuje teplotní závislost náboje povrchových stavů