Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 71 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pokud mít provozu řídicí elektroda nulové předpětí proti zdrojové elektrodě, spojují obě elektrody přes rezistor minimální použitelné velikosti, obvykle však Mň. znamená, vzrůstající teplotou pohyblivost nosičů klesá úměrně klesá proud kolektoru strmost tranzistorů. Z toho zřejmé, tranzistorů FET existují mechanismy navzájem opačnou teplotní závislostí. Zesílené chybové napětí pak působí předpětí tranzistoru tak, aby klidový proud koncového stupně vrátil původní hodnotu. Stupeň stabilizace dán zesílením tranzistoru T3. Vlivem filtračního členu nepůso­ bí zpětná vzba střídavý signál. Mohou nastat situace, kdy obě teplotní závislosti pro některý parametr určitém rozmezí teplot vzájemně kom­ penzují, dochází tak velmi dobré teplotní stabilitě. Zatím však nebyla vypracována jednoduchá metoda návrhu teplotní stabilizace tranzistorů FET, tak obvykle nutné hledat podmínky pro nejlepší teplotní stabili­ zaci experimentálně. STABILIZACE TRANZISTORŮ ŘÍZENÝCH ELEKTRICKÝM POLEM V tranzistorech FET existuje rovněž teplotní závislost pohyb vosti nosičů náboje, jak elektronů, tak děr.5. Podobně jako bipolárních tranzistorů typů FET nastavuje klidový pracovní režim pomocí vnějších součástek, nejčastěji rezistorů. Tato pohyblivost přes odlišné velikosti dané technologií výroby tranzistorů FET vždy záporný teplotní součinitel. Požadujeme-li kladné napětí řídicí elektrody, připojuje elektroda na dělič napětí.změna tohoto proudu vyvolaná teplotou, napájecím napětím nebo stárnu­ tím součástek, zesilována stupni T3. Místo tranzistoru T3může být obvodu stabilizace zapojen i operační zesilovač. Složitější situace, kdy mít řídicí elektroda napětí nižší 71 . vzrůstající teplotou tedy bude stoupat kon­ centrace pohyblivých nosičů kanále tranzistoru, což následek úměrné zvětšení proudu kolektoru strmosti. vzrůstem teploty roste energie nosičů zachycených povrchu zvětšuje pravděpodob­ nost, nosiče uvolní. Naproti tomu některých typů tranzistorů FET ještě uplatňuje teplotní závislost náboje povrchových stavů. Nejjedno­ dušší jsou zapojení bez nároků stabilitu pracovního proudu širokém rozsahu okolních teplot. 3