Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 71 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Místo tranzistoru T3může být obvodu stabilizace zapojen i operační zesilovač. Zesílené chybové napětí pak působí předpětí tranzistoru tak, aby klidový proud koncového stupně vrátil původní hodnotu. Podobně jako bipolárních tranzistorů typů FET nastavuje klidový pracovní režim pomocí vnějších součástek, nejčastěji rezistorů. STABILIZACE TRANZISTORŮ ŘÍZENÝCH ELEKTRICKÝM POLEM V tranzistorech FET existuje rovněž teplotní závislost pohyb vosti nosičů náboje, jak elektronů, tak děr. Mohou nastat situace, kdy obě teplotní závislosti pro některý parametr určitém rozmezí teplot vzájemně kom­ penzují, dochází tak velmi dobré teplotní stabilitě. znamená, vzrůstající teplotou pohyblivost nosičů klesá úměrně klesá proud kolektoru strmost tranzistorů. Naproti tomu některých typů tranzistorů FET ještě uplatňuje teplotní závislost náboje povrchových stavů.změna tohoto proudu vyvolaná teplotou, napájecím napětím nebo stárnu­ tím součástek, zesilována stupni T3. Stupeň stabilizace dán zesílením tranzistoru T3.5. Tato pohyblivost přes odlišné velikosti dané technologií výroby tranzistorů FET vždy záporný teplotní součinitel. Vlivem filtračního členu nepůso­ bí zpětná vzba střídavý signál. Pokud mít provozu řídicí elektroda nulové předpětí proti zdrojové elektrodě, spojují obě elektrody přes rezistor minimální použitelné velikosti, obvykle však Mň. Požadujeme-li kladné napětí řídicí elektrody, připojuje elektroda na dělič napětí. Složitější situace, kdy mít řídicí elektroda napětí nižší 71 . Z toho zřejmé, tranzistorů FET existují mechanismy navzájem opačnou teplotní závislostí. vzrůstající teplotou tedy bude stoupat kon­ centrace pohyblivých nosičů kanále tranzistoru, což následek úměrné zvětšení proudu kolektoru strmosti. Nejjedno­ dušší jsou zapojení bez nároků stabilitu pracovního proudu širokém rozsahu okolních teplot. vzrůstem teploty roste energie nosičů zachycených povrchu zvětšuje pravděpodob­ nost, nosiče uvolní. 3. Zatím však nebyla vypracována jednoduchá metoda návrhu teplotní stabilizace tranzistorů FET, tak obvykle nutné hledat podmínky pro nejlepší teplotní stabili­ zaci experimentálně