Tato pohyblivost přes
odlišné velikosti dané technologií výroby tranzistorů FET vždy záporný
teplotní součinitel. Zesílené chybové napětí pak
působí předpětí tranzistoru tak, aby klidový proud koncového
stupně vrátil původní hodnotu.změna tohoto proudu vyvolaná teplotou, napájecím napětím nebo stárnu
tím součástek, zesilována stupni T3.
Naproti tomu některých typů tranzistorů FET ještě uplatňuje
teplotní závislost náboje povrchových stavů.
Z toho zřejmé, tranzistorů FET existují mechanismy navzájem
opačnou teplotní závislostí.
Požadujeme-li kladné napětí řídicí elektrody, připojuje elektroda na
dělič napětí. Místo tranzistoru T3může být obvodu stabilizace zapojen
i operační zesilovač. Vlivem filtračního členu nepůso
bí zpětná vzba střídavý signál. Složitější situace, kdy mít řídicí elektroda napětí nižší
71
. Mohou nastat situace, kdy obě teplotní
závislosti pro některý parametr určitém rozmezí teplot vzájemně kom
penzují, dochází tak velmi dobré teplotní stabilitě.
Podobně jako bipolárních tranzistorů typů FET nastavuje klidový
pracovní režim pomocí vnějších součástek, nejčastěji rezistorů. Pokud mít provozu řídicí elektroda nulové
předpětí proti zdrojové elektrodě, spojují obě elektrody přes rezistor
minimální použitelné velikosti, obvykle však Mň. znamená, vzrůstající teplotou pohyblivost
nosičů klesá úměrně klesá proud kolektoru strmost tranzistorů. Nejjedno
dušší jsou zapojení bez nároků stabilitu pracovního proudu širokém
rozsahu okolních teplot. vzrůstající teplotou tedy bude stoupat kon
centrace pohyblivých nosičů kanále tranzistoru, což následek
úměrné zvětšení proudu kolektoru strmosti.
3.5. STABILIZACE TRANZISTORŮ ŘÍZENÝCH
ELEKTRICKÝM POLEM
V tranzistorech FET existuje rovněž teplotní závislost pohyb
vosti nosičů náboje, jak elektronů, tak děr. Zatím však nebyla
vypracována jednoduchá metoda návrhu teplotní stabilizace tranzistorů
FET, tak obvykle nutné hledat podmínky pro nejlepší teplotní stabili
zaci experimentálně. Stupeň stabilizace dán zesílením
tranzistoru T3. vzrůstem teploty roste
energie nosičů zachycených povrchu zvětšuje pravděpodob
nost, nosiče uvolní
