Pro informaci uveďme, změna zbytkového proudu
obecně Icom při teplotě ICOŮ2 při teplotě ů2je dána vztahem
7 *1)i CO«2 COĎl c
kde A:je konstanta závislá materiálu přechodu polovodiče pro germa
nium činí 0,06 0,1, pro křemík 0,04 0,05.
Obr.2. Vliv změny napětí báze-emitor na
proud kolektoru uplatní především zapojení tranzistoru pevným
předpětím báze tvrdého děliče, jak patrné obr. Pevné předpětí báze
u tranzistoru
Stejně tak vliv změny napětí ř/BEs teplotou pro stálý proud kolektoru
nemůžeme zanedbat při žádné teplotě. Předpětí báze
ze zdroje proudu
Obr.záporné teploty. 3.3. záměně parciálních derivací diference, což při reálných
změnách teplot předpokladu lineárních přírůstků funkcí můžeme uči
61
. 3.
Abychom mohli podrobněji analyzovat teplotní stabilizaci tranzistorů
a dojít jednoduchým praxi použitelným vztahům, vyjdeme funkční
závislosti proudu kolektoru uvedených parametrech /CBO, /%Ea UBE. Tento případ uveden na
obr.
Obecně tuto závislost můžeme vyjádřit takto:
Ic f(^CBO> ^21E> ^Be)
kde veličiny /CBO, h2lEa UBEjsou závislé teplotě systému tranzistoru. 3.2. Jak již bylo řečeno, tato změna
stálá bez ohledu absolutní teplotu.3. 3.
Naproti tomu vliv teploty proudový zesilovací činitel h21Enemůžeme
zanedbat při žádné teplotě, zejména tam, kde předpětí báze tranzistoru je
dáno prakticky zdroje konstantního proudu, jako tomu při napájení
báze vyššího napětí přes velký rezistor. Po
diferenciaci uvedeného vztahu dostáváme parciální derivace proudu ko
lektoru podle jednotlivých proměnných, které označíme jako činitele
stabilizace
