Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 47 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od 100 nulového osvětlení. sirníku kademnatého, která umístěna na izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Důležité jsou časové odezvy na skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se mohou pohybovat řádu sekund. provozní napětí výkonová ztráta. Samozřejmě fotorezistor dovolené mezní parametry, jako např. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Tato dioda obvykle křemíkový polovodičový přechod PN. Závislost odporu osvětlení logaritmická. Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten­ zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko více než uA. Pro nás je důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Spektrální citlivost přibližně stejná jako lidského oka. Uvedeme jen ty, které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných součástek. Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto- ry. Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. stejném principu pracuje foto- tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu kolektoru, resp. ustálení hodnoty odporu při skokové změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Při osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Citlivá část bývá formě meandru. Kladný pól anodě. Fotorezistor je tvořen aktivní vrstvou, např. Celek hermeticky uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou zalévací hmotou. Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu WK 65060a. 47 . Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Záření pohlcené přechodem diody vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě osvětlení jeho spektrální citlivost. Katoda fotodiody bývá proto opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu P. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně 5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Spektrální citlivost přesahuje viditelné světlo.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Tato dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda