47
. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. provozní napětí výkonová ztráta. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např. Kladný pól anodě.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Citlivá část bývá formě meandru. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Závislost
odporu osvětlení logaritmická.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody
