Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. Citlivá část bývá formě meandru. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Kladný pól anodě. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a.
47
. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Závislost
odporu osvětlení logaritmická.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. provozní napětí výkonová ztráta
