47
. Citlivá část bývá formě meandru. Kladný pól anodě. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. provozní napětí výkonová ztráta. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost
