ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. Kladný pól anodě. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. provozní napětí výkonová ztráta. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a. Citlivá část bývá formě meandru. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody.
47
