Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 47 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Uvedeme jen ty, které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných součástek. stejném principu pracuje foto- tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu kolektoru, resp. Tato dioda obvykle křemíkový polovodičový přechod PN. 47 . Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od 100 nulového osvětlení. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně 5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. ustálení hodnoty odporu při skokové změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě osvětlení jeho spektrální citlivost. provozní napětí výkonová ztráta. Spektrální citlivost přesahuje viditelné světlo. Citlivá část bývá formě meandru. Tato dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Fotorezistor je tvořen aktivní vrstvou, např. Samozřejmě fotorezistor dovolené mezní parametry, jako např. Při osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Záření pohlcené přechodem diody vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Pro nás je důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Celek hermeticky uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou zalévací hmotou. Závislost odporu osvětlení logaritmická. Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto- ry. Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten­ zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko více než uA. Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu WK 65060a. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Katoda fotodiody bývá proto opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu P. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. sirníku kademnatého, která umístěna na izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Kladný pól anodě. Důležité jsou časové odezvy na skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se mohou pohybovat řádu sekund. Spektrální citlivost přibližně stejná jako lidského oka.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada