Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Kladný pól anodě.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. Citlivá část bývá formě meandru. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu.
47
. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp. provozní napětí výkonová ztráta. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností
