Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA.
47
. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Kladný pól anodě. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. provozní napětí výkonová ztráta. Citlivá část bývá formě meandru. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1].
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp
