Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 47 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
sirníku kademnatého, která umístěna na izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Záření pohlcené přechodem diody vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Závislost odporu osvětlení logaritmická. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od 100 nulového osvětlení. Kladný pól anodě. Tato dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Celek hermeticky uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou zalévací hmotou. Citlivá část bývá formě meandru. Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto- ry. Uvedeme jen ty, které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných součástek. Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. stejném principu pracuje foto- tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu kolektoru, resp. Spektrální citlivost přesahuje viditelné světlo. Katoda fotodiody bývá proto opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu P. Tato dioda obvykle křemíkový polovodičový přechod PN. Spektrální citlivost přibližně stejná jako lidského oka. provozní napětí výkonová ztráta. 47 . Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně 5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě osvětlení jeho spektrální citlivost. Fotorezistor je tvořen aktivní vrstvou, např. Pro nás je důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. ustálení hodnoty odporu při skokové změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Samozřejmě fotorezistor dovolené mezní parametry, jako např. Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu WK 65060a. Důležité jsou časové odezvy na skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se mohou pohybovat řádu sekund. Při osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten­ zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko více než uA