Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 47 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Důležité jsou časové odezvy na skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se mohou pohybovat řádu sekund. Fotorezistor je tvořen aktivní vrstvou, např. Samozřejmě fotorezistor dovolené mezní parametry, jako např. Katoda fotodiody bývá proto opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu P. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. stejném principu pracuje foto- tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu kolektoru, resp. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Uvedeme jen ty, které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných součástek. Tato dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto- ry.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Pro nás je důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Spektrální citlivost přibližně stejná jako lidského oka. K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě osvětlení jeho spektrální citlivost. 47 . Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. sirníku kademnatého, která umístěna na izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od 100 nulového osvětlení. Závislost odporu osvětlení logaritmická. Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu WK 65060a. provozní napětí výkonová ztráta. Citlivá část bývá formě meandru. Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně 5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Tato dioda obvykle křemíkový polovodičový přechod PN. Celek hermeticky uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou zalévací hmotou. Spektrální citlivost přesahuje viditelné světlo. Záření pohlcené přechodem diody vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten­ zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko více než uA. ustálení hodnoty odporu při skokové změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody. Kladný pól anodě. Při osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA