Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp. Závislost
odporu osvětlení logaritmická.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Kladný pól anodě. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Citlivá část bývá formě meandru. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. provozní napětí výkonová ztráta. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost.
47
. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada
