Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. provozní napětí výkonová ztráta. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka. Kladný pól anodě. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např. Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Citlivá část bývá formě meandru.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR.
47
. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody
