Samozřejmě fotorezistor dovolené
mezní parametry, jako např. Katoda fotodiody bývá proto
opatřena mřížkou tak, aby záření mohlo proniknout polovodič typu
P. Tato dioda obvykle
křemíkový polovodičový přechod PN. Celek hermeticky
uzavřen pouzdře vývody oblast aktivní vrstvy kryta průhlednou
zalévací hmotou. Uvedeme jen ty,
které jsou praxi využitelné vyrábějí formě prakticky použitelných
součástek. Fotorezistor je
tvořen aktivní vrstvou, např. Závislost
odporu osvětlení logaritmická. provozní napětí výkonová ztráta. Při
osvětlení 000 zvětší zbytkový proud asi 900 uA.jsou nějakým způsobem citlivé světlo, celá řada. Pro nás je
důležité, fotodioda přechodem typu 1PP75 vyrábí ČSFR.
Přiloží-li fotodiodu 1PP75 zpětném směru napětí maximálně
5 bez osvětlení, zbytkový proud diody několik mikroampérů. ustálení hodnoty odporu při skokové
změně osvětlení 0,05 0,5 dochází asi sekundách. Citlivá část bývá formě meandru. Nejvíce používají oblasti fotometrie, uplatnění však nacházejí
i tam, kde třeba pomocí světla ovládat další funkce. Spektrální citlivost přibližně stejná
jako lidského oka.
Dalším prvkem citlivým světlo fotodioda. Vlivem působení fotonů záření vzniká struktuře polovodiče pár
volných nosičů elektron díra, který zvyšuje závěrný proud diody.
Podle použité technologie existují další typy fótodiod [1]. Jeho odpor mění asi 100 při osvětlení od
100 nulového osvětlení. Záření pohlcené přechodem diody
vyvolá změnu jejích elektrických vlastností. Důležité jsou časové odezvy na
skokové změny osvětlení, protože zpravidla oblasti malých osvětlení se
mohou pohybovat řádu sekund. stejném principu pracuje foto-
tranzistor nebo fototyristor, kde světelné záření ovlivňuje velikost proudu
kolektoru, resp.
Jako příklad uveďme fotorezistor výroby TESLA Lanškroun typu
WK 65060a.
Prvky, které působením světla mění svůj odpor, nazývají fotorezisto-
ry. Spektrální
citlivost přesahuje viditelné světlo.
47
. Kladný pól anodě. uvedení dráhy katoda anoda vodivého stavu. Tato
dioda může pracovat jako samostatný fotoelektrický článek.
Pracuje-li tato dioda jako fotoelektrický článek, dává při osvětlení inten
zitě 000 napětí naprázdno více než 0,3 popřípadě proud nakrátko
více než uA. sirníku kademnatého, která umístěna na
izolační podložce mezi dvěma vodivými vývody.
K hlavním parametrům fotorezistoru patří závislost odporu intenzitě
osvětlení jeho spektrální citlivost
