Elektro
da, odpovídající bipolárních tranzistorů emitoru, označována jako
S (source, emitor), řídicí elektroda symbol (gate, hradlo) výstupní,
odpovídající kolektoru, značí (drain, kolektor). Jejich reálná složka vstupní impedance značně velká tím se
unipolární tranzistory podobají elektronkám. tranzistoru FET tzv. Této výhodné vlastnosti využívá především směšovačích
rozhlasových televizních přijímačů. Důležitou vlastností tranzistorů FET to, mohou mít další řídicí
elektrodu, která, když menší strmostí, může také ovládat proud tranzis
torem. Tranzistor
FET kanálem bude mít polaritu napájecích ovládacích napětí opač
nou.
42
. Tyto unipolární tranzistory nazývají tetrody.
Tranzistory FET jsou tedy aktivní elektronické součástky řízené napě
tím. První řídicí elektroda označuje
G,, druhá G2.
Např. Napětím řídicí elektrodě
G proti zdrojové elektrodě lze řídit proud sběrné elektrody Techno
logie tranzistoru FET určuje (mimo jiné) také polaritu napájení elektrod
a rozsah řízení napětím elektrodě Všechny tyto skutečnosti udává
výrobce tranzistoru katalogu. Liší druhem technologie výroby, kterých celá
řada [3], Vyznačují velkým vstupním odporem, více než 1014£2,
a proti bipolárním tranzistorům nižší strmostí y21, asi mS. kanálem elektroda kladné napětí
proti elektrodě kladné napětí bude tranzistor otevírat. unipolární tranzistory, označo
vané jako FET, neboli tranzistory řízené elektrickým polem, některé
odlišné vlastnosti.Podobně pro vysokofrekvenční tranzistor KF124 při napětí kolektoru
10 proudu emitoru udává výrobce pro frekvenci 10,7 MHz již
rozepsanou odporovou kapacitní složku parametru Platí, že
y jb
_ b
a) 2jt/
kde příslušný admitanční parametr, jeho reálná část, jeho imagi
nární část, odpovídající kapacita měřicí frekvence
gUe 0,3 Clle pF
gize 0,1 (as C12e 0,55 pF
g21e b2le 2,5 mS
&2e C22e 1,6 pF
fT 200 MHz
Proti bipolárním tranzistorům mají tzv
