Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 40 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Charakteristiky udávají střední hodnoty většího počtu měřených kusů při teplotě okolí 25 °C. Mimo údaje mezních hodnot napětí proudů všech elektrod dovole­ ného rozsahu pracovní teploty jako další parametr uvádí mezní frek­ vence definovaná jako součin absolutní hodnoty proudového zesilova­ cího činitele zapojení společným emitorem frekvence, níž klesá tento zesilovací činitel oktávu. samozřejmé, hodnoty parametrů pro jeden typ tranzistoru mění okolní teplotou, frekvencí nastaveným pracovním režimem. V podrobnějších katalozích jsou vlastnosti bipolárních tranzistorů cha­ rakterizovány tzv. 2. Jednodušeji popsat jako frekvence, při které proudový zesilovací činitel zapojení společným emitorem roven jedné. Dalším udávaným parametrem vlastní šum tranzistoru, projevující šumovým napětím výstupním obvodu. čtyřpólovými parametry Pro nízkofrekvenční tranzisto­ ry vžil popis pomocí hybridních parametrů pro vysokofrekvenční se používají admitanční parametry Jednotlivé parametry udávají následu­ jící vlastnosti: hu vstupní odpor při výstupu nakrátko h[2( zpětné zesílení při rozpojeném výstupu ^2 proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko hr2 (S) výstupní vodivost při rozpojeném vstupu yu (S) vstupní vodivost při výstupu nakrátko y\i (S) zpětná vodivost při výstupu nakrátko yu (S) přenosová vodivost neboli strmost při výstupu nakrátko J22 (S) výstupní vodivost při výstupu nakrátko Dalším indexem nebo příslušným parametrem rozlišují parametry tranzistoru podle druhu jeho zapojení (se společným emito­ rem, bází nebo kolektorem). Jedná tranzistor polarity NPN a charakteristiky uvádějí závislost proudu kolektoru 7Ca báze IBna napětí mezi kolektorem emitorem UCE bází emitorem UBE. Spek­ 40 . Pro informaci uvedeme charakteristiky tranzistoru pro všeobecné použití typu KF506 obr. Admitanční parametry pro vyšší frekvence udávají v komplexním tvaru, aby parametru byla obsažena složka reálná od­ por, složka imaginární, zpravidla kapacitní.současné době uplatňuje zapojení tranzistoru společnou bází zejména vysokofrekvenčních zesilovačích, které pracují frekvencemi několik set megahertzů více.8