Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 28 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
základě teoretických prací byl během několika let zhotoven dokonalejší typ plošného tranzistoru, jehož princip používán dodnes. hodnota srovnatelná funkční hustotou neuronů buň­ kách živého organismu. I když konstruktér elektronických zařízení nemůže ovlivnit vnitřní strukturu polovodičových součástek může dívat jako černé krabičky, jejichž funkce parametry jsou předem dány, přece měl znát jejich základní principy činnosti. Tempo poznávání pochodů struktuře hmoty vývoj dalších polovo­ dičových součástek, běžných diod integrované obvody nebo lasery, zrychluje. Základem pro výrobu vždy velmi čistý prvek. Musíme být ovšem vědomi toho, při velkých hustotách integrace musí být také zaručena vysoká spolehlivost každého jednotlivého prvku. Znamená to, množství využitelných funkcí polovodičové součástky roste rychleji než její objem.POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY Za počátek éry elektroniky polovodičových součástek můžeme považovat rok 1948, kdy byla Bellových laboratořích objevena první aktivní polovodičová součástka možností praktického využití hrotový tranzistor. Zajistit spolehlivost, stěžejní úkol technologie. K výrobě polovodičových součástek používá převážně křemík, ger­ manium, dále galium, indium další, včetně jejich sloučenin. Takový však velmi malou 28 . Selhání funkce jediného prvku vede většinou znehodnocení celé sousta­ vy, nehledě další škody, plynoucí výpadku celého zařízení. Jako příklad uveďme porovnání hustoty aktivních součástek jednom krychlovém centimetru. Technologický vývoj tedy přináší účinnější využití funkčních vlastností hmoty. současné době roste výrobě polovodičových součástek snaha zvětšování poměru funkční hmoty hmotě konstrukč­ ní. této problematice byla publikována řada prací, proto uveďme jen nejpodstatnější. miniaturních elektronek byla tato hustota kolem 10-2, tranzistoru průměru integrovaných obvodů podle hustoty integrace 102 103 součástek krychlový centimetr za reálné považuje dosažení využití jednoho miliónu prvků krychlovém centimetru