Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 224 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Při použití tranzistoru vyšších frekvencích musíme uvědomit několik důležitých skutečností. jsme tyto vlastnosti mohli zanedbat. Při návrhu obvykle uvažujeme 227 . Pracovní strmost vysokofrekvenčních tranzistorů pohybuje řádu několika desítek milisiemensů. Typ KF910 frekvenci MHz vstupní odpor asi vstupní kapacitu pod pF. Jedná zejména mezielektrodové kapacity parazitní kapacity včetně jejich změn závislosti pracovním režimu také parazitní indukčnosti přívodních výstupních vodičů. Jejich pracovní frekvence pohybuje několika desítek megahertzů. Unipolární tranzistory mají příznivější vlastnosti. Vstupní odpor bipolárních tranzistorů frekvencí klesá. Pro nižší oblast vysokofrekvenčních zesilovačů směšovačů jsou již dispozici integrova­ né obvody. Řada vlastností polovodičových součástek, které lze zanedbat při návrhu nízkofrekvenčních zesilovačů, musí respektovat přechodem vyšší frekvence tím více, čím vyšší zpracovávaná frekvence. Parametry tranzistorů však vykazují velké tolerance, když jsou již při výrobě tříděny několika typů. tranzis­ tor typu KF524 frekvenci MHz vstupní odpor asi při vstupní kapacitě pF. Jsou úzce specializované při jejich aplikaci nutné držet doporučení výrobcé. Při návrhu nízkof­ rekvenčních zesilovačů kap. Plné využití této strmosti není možné, protože vlivem velkého zisku parazit­ ních přenosů došlo oscilacím zesilovačů, zejména širokopásmových. Příznivější situace úzkopásmových zesilovačů, kde lze vnitřní zpětnou vazbu neutralizovat. S běžně dostupnými tranzistory lze konstruovat zesilovače frek­ vence GHz tak obsáhnout všechna televizní pásma.VYSOKOFREKVENČNÍ A ŠIROKOPÁSMOVÉ ZESILOVAČE Problematika vysokofrekvenční, případně širokopásmové zesilo­ vací techniky, značně složitější, než tomu oblasti nižších zejména akustických frekvencí. Občas však jako výsledek zajímavých experimentů jednotlivců objevují netradiční možnosti využití těchto obvodů. značně ztěžuje návrh zesilovačů, protože vysokofrekvenční parametry tranzistorů bez speciálních ná­ kladných zařízení nedají vůbec měřit. Např