Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 172 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Dále uvedeme vztahy pro výpočet napěťového zesílení vstupního odporu Rvst výstupního odporu i?výst stupně jedním tranzistorem v zapojení společným emitorem SE, společným kolektorem spo­ lečnou bází podle obr. 7. Obvody stejnosměrného napájení, děliče 172 . 7. Strmost vždy udává­ na není, ale můžeme určit grafu obr.hybridních parametru tranzistorů, které charakterizují jeho vlastnosti rovnicemi Mj hnu2 h ^21 2 ještě předpokládáme, že h\\i\ hl2 u2 h2 \i\ u2 Potom lze výchozí rovnice zjednodušit na Mi AjiÍj h h-2 ih a odtud již můžeme definovat tři základní parametry tranzistoru, které budeme používat při návrhu: í'i 1 vstupní vodivost — Mi hn .1. Vstupní vodivost pak určíme výpočtem, pokud není jako parametr pro dané zapojení vedena v katalogu. Vycházíme obecně platného předpokladu, strmost běžných tranzistorů závisí především na proudu kolektoru bez ohledu typ tranzistoru. ^21 strmost y2i a m, hu Í2 proudový zesilovací činitel h2m h Mezi těmito parametry platí vztah S BG Parametr jako proudový zesilovací činitel tranzistoru zapojení se společným emitorem bývá katalogu vždy udáván.2