Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 86 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
40) Vidíme, zvlnění přímo úměrné střídě.44) ( )s s I II stř střDstř −== 11 2 (8.43) s I I stř D 1 max (8. Proto musí platit: 1 1 t I LU ∆ = (8.1 jsme odvodili vztah (8.7) pro velikost U2. obr. obr.8) dostáváme vztah pro zvlnění proudu tlumivkou: fL sU I 1 =∆ (8.39) Odtud zavedení střídy dle (8. 8.46) Opět dimenzujeme tranzistor špičkovou hodnotu diodu střední hodnotu proudu.5.12b): s I I stř C 1 max (8. Zavedením pojmu střída dle vztahu (8. Napěťové dimenzování polovodičů: Je-li tranzistor vypnutý, pak dioda otevřená proto tranzistor namáhán napětím U1+U2.38) Pomocí střídy lze měnit nuly teoreticky nekonečna. Během indukčnosti napětí U1. Zvlnění proudu tlumivkou: Velikost zvlnění proudu ∆I, viz.8) a neuvažováním záporného znaménka (máme nyní opačně označenou šipku U2) lze (8.86 V kapitole 8.42) s I s s I I střstř Cef 11 == (8.45) s s I II stř střDef −== 11 2 (8.7) upravit do podoby: ( 111 2 1 2 11 U s s U Ts sT U t t U − = − == (8. Je-li tranzistor sepnutý, tímto napětím U1+U2 namáhána závěrném směru dioda. doby t1, kdy tranzistor sepnutý. Popis činnosti režimu přerušovaných proudů: . 8.41) střCstř II (8. Proudové dimenzování polovodičů: Zanedbáme-li pilovité zvlnění iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou, střední a efektivní hodnotu pomocí následujících vztahů viz.12b), určíme např