Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 52 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Vinutí dobře vtěsná, aniž přitom zůstal velký prostor nevyužit. znamená, jedné polovině obvodu jsou daném okénku závity dva. Výpočet odporu vinutí: Měrný odpor mědi při předpokládané teplotě vinutí 80°C: ( mmmΩ022,0mmmΩ6010410178,01 223 2080 =⋅⋅+⋅=∆+= − tαρρ Délka jednoho závitu cívky: cca 126 mm Délka celého vinutí přívody: 250 mm Odpor vinutí při 80°C: Ω⋅=Ω⋅== −4 80 1024,2 6,24 25,0 022,0 vS l R ρ Ohmické ztráty vinutí při Ief: WRIP efCu 7,0561024,2 262 =⋅⋅== − Hysterezní ztráty jádře: Katalogový údaj pro dané jádro: Ph0 při kHz ±0,2 T W4,1W 1015107,12 1 2,0 12,0 3 4 11 4 1 36 2 0 2 0 0 = ⋅⋅⋅       ⋅⋅= ⋅      = − fTB B PP ekv hh Celkové ztráty: W1,2W4,1W7,0 =+=+= hCutot PPP . Ve jmenované obvodu tedy činitel plnění: 38,0 128 6,2422 = ⋅ == okna v pl S S k To reálná hodnota při našem způsobu vinutí (nikoliv volné vodiče vrstev, ale 1,5 závitu silným předem vyrobeným svazkem vnější izolací). důkazem správné počáteční volby velikosti jádra.52 Vinutí 1,5 závitu