Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 20 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Musíme poněkud změnit napětí sekundáru UAV /Uef 1,1 toho Uef =
UAV /1,1 36,4V.1.3 Násobiče napětí
Jsou vlastně zvláštním způsobem zapojené usměrňovače sběrným kondensátorem, velmi často
v principu jednocestné.6 poměr Rs/RL 50%.
Zatěžovací odpor bude UAV/IAV 13,3Ω nezávislá proměnná 1/13,3 7,5%.Ief 1,8A.1.10-3
= 25.C 5.10-2
/50.5. 50. Rs= poměr Rs/RL 60% .Rs =
20. Nejběžnější jsou dva
typy: Greinacherův zdvojovač napětí Delonův násobič obr.
Představa, případě můstku stačí diody poloviční napětí platí jen případě pečlivého výběru
diod zpětný proud.10-2
/f.8 2.10-2
a toho pro 50Hz určíme potřebnou kapacitu filtračního kondensátoru C=.10-2
.
Sada Ief /IAV 0,96….2 grafy dle obr. téměř nikdy neděláme inverzním napětí raději nešetříme.UAV 2,16A. Zjistíme parametr který tomuto zadání vyhovuje, tedy
f.
Dvoucestné zapojení dle obr.Uef 12,6V
Sada Uvef/Uef 0,48 …Uvef 0,48.3
Ve stejném zapojení jako příkladu č.
Sada UAV/Uef 0,62….
Napětí sekundáru určíme podmínky UAV/Uef 1,0 toho Uef AV/1,0 40V.
V obou případech použijeme diody závěrným napětím alespoň 2.Uef 85V. Tato úvaha neplatí pro speciální (Schottkyho) rychlé diody, kdy je
výběr namístě.
Sada Uvef /UAV 0,15 Uvef 0,15.C 50.
Pro n=1 obr.4
Srovnejte vlastnosti jednocestného dvoucestného usměrňovače C=1000µF, Uef 30V, RL
= 10Ω.UAV 6V.1 4000µF.20
Příklad č. Tedy Uvef
/UAV 1/40=0,025 parametr f. Uef 18,6V.10-2
.Rs= 5. Proud vinutím Ief/ IAV =1,21 Ief IAV ...2. můstku 5A.1,12 3,36A.
Parametr Rs.
Sada Ief /IAV= 1,72 …Ief 1,72.
Potřebujeme výstupní napětí UAV 40V, proud IAV zvlnění Uvef 5V.UAV 2,8V. Proud vinutím
bude /IAV 1,12 toho Ief IAV. Grätzova můstku krát více, tedy asi 4,7A.Rdt =2Ω.
.√2. Odhadneme Rdt při n=2 . 2.Rs.UAV= 0,62.
Příklad č.5.2. Ceny diod na
vyšší napětí jsou dnes velmi nízké.1,21 3,6A.C= 20.2.1 1000µF.2 potřebujeme snížit zvlnění hodnotu Uvef 1V.2. Zvolíme dvoucestné
zapojení můstkové dle obr.Rs.10-3
= 30.
Příklad č.2.7.
Ze sady odečteme Uvef UAV 0,123. Vnitřní odpor vstupní části odhadneme 1Ω.9. Jejich obliba dnes roste běžně používají televizorech osciloskopech pro
získání vysokého urychlujícího napětí pro obrazovku, diplejů kalkulaček pod.10-2
/
f.10-2
/50.Rs. toho potřebný kondensátor bude c=20.
2.10-2
.Paramter f.7.
Sada UAV/Uef=0,42 toho UAV 0,48
