Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 20 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
10-2 .1. 2.UAV 2,8V.C 50. Dvoucestné zapojení dle obr.Rdt =2Ω.2 potřebujeme snížit zvlnění hodnotu Uvef 1V. Proud vinutím Ief/ IAV =1,21 Ief IAV .Paramter f.10-2 a toho pro 50Hz určíme potřebnou kapacitu filtračního kondensátoru C=. Jejich obliba dnes roste běžně používají televizorech osciloskopech pro získání vysokého urychlujícího napětí pro obrazovku, diplejů kalkulaček pod. Musíme poněkud změnit napětí sekundáru UAV /Uef 1,1 toho Uef = UAV /1,1 36,4V. Zjistíme parametr který tomuto zadání vyhovuje, tedy f.Uef 85V.10-3 = 30.10-2 /50.8 2.UAV= 0,62. Sada Uvef /UAV 0,15 Uvef 0,15. Sada UAV/Uef 0,62…. Ceny diod na vyšší napětí jsou dnes velmi nízké. Nejběžnější jsou dva typy: Greinacherův zdvojovač napětí Delonův násobič obr. Napětí sekundáru určíme podmínky UAV/Uef 1,0 toho Uef AV/1,0 40V.C 5.7. Vnitřní odpor vstupní části odhadneme 1Ω. Tedy Uvef /UAV 1/40=0,025 parametr f.C= 20.UAV 2,16A. V obou případech použijeme diody závěrným napětím alespoň 2. . Tato úvaha neplatí pro speciální (Schottkyho) rychlé diody, kdy je výběr namístě.2.20 Příklad č.1,12 3,36A. Zatěžovací odpor bude UAV/IAV 13,3Ω nezávislá proměnná 1/13,3 7,5%.1.2.4 Srovnejte vlastnosti jednocestného dvoucestného usměrňovače C=1000µF, Uef 30V, RL = 10Ω. Odhadneme Rdt při n=2 . Proud vinutím bude /IAV 1,12 toho Ief IAV.Ief 1,8A.1,21 3,6A.9.Uef 12,6V Sada Uvef/Uef 0,48 …Uvef 0,48. Ze sady odečteme Uvef UAV 0,123. Pro n=1 obr. 2.1 1000µF.Rs = 20. téměř nikdy neděláme inverzním napětí raději nešetříme.10-2 .2.10-2 /50. toho potřebný kondensátor bude c=20.3 Ve stejném zapojení jako příkladu č. Představa, případě můstku stačí diody poloviční napětí platí jen případě pečlivého výběru diod zpětný proud..10-2 . Potřebujeme výstupní napětí UAV 40V, proud IAV zvlnění Uvef 5V.10-2 / f.5.UAV 6V. Zvolíme dvoucestné zapojení můstkové dle obr. Příklad č.2..10-3 = 25. Rs= poměr Rs/RL 60% . Sada Ief /IAV 0,96…. Příklad č.Rs= 5.2.Rs.7.5. Uef 18,6V.3 Násobiče napětí Jsou vlastně zvláštním způsobem zapojené usměrňovače sběrným kondensátorem, velmi často v principu jednocestné.6 poměr Rs/RL 50%.√2.10-2 /f.2 grafy dle obr. 50. Sada UAV/Uef=0,42 toho UAV 0,48. Sada Ief /IAV= 1,72 …Ief 1,72. Grätzova můstku krát více, tedy asi 4,7A.Rs. Parametr Rs.1 4000µF. můstku 5A.Rs