5.
Obrázek 5. Součástky největší teplotou jsou odpor členu diod (113 °C),
NTC termistor (90 °C), odpory startovacího obvodu (100 °C) sekci řídicí části také
MOSFET tranzistor Schottkyho diodou.
Z tohoto měření (prováděné při jmenovitém zatížení vyčkání cca 20-30 minut kvůli
tepelné časové konstantě celého zařízení) vyplývá, horní straně desky žádné
součástky nepřehřívají.11 Záběr termokamerou horní stranu DPS
. Díky tomu také méně namáhána. Výhodou poměrně přesné určení teploty zaměření nejteplejšího místa (hot
spot), což může odhalit potenciálně přehřívající součástky, špatný kontakt spojů aj.70
Na průběhu diody patrné kromě překmitu zpětné zotavení diody jejím náhlém
uzavření (zde, při jmenovitém zatížení) které tak indikuje, dioda stíhá plně zavřít
a měnič tak pracuje režimu přerušovaného toku. Velikost tvar chladičů bude ještě upravena, jak
z důvodu snížení jejich provozní teploty (snížení tepelného odporu chladiče) tak kvůli
mechanickým rozměrům možnosti implementace zařízení připraveného krytu.2. Teplota chladiče tranzistoru okolo °C,
teplota chladiče diody °C.
Součástky deska samotná), které během provozu byly nadměrně tepelně namáhané,
by mohly rychleji degradovat, což vzhledem projektované životnosti nárokům na
spolehlivost zařízení velmi nežádoucí.6 Měření termokamerou
Měřením pomocí kamery termovizí bylo ověřeno, jak nabíječka (měnič) tepelně
namáhaná
