10)
jsou detailněji zobrazeny průběhy napětí tranzistoru diodě během pracovní periody:
Obrázek 5. Napěťové
úrovně jednotlivých veličin odpovídají těm vypočteným.10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během
pracovní periody Schottkyho diodě při zatížení 0,5·Iz
. Zakmitání napětí při zhruba polovičním výkonu (obrázek 5.9 dole)
je způsobeno kmitáním parazitních kapacit (tranzistoru, transformátoru diody) hlavní
indukčností transformátoru, jelikož Schottkyho dioda zavřená obě vinutí
transformátoru jsou tak naprázdno. Více projeví právě menšího zatížení, jelikož
demagnetizační čas delší transformátor tak naprázdno delší dobu. Překmit diodě mnohem méně výrazný.69
Z obou průběhů obrázku 5.9 jsou patrné napěťové překmity tranzistoru přes
převod transformátoru diodě. zde vidět, jak jsou během pracovní periody překmity
postupně tlumeny. následujícím obrázku (5. zde také možno
pozorovat, jak řízení reagovalo při zvětšení odporu zátěže (pokles proudu, růst napětí)
snížením střídy PWM
