10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během
pracovní periody Schottkyho diodě při zatížení 0,5·Iz
. Zakmitání napětí při zhruba polovičním výkonu (obrázek 5. následujícím obrázku (5. zde vidět, jak jsou během pracovní periody překmity
postupně tlumeny.9 dole)
je způsobeno kmitáním parazitních kapacit (tranzistoru, transformátoru diody) hlavní
indukčností transformátoru, jelikož Schottkyho dioda zavřená obě vinutí
transformátoru jsou tak naprázdno.10)
jsou detailněji zobrazeny průběhy napětí tranzistoru diodě během pracovní periody:
Obrázek 5. Více projeví právě menšího zatížení, jelikož
demagnetizační čas delší transformátor tak naprázdno delší dobu.9 jsou patrné napěťové překmity tranzistoru přes
převod transformátoru diodě.69
Z obou průběhů obrázku 5. zde také možno
pozorovat, jak řízení reagovalo při zvětšení odporu zátěže (pokles proudu, růst napětí)
snížením střídy PWM. Překmit diodě mnohem méně výrazný. Napěťové
úrovně jednotlivých veličin odpovídají těm vypočteným
