10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během
pracovní periody Schottkyho diodě při zatížení 0,5·Iz
. Překmit diodě mnohem méně výrazný.69
Z obou průběhů obrázku 5. následujícím obrázku (5. Napěťové
úrovně jednotlivých veličin odpovídají těm vypočteným. Zakmitání napětí při zhruba polovičním výkonu (obrázek 5. zde také možno
pozorovat, jak řízení reagovalo při zvětšení odporu zátěže (pokles proudu, růst napětí)
snížením střídy PWM.9 dole)
je způsobeno kmitáním parazitních kapacit (tranzistoru, transformátoru diody) hlavní
indukčností transformátoru, jelikož Schottkyho dioda zavřená obě vinutí
transformátoru jsou tak naprázdno. Více projeví právě menšího zatížení, jelikož
demagnetizační čas delší transformátor tak naprázdno delší dobu. zde vidět, jak jsou během pracovní periody překmity
postupně tlumeny.9 jsou patrné napěťové překmity tranzistoru přes
převod transformátoru diodě.10)
jsou detailněji zobrazeny průběhy napětí tranzistoru diodě během pracovní periody:
Obrázek 5
