10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během
pracovní periody Schottkyho diodě při zatížení 0,5·Iz
. následujícím obrázku (5.9 dole)
je způsobeno kmitáním parazitních kapacit (tranzistoru, transformátoru diody) hlavní
indukčností transformátoru, jelikož Schottkyho dioda zavřená obě vinutí
transformátoru jsou tak naprázdno. Zakmitání napětí při zhruba polovičním výkonu (obrázek 5.10)
jsou detailněji zobrazeny průběhy napětí tranzistoru diodě během pracovní periody:
Obrázek 5.69
Z obou průběhů obrázku 5.9 jsou patrné napěťové překmity tranzistoru přes
převod transformátoru diodě. zde také možno
pozorovat, jak řízení reagovalo při zvětšení odporu zátěže (pokles proudu, růst napětí)
snížením střídy PWM. zde vidět, jak jsou během pracovní periody překmity
postupně tlumeny. Více projeví právě menšího zatížení, jelikož
demagnetizační čas delší transformátor tak naprázdno delší dobu. Překmit diodě mnohem méně výrazný. Napěťové
úrovně jednotlivých veličin odpovídají těm vypočteným
