𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ (𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻 𝑅𝐻) ∆𝑣,
𝑅𝐻 =
∆ϑ
𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ
− 𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻,
𝑅𝐻 =
58
4
− 0,5 10
𝐾
𝑊
(64)
Tepelný odpor chladiče diody tedy hodnotu K/W. (63)
Jelikož teplota čipu vychází přijatelně, můžeme určit tepelný odpor chladiče, což bude
hlavní kritérium pro jeho výběr.
Návrh chladiče spínacího MOSFET tranzistoru
Z datasheetu tranzistoru byly vyčteny veličiny potřebné pro nadimenzování
chladiče:
• tepelný odpor mezi vnitřkem součástky jejím krytem Rthj-c=3,6 K/W
• tepelný odpor mezi krytem součástky chladičem Rthc-h=0,5 K/W (uvažován
stejný jako diody stejné pouzdro)
• maximální teplota čipu =150 °C
. Zvolen byl chladič s
RH 4,4 K/W kvůli zohlednění parazitních vlastností obvodu, které mohly způsobit
zvýšení ztrátového výkonu.47
Teplený spád chladiče určíme rozdílu žádané maximální teploty chladiče teploty
okolí:
ϑ𝐻 (61)
Celkový tepelný spád bude:
∆ϑ ϑ𝑗−𝑐 ϑ𝑐−𝐻 (62)
a teplota čipu Schottkyho diody TSch potom:
𝑇𝑆𝑐ℎ 89,6 175 °𝐶. Upravená rovnice (64) vychází tepleného schématu na
obrázku 4.2
