2. Zvolen byl chladič s
RH 4,4 K/W kvůli zohlednění parazitních vlastností obvodu, které mohly způsobit
zvýšení ztrátového výkonu. Upravená rovnice (64) vychází tepleného schématu na
obrázku 4.47
Teplený spád chladiče určíme rozdílu žádané maximální teploty chladiče teploty
okolí:
ϑ𝐻 (61)
Celkový tepelný spád bude:
∆ϑ ϑ𝑗−𝑐 ϑ𝑐−𝐻 (62)
a teplota čipu Schottkyho diody TSch potom:
𝑇𝑆𝑐ℎ 89,6 175 °𝐶.
𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ (𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻 𝑅𝐻) ∆𝑣,
𝑅𝐻 =
∆ϑ
𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ
− 𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻,
𝑅𝐻 =
58
4
− 0,5 10
𝐾
𝑊
(64)
Tepelný odpor chladiče diody tedy hodnotu K/W.
Návrh chladiče spínacího MOSFET tranzistoru
Z datasheetu tranzistoru byly vyčteny veličiny potřebné pro nadimenzování
chladiče:
• tepelný odpor mezi vnitřkem součástky jejím krytem Rthj-c=3,6 K/W
• tepelný odpor mezi krytem součástky chladičem Rthc-h=0,5 K/W (uvažován
stejný jako diody stejné pouzdro)
• maximální teplota čipu =150 °C
. (63)
Jelikož teplota čipu vychází přijatelně, můžeme určit tepelný odpor chladiče, což bude
hlavní kritérium pro jeho výběr
