Nabíječka autobaterií

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Vydal: Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně

Strana 47 z 84

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
14 Tepelné schéma jedné součástky jednom chladiči Návrh chladiče Shottkyho diody Z datasheetu diody byly vyčteny veličiny potřebné pro nadimenzování chladiče: • tepelný odpor mezi vnitřkem součástky jejím krytem Rthj-c= K/W • tepelný odpor mezi pouzdrem součástky chladičem teplovodivou pastou) Rthc-h= 0,5 K/W • maximální teplota čipu =175 °C Nejdříve třeba zjistit, zda celková teplota čipu (T0+∆ϑ) vychází přijatelných mezích a hlavně nižší, než maximální teplota Tj. tohoto důvodu potřeba tyto dvě součástky osadit chladiči, které budou ztrátové teplo odvádět součástek okolí součástky tak chladit.7 Návrh chladiče tranzistoru Schottkyho diody Tranzistor Schottkyho dioda jsou nejvíce výkonově namáhanými prvky měniče (vzniká nich největší výkonová ztráta).6. Uvažovaná teplota okolí °C, žádaná maximální teplota chladiče °C. Každá součástka bude osazena svým vlastním chladičem.46 3. Vychází vypočtených ztrátových výkonů součástek Pztr,T Pztr,Sch. Obrázek 3. Vypočteme tepelné spády jednotlivých tepelných přechodech: ϑ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ (59) ϑ𝑐−ℎ 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻 𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ 0,5 (60) . tepelného schématu jedné součástky jednom chladiči [5]