6. Každá součástka bude osazena svým vlastním chladičem. tohoto důvodu potřeba tyto dvě součástky
osadit chladiči, které budou ztrátové teplo odvádět součástek okolí součástky tak
chladit.
Obrázek 3.46
3. Uvažovaná teplota okolí °C,
žádaná maximální teplota chladiče °C.7 Návrh chladiče tranzistoru Schottkyho diody
Tranzistor Schottkyho dioda jsou nejvíce výkonově namáhanými prvky měniče
(vzniká nich největší výkonová ztráta). tepelného
schématu jedné součástky jednom chladiči [5]. Vypočteme tepelné spády jednotlivých
tepelných přechodech:
ϑ𝑗−𝑐 𝑅𝑡ℎ𝑗−𝑐 𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ (59)
ϑ𝑐−ℎ 𝑅𝑡ℎ𝑐−𝐻 𝑃𝑧𝑡𝑟,𝑆𝑐ℎ 0,5 (60)
.
Vychází vypočtených ztrátových výkonů součástek Pztr,T Pztr,Sch.14 Tepelné schéma jedné součástky jednom chladiči
Návrh chladiče Shottkyho diody
Z datasheetu diody byly vyčteny veličiny potřebné pro nadimenzování chladiče:
• tepelný odpor mezi vnitřkem součástky jejím krytem Rthj-c= K/W
• tepelný odpor mezi pouzdrem součástky chladičem teplovodivou pastou)
Rthc-h= 0,5 K/W
• maximální teplota čipu =175 °C
Nejdříve třeba zjistit, zda celková teplota čipu (T0+∆ϑ) vychází přijatelných mezích
a hlavně nižší, než maximální teplota Tj
