|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
V úvodní kapitole společně projdeme cestou objevů, nápadů i omylů, které umožnily vývoj prostředků pro bezdrátovou komunikaci až do jejich současné podoby. Dříve, než se vydáme na procházku historií, definujme si cíl, ke kterému chceme dojít. Komunikace je obecně charakterizována výměnou informací mezi dvěma (nebo více) uživateli.
Strana 46 z 170
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
1 Oscil´atory
Spojen´ım aktivn´ıho prvku vhodn´e zpˇetn´e vazby moˇzn´e vytvoˇrit oscil´ator, kter´y bude
vytv´aˇret sign´al potˇrebn´y pro vys´ılaˇc, nebo pˇrij´ımaˇc.
Vyuˇzit´ım rezonanˇcn´ıho obvodu vznikne nejjednoduˇsˇs´ı oscil´ator podle konkr´etn´ıho ˇreˇsen´ı
schopn´y ˇcinnosti nejniˇzˇs´ıch kmitoˇct˚u aˇz jednotek GHz.Fakulta elektrotechniky komunikaˇcn´ıch technologi´ı VUT Brnˇe 45
4.
Tranzistorov´e zesilovaˇce potˇreba ˇreˇsit jak pohledu nastaven´ı stejnosmˇern´eho pracovn´ıho
bodu, tak hlediska pˇrizp˚usoben´ı vstupn´ı v´ystupn´ı impedanci tyto dva pˇr´ıstupy nav´ıc
vz´ajemnˇe ovlivˇnuj´ı. Vlastnosti zpˇetn´e vazby, kter´e pouˇz´ıv´a nˇekter´y selektivn´ı obvod z´asadnˇe definuj´ı
vlastnosti oscil´atoru. Dnes tento pˇr´ıstup nahrazov´an m´enˇe n´aroˇcn´ych
ˇreˇsen´ı jedno obvodov´ym ˇreˇsen´ım tak m˚uˇzeme obvodu kromˇe zmiˇnovan´eho Bluetooth transcie-
veru nal´ezt mikroprocesor zpracov´avaj´ıc´ı pˇrijat´a, ˇci odes´ılan´a data, kter´y z´aroveˇn komunikuje
napˇr´ıklad pˇres USB sbˇernici okol´ım.5 vidˇet vlevo SMT bezv´yvodov´e pouzdro rozmˇerech vpravo
pouzdro v´ykonov´eho tranzistoru velikosti nˇekolika cm. pro Bluetooth technologii,
pro ISM p´asma podobnˇe. obr.
Nahrazen´ım pevn´eho kondenz´atoru kapacitn´ı diodou, tedy varikapem, ˇci varaktorem lze
snadno oscil´ator elektricky pˇrelad’ovat, coˇz pouˇz´ıv´a v´ıce ´uˇcel˚um. Povolen´y ztr´atov´y v´ykon prvn´ıho je
80 mW, druh´eho v´ıce jak 400 W.
Velikost integrace jednoduˇsˇs´ıch obvod˚u tranzistor˚u d´ana pˇrev´aˇznˇe poˇzadavky chlazen´ı,
to znamen´a. ˇze pouˇzit´e pouzdro mus´ı b´yt schopno odv´ezt vytv´aˇren´y ztr´atov´y v´ykon formˇe
tepla.
Sledov´an´ı linearity zesilovaˇc˚u d˚uleˇzit´e dvou pohled˚u, neline´arn´ı obvody vytv´aˇrej´ı har-
monick´e produkty-n´asobky vstupn´ıch sign´al˚u jejich kombinace, takˇze pouˇzit´ım neline´arn´ıho
zesilovaˇce v´ystupu zaˇr´ızen´ı produkujeme sign´aly kmitoˇctech mimo uˇziteˇcn´e p´asmo.
Pouˇzit´ım ˇsirokop´asmov´ych monolitick´ych zesilovaˇc˚u moˇzn´e n´avrh zjednoduˇsit, protoˇze
ty jsou vˇetˇsinou jiˇz vnitˇrnˇe pˇrizp˚usoben´e impedanci jejich zp˚usob nap´ajen´ı pevnˇe
d´an. Zesilovaˇce jsou dostupn´e
od n´ızk´ych kmitoˇct˚u cca GHz. Oscil´ator mus´ı splˇnovat dvˇe oscilaˇcn´ı
podm´ınky. 4. 4.
Obr.
4. d˚uvod˚u ruˇsen´ı dˇr´ıvˇejˇs´ı dobˇe oddˇelovalo zpracov´an´ı sign´al˚u analo-
gov´e digit´aln´ı samostatn´ych obvod˚u. Pˇri dneˇsn´ım vysok´em stupni integrace lze samozˇrejmˇe naj´ıt spoustu specifick´ych monoli-
tick´ych integrovan´ych obvod˚u pracuj´ıc´ıch jako cel´e transcievery, napˇr.
.4 Aktivn´ı obvody
Jako aktivn´ı obvody pouˇz´ıvaj´ı diskr´etn´ı tranzistory, pˇr´ıpadnˇe integrovan´e v´ıcestupˇnov´e zesi-
lovaˇce. druh´e
strany pouˇzit´ım neline´arn´ıho zpracov´an´ı sign´alu pˇri pˇr´ıjmu m˚uˇze nˇekter´ych modulac´ı snadno
naruˇsit pˇren´aˇsenou informaci, plat´ı pro vˇsechny modulace, kter´e pouˇz´ıvaj´ı zmˇenu amplitudy. Samotn´y oscil´ator vˇsak nen´ı
dostateˇcnˇe stabiln´ı aby mohl b´yt pˇr´ımo pouˇzit bˇeˇzn´e radiokomunikaˇcn´ı technice.4.5: Pˇr´ıklad pouzder tranzistor˚u TSLP-3-9 H-30260-2. Zaplat´ıme vˇsak vyˇsˇs´ım nap´ajec´ım napˇet´ım vyˇsˇs´ı spotˇrebou.
Pˇri pouˇzit´ı zesilovaˇce pˇrij´ımaˇci jako vstupn´ıho potˇreba sledovat tak´e ˇsumov´e ˇc´ıslo,
protoˇze prvn´ı stupeˇn m´a celkov´e vlastnosti pˇrij´ımaˇce nejvˇetˇs´ı vliv. Prim´arnˇe moˇzn´e os-
cil´ator plynule pˇrelad’ovat ˇsirok´em rozsahu kmitoˇct˚u, t´ım myˇslena ˇs´ıˇrka p´asma aˇz %
