Důležité vlastnosti kovů používaných v elektrotechnice
Měrný elektrický odpor (rezistivita)
Teplotní součinitel odporu
Supravodivost a hypervodivost
Hustota
Nejmenší má lithium, největší osmium
Teplota tání
Součinitel tepelné vodivosti
Největší mají čisté kovy
Rozdělení kovů podle teploty tání:
1. kovy s nízkou teplotou tání
2. kovy se střední teplotou tání
3. těžkotavitelné kovy
1. Základní elektrovodné materiály
Požadují se co nejmenší ztráty, tj. co nejmenší el. odpor.
Elektrický odpor závisí na rozměrech a na teplotě vodiče. Rezistivita elektrovodných
materiálů má hodnotu v rozmezí
ρ = 10-2
až 10-1
µ m
teplotní činitel u většiny čistých kovů je
αR = 4
uvedeného plyne, že
rozhodujícím parametrem determinujícím vlnovou délku emitovaného záření (vzhledem
k tomu, aktivační energie dopantů jsou velmi malé (∆ED,A 0.52
hovoříme koherentním záření, popř. He), aby byl potlačen jejich termický šum
vznikající tepelnou aktivací příměsí.
Použití vlnových délek daleké infračervené oblasti vynucuje chlazení optoelektrických
detektorů teplotu kapalného dusíku (popř.
Pracovní vlnová délka generátorů záření
Vlnová délka generovaného záření závisí typu rekombinačního procesu orientačně lze
stanovit pomocí upraveného vztahu
λ =
rE
24,1
(µm, eV) (3)
kde energie, charakterizující typ rekombinačního procesu.
Injekční polovodičový laser
Předností polovodičových laser před plynovými nebo pevnolátkovými lasery jsou jejich malé
rozměry, vysoká účinnost, nižší napájecí napětí, snazší řízení vlnové délky emitovaného
záření, dobrá slučitelnost dalšími součástmi optoelektronického řetězce nižší cena.05 eV), šířka
zakázaného pásu polovodiče Eg.
. zdroji koherentního záření.
Generátory záření využívající injekční luminiscence
Základními představiteli těchto zdrojů záření jsou světloemitující diody (LED Light
Emitting Diodes) jako zdroje nekoherentního záření dále polovodičové lasery jako zdroje
koherentního záření. Nejčastěji používají polovodiče typu AIII
BV
a jejich
ternárních tuhé roztoky souvislosti jejich šířkou zakázaného pásu, mezní vlnovou délkou,
mřížkovaným parametrem pohyblivostí volných elektronů.
Z hlediska optimálního přenosu optického výkonu nutné přizpůsobení spektrálních
charakteristik generátoru detektoru záření vlnové délce, kde přenosové prostředí
(světlovod) minimální útlum. Rychlost šíření světelného
záření reálném optickém prostředí dána vztahem
vo =
n
c
(1)
přičemž
n (2)
kde permitivita prostředí permeabilita prostředí.
Vlnová délka záření pro optoelektronické komunikace spadá intervalu 800 1600 nm. Aplikace ultrafialového záření omezena zvýšenými
ztrátami optických přenosových prostředích nedostatkem vhodných detektorů záření.01 0. Generované záření vzniká oblasti přechodu při rekombinaci
nerovnovážných nosičů náboje vstřikovaných (injektovaných) přechodem pólovaným
v propustném směru. Jak již vyplývá jejich názvu, obě tyto součástky využívají při své
funkci přechodu PN
