Důležité vlastnosti kovů používaných v elektrotechnice
Měrný elektrický odpor (rezistivita)
Teplotní součinitel odporu
Supravodivost a hypervodivost
Hustota
Nejmenší má lithium, největší osmium
Teplota tání
Součinitel tepelné vodivosti
Největší mají čisté kovy
Rozdělení kovů podle teploty tání:
1. kovy s nízkou teplotou tání
2. kovy se střední teplotou tání
3. těžkotavitelné kovy
1. Základní elektrovodné materiály
Požadují se co nejmenší ztráty, tj. co nejmenší el. odpor.
Elektrický odpor závisí na rozměrech a na teplotě vodiče. Rezistivita elektrovodných
materiálů má hodnotu v rozmezí
ρ = 10-2
až 10-1
µ m
teplotní činitel u většiny čistých kovů je
αR = 4
Pracovní vlnová délka generátorů záření
Vlnová délka generovaného záření závisí typu rekombinačního procesu orientačně lze
stanovit pomocí upraveného vztahu
λ =
rE
24,1
(µm, eV) (3)
kde energie, charakterizující typ rekombinačního procesu.52
hovoříme koherentním záření, popř. Nejčastěji používají polovodiče typu AIII
BV
a jejich
ternárních tuhé roztoky souvislosti jejich šířkou zakázaného pásu, mezní vlnovou délkou,
mřížkovaným parametrem pohyblivostí volných elektronů. uvedeného plyne, že
rozhodujícím parametrem determinujícím vlnovou délku emitovaného záření (vzhledem
k tomu, aktivační energie dopantů jsou velmi malé (∆ED,A 0. Jak již vyplývá jejich názvu, obě tyto součástky využívají při své
funkci přechodu PN.
.01 0. Rychlost šíření světelného
záření reálném optickém prostředí dána vztahem
vo =
n
c
(1)
přičemž
n (2)
kde permitivita prostředí permeabilita prostředí.
Injekční polovodičový laser
Předností polovodičových laser před plynovými nebo pevnolátkovými lasery jsou jejich malé
rozměry, vysoká účinnost, nižší napájecí napětí, snazší řízení vlnové délky emitovaného
záření, dobrá slučitelnost dalšími součástmi optoelektronického řetězce nižší cena.
Z hlediska optimálního přenosu optického výkonu nutné přizpůsobení spektrálních
charakteristik generátoru detektoru záření vlnové délce, kde přenosové prostředí
(světlovod) minimální útlum. He), aby byl potlačen jejich termický šum
vznikající tepelnou aktivací příměsí. Aplikace ultrafialového záření omezena zvýšenými
ztrátami optických přenosových prostředích nedostatkem vhodných detektorů záření.
Vlnová délka záření pro optoelektronické komunikace spadá intervalu 800 1600 nm. Generované záření vzniká oblasti přechodu při rekombinaci
nerovnovážných nosičů náboje vstřikovaných (injektovaných) přechodem pólovaným
v propustném směru. zdroji koherentního záření.
Použití vlnových délek daleké infračervené oblasti vynucuje chlazení optoelektrických
detektorů teplotu kapalného dusíku (popř.05 eV), šířka
zakázaného pásu polovodiče Eg.
Generátory záření využívající injekční luminiscence
Základními představiteli těchto zdrojů záření jsou světloemitující diody (LED Light
Emitting Diodes) jako zdroje nekoherentního záření dále polovodičové lasery jako zdroje
koherentního záření
