Malá testovací teplotní komora

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Tato práce je zaměřena na metodiku stanovení parametrů Peltierových baterií a na teorii konstrukce chladícího bloku na základě získaných parametrů. Získaných informací je pak v práci využito k návrhu a konstrukci malé testovací komory pro laboratorní účely.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Radek Lust

Strana 27 z 61

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Celý můstek navržen tak, aby bylo možné ovládat polaritu pouze jedním signálem pomocí pěti voltové logiky, zatímco druhý signál zdrojem PWM-signálu.1. 4.2 H-můstek Dalším krokem byl návrh PWM řiditelného H-můstku, jehož základ tvoří dva výkonové tranzistory N-MOS dva tranzistory P-MOS. Obr. Užití tranzistorů N-MOS vyžádalo připojení budiče ten neumožňuje trvalé sepnutí.1: PWM regulátor Kompletní schéma celého modulu včetně předlohy DPS, rozměrech 40×45 mm, jsou k nahlédnutí příloze C.27 4.1. Ke konstrukci bylo využito výkonového N-MOS tranzistoru, buzeného pomocí bipolárního emitorového sledovače. Přičemž části vyznačené obvodu červeně zajišťují doplňkovou ochranu před „zkratováním“ můstku části označené modře představují funkce AND umožňující využít PWM.2 znázorněno kompletní zapojení H-můstku včetně obslužných tranzistorů. .1 PWM spínač Jako první byl, pro svoji jednoduchost, navržen PWM spínač pro dvě baterie výkonu 90W. Důvodem, proč byly použity tranzistory P-MOS, je potřeba udržet můstek trvale otevřený. Tato konstrukce však neosvědčila, neboť rozpínáním země docházelo spínání nadřazených N-MOS tranzistorů H-můstku neznámých příčin k napěťovým průrazům těchto tranzistorů. 4. Výhodou této konstrukce především odolnost vůči chybám řízení vylučuje se tak možnost „zkratování“ můstku. Na následujícím obrázku Obr. Zenerova dioda pak zajištuje snížení řídícího napětí pro unipolární tranzistory, pro zvýšení bezpečnosti byla ještě přidána Zenerova dioda D1, jejímž účelem je ochrana unipolárního tranzistoru pro případ výskytu napěťové špičky napájení. ohledem tyto komplikace bylo navrženo nové zapojení, které vyžaduje mnohem více obslužných tranzistorů, ale podstatnou měrou zvyšuje spolehlivost celkové konstrukce. Nejprve byla navrhována konstrukce založená pěti unipolárních výkonových tranzistorech, kde čtyři tranzistory tvořily jádro H-můstku, přičemž pátý byl řízený signálem PWM přerušoval silovou zem. 4