|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Tato práce je zaměřena na metodiku stanovení parametrů Peltierových baterií a na teorii konstrukce chladícího bloku na základě získaných parametrů. Získaných informací je pak v práci využito k návrhu a konstrukci malé testovací komory pro laboratorní účely.
27
4. Zenerova dioda pak zajištuje snížení řídícího napětí pro unipolární
tranzistory, pro zvýšení bezpečnosti byla ještě přidána Zenerova dioda D1, jejímž účelem je
ochrana unipolárního tranzistoru pro případ výskytu napěťové špičky napájení.
Na následujícím obrázku Obr.1 PWM spínač
Jako první byl, pro svoji jednoduchost, navržen PWM spínač pro dvě baterie výkonu 90W. ohledem tyto komplikace bylo navrženo nové
zapojení, které vyžaduje mnohem více obslužných tranzistorů, ale podstatnou měrou zvyšuje
spolehlivost celkové konstrukce. Užití tranzistorů N-MOS vyžádalo připojení
budiče ten neumožňuje trvalé sepnutí.1: PWM regulátor
Kompletní schéma celého modulu včetně předlohy DPS, rozměrech 40×45 mm, jsou k
nahlédnutí příloze C. Výhodou této konstrukce především odolnost vůči chybám řízení vylučuje
se tak možnost „zkratování“ můstku. Přičemž části vyznačené obvodu červeně zajišťují doplňkovou
ochranu před „zkratováním“ můstku části označené modře představují funkce AND
umožňující využít PWM. Důvodem, proč byly použity tranzistory P-MOS,
je potřeba udržet můstek trvale otevřený. Tato konstrukce však neosvědčila, neboť rozpínáním země
docházelo spínání nadřazených N-MOS tranzistorů H-můstku neznámých příčin
k napěťovým průrazům těchto tranzistorů. Celý můstek navržen tak, aby bylo možné ovládat
polaritu pouze jedním signálem pomocí pěti voltové logiky, zatímco druhý signál zdrojem
PWM-signálu. 4.2 H-můstek
Dalším krokem byl návrh PWM řiditelného H-můstku, jehož základ tvoří dva výkonové
tranzistory N-MOS dva tranzistory P-MOS.1.
.
4. Ke
konstrukci bylo využito výkonového N-MOS tranzistoru, buzeného pomocí bipolárního
emitorového sledovače. 4.
Obr.
Nejprve byla navrhována konstrukce založená pěti unipolárních výkonových
tranzistorech, kde čtyři tranzistory tvořily jádro H-můstku, přičemž pátý byl řízený signálem
PWM přerušoval silovou zem.1.2 znázorněno kompletní zapojení H-můstku včetně
obslužných tranzistorů
