Kniha sa zaoberá jedným z kľúčových problémov súčasnosti — zdrojmi energie a ich premenami. Po úvodnej kapitole, ktorá stručne hodnotí význam energie pre potreby ľudstva, nasledujú tri ťažiskové kapitoly, v ktorých autori podrobne opisujú jednotlivé energetické zdroje (kap.2), perspektívne technológie premeny energie (kap.3) a akumulátory energie (kap.4). V poslednej, piatej kapitole knihy je rozpracovaná jedna z najaktuálnejších tém súčasnosti, ekologické problémy pri získavaní energie. Kniha je určená v prvom rade širokému okruhu elektrotechnikov, inžinierom, študentom vysokých a stredných odborných škôl, ktorí sa špecializujú na problematiku rôznych druhov energetických zdrojov a premien energie. Zaujme však aj širokú čitateľskú verejnosť, ktorá sa chce komplexne oboznámiť v súčasnosti s tak veľmi aktuálnou oblasťou.
Obyčajne však používa kruhová
alebo polkruhová forma, aby zabránilo stratám drahého materiálu. kozmickom programe náklady nema
jú takú dôležitú úlohu ako iné faktory, napr. pásiková metóda), ktoré lacnejšie
a dajú sčasti automatizovať.
Kadmiumsulfidové fotovoltické články nenašli zatiaľ uplatnenie
v kozmickom programe.
Články CdS majú degradačné vlastnosti, často správajú neočaká
vane, technológia ich výroby nie dostatočne zvládnutá. Hrúbka kremíkového článku býva asi 0,3 mm. Napätie naprázdno závisí intenzity ožiarenia loga
ritmickou závislosťou.
Technológiu výroby kremíkového monokryštalického článku môže
me zhruba opísať takto:
Základným materiálom metalurgicky čistý (čistota kremík,
ktorý najskôr mnohonásobne očisťuje, aby sme dostali polykryštalic-
ký kremík, zodpovedajúci požiadavkám kladeným polovodiče (čis
tota 99,999 %).
Na hotový polovodič nanesú kovové kontakty antireflexná
vrstva, čím fotovoltický článok pripravený použitie. Spôsobila najmä menšia účinnosť ako pri
monokryštalických kremíkových článkoch menšia odolnosť proti
vysokoenergetickému žiareniu.cm.
Voltampérová charakteristika kremíkového článku znázornená
na obr.
Uvedenými technológiami dotujeme platničky typ alebo po
dobne vytvoríme celý priechod PN. Pre 1353 pri teplote prúd nakrátko asi
135 185 mA. spoľahlivosť systému. Okrem tejto technológie prepraco
vané technológie prípravy monokryštalického článku gáliumarze-
nidu článkov báze polykryštalického CdS.
Uvedená technológia výroby veľmi náročná drahá. Pre uvedenú intenzitu ožiarenia teplotu je
U0 550 580 mV. Existujú aj
jednoduchšie technológie (napr. platničky vyreže požado
vaná forma fotovoltického článku. Prúd nakrátko lineárne závisí intenzity ožiarenia
článku.52. materiáli
220
. Pre väčšie pane
ly, kde nehrozí prelomenie článku, robia fotovoltické kremíkové
články hrúbkou asi 0,125 mm. Podľa Czochralského metódy vyrobí polykryštalic-
kého materiálu monokryštál valcovej formy priemerom asi 150 mm. 3.
Z monokryštálu narežú platničky hrubé asi 300 nm, pričom stratí
asi monokryštalického materiálu
