Anoda elektronky vždy kladná, kolektor tranzistoru však
je kladný typu n—p—n záporný typu p—n—p.
Teorie tranzistorů teprve rozvíjí dobře vycházet vztahů pojmů
propracovaných dokonale teorii elektronek. původní Bohrova představa, elektron obíhá kolem pro
tonu, tím vznikl atom vodíku, vedla předpovědi, elektron mohl
také obíhat kolem své antičástice, pozitronu čili kladného elektronu.
53
. Výstupní výkon roven sou
činu zatěžovacího odporu dvojmoci výstupního proudu. Je-li zatěžovací
odpor dost veliký, zesílí výkon, tranzistoru může použít jako zesilovače,
oscilátoru aj. Vstupní výkon dán sou
činem vstupního odporu dvojmoci proudu. při práci
nesmí teplota okolí tranzistoru germania stoupnout nad °C. Je-li však emitor typu jsou napětí proudy opačné než
u elektronek. Např. Výroba plošných tranzistorů rychle roste, výroba elektronek
klesá. Po
užití tranzistorů poznáme pozdějších oddílech radiotechnice. Jsou
zpravidla citlivé přetížení výkonem, krátké přetížení skoro vždy zničí. mnohem menší než výstupní. Taková analogie usnadní vý
klad pochopení. Porovnání plošného tranzistoru n-p-n triodou. p—n—p—n—p.
Tranzistor řídí proudem vstupní elektrody jeho vstupní odpor je
v zapojení obr. Ostatně analogií dojdeme fyzice často překvapujícím
závěrům. Tranzistory umožní četná zapojení elektronek nemožná, nepotřebují
žhavení vakuum, jsou maličké. Tím
skutečně vzniká atom pozitronu elektronu, který byl nedávno dokázán
i pokusně dostal název pozitronium.žhaven), kolektor (obdoba anody, přípustný výkon záleží jeho rozměrech
a chlazení) bázi (obdoba mřížky, název vznikl pro staré hrotové tran
zistory). tranzistor nehledíme jako ná
hražku elektronky, nýbrž jako nový, samostatný obvodový prvek.
Reagují citlivě teplotu při pájení), zahřátím ničí.
Vedle velikých výhod mají tranzistory zatím některé vážné vady. Životnost
tranzistoru není omezena jako životnost elektronek, proto montují do
přístrojů trvale, pájením, kdežto elektronky montujeme vyměnitelně. 36.
Obr.
Je-li emitor typu jsou proti němu kolektor báze kladné, jako tomu
je elektronce. Kombinované tranzistory mají větší počet
vrstev (zón), např. Např
