Výroba plošných tranzistorů rychle roste, výroba elektronek
klesá. Ostatně analogií dojdeme fyzice často překvapujícím
závěrům. Taková analogie usnadní vý
klad pochopení. Vstupní výkon dán sou
činem vstupního odporu dvojmoci proudu.žhaven), kolektor (obdoba anody, přípustný výkon záleží jeho rozměrech
a chlazení) bázi (obdoba mřížky, název vznikl pro staré hrotové tran
zistory). Anoda elektronky vždy kladná, kolektor tranzistoru však
je kladný typu n—p—n záporný typu p—n—p. Je-li zatěžovací
odpor dost veliký, zesílí výkon, tranzistoru může použít jako zesilovače,
oscilátoru aj.
Teorie tranzistorů teprve rozvíjí dobře vycházet vztahů pojmů
propracovaných dokonale teorii elektronek.
Reagují citlivě teplotu při pájení), zahřátím ničí. Tranzistory umožní četná zapojení elektronek nemožná, nepotřebují
žhavení vakuum, jsou maličké.
Je-li emitor typu jsou proti němu kolektor báze kladné, jako tomu
je elektronce. Životnost
tranzistoru není omezena jako životnost elektronek, proto montují do
přístrojů trvale, pájením, kdežto elektronky montujeme vyměnitelně. Např. Tím
skutečně vzniká atom pozitronu elektronu, který byl nedávno dokázán
i pokusně dostal název pozitronium.
Vedle velikých výhod mají tranzistory zatím některé vážné vady.
Tranzistor řídí proudem vstupní elektrody jeho vstupní odpor je
v zapojení obr. Porovnání plošného tranzistoru n-p-n triodou. mnohem menší než výstupní. p—n—p—n—p. Výstupní výkon roven sou
činu zatěžovacího odporu dvojmoci výstupního proudu. tranzistor nehledíme jako ná
hražku elektronky, nýbrž jako nový, samostatný obvodový prvek. Po
užití tranzistorů poznáme pozdějších oddílech radiotechnice. 36.
53
. Jsou
zpravidla citlivé přetížení výkonem, krátké přetížení skoro vždy zničí. původní Bohrova představa, elektron obíhá kolem pro
tonu, tím vznikl atom vodíku, vedla předpovědi, elektron mohl
také obíhat kolem své antičástice, pozitronu čili kladného elektronu. Např. Kombinované tranzistory mají větší počet
vrstev (zón), např. Je-li však emitor typu jsou napětí proudy opačné než
u elektronek.
Obr. při práci
nesmí teplota okolí tranzistoru germania stoupnout nad °C
