Vyrábějí pro odpory 500 do
200 000 ohmů. 33). 31),
v radiotechnice germaniových křemíkových detektorů (obr. rozmezí 1000 ohmů čili kle
sající teplotou roste jejich odpor. Příměsi velmi značně snižují odpor jednoduchého polovodiče. směsi kysličníku niklu manganu mě
děným prachem. Selénofor. 1OOOkrát větší průtok elektřiny než opačným směrem. ohřevem 900 může termistor
zvýšit odpor 100 OOOkrát.
Polovodičová dioda.
Např. jednoho vedeme stálé napětí přes odpor li, druhého vedeme
střídavé napětí, jehož okamžitá hodnota Výsledné pole součtem
konstantního pole vzniklého stálým napětím mezi střídavého
51
. Mají tvar krátkých drátků nebo plochých destiček mezi
e
Bi-Cd’5/r~í ,^2^2
- Fe. Dva wolframové drátky dotýkají krystalu germania
(obr.
Tranzistor.
dvěma plíšky postříbřenými místech, kde připájejífspoje, nebo tvar
perliček tenkostěnné skleněné trubce. krystalu polovodiče umožní elektrické pole jedním
směrem např. Např.
Termistory vyrábějí např. Polovodič záporný teplotní součinitel
a (viz výklad odd.
Termistorů používá citlivé rychle registrující teploměry, měření
teplot rozsahu —100 +120 °C, přístrojů regulaci teplot, regu
laci napětí, analyzátorech plynů, měřidel rychlosti proudění plynů a
kapalin, ovládání četných přístrojů, jako wattmetrů vlnovodech tech
nice ultrafrekvenci, registraci změn teplot betonových přehradách, jako
ochrany elektronek před proudovými nárazy při zapínání aj. 32), které
nahradí elektronku diodu. rostoucí teplotou prudce
nelineárně klesá jejich odpor např. Obr. 30. 18). 30), selénoferů (obr. Tato vlastnost zvlášť vyniká některých, kysličníků
kovů vyrobených redukcí prášku spékaných, takže mají vzhled keramic
kých látek, jimž říkáme termistory nebo kanegy. vodivost křemíku zdokonalením výroby klesla 105 byla by
10“4, kdyby byl křemík naprosto čistý. Prak
ticky znamená, proud prochází polovodičem jen jedním směrem. 31. Toho
se využívá průmyslu usměrňovačů (obr.Ni
Obr.Termistor čili kanega (CTN). Usměrňovač. složeného polovodiče, kysličníku
Cu2O, nepůsobí příměsi, ale nadbytek metaloidů nebo kovu vlivem nečistot
krystalů
