Elektronika V1 1.semestr

| Kategorie: Skripta | Tento dokument chci!

Strana 60 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

) závislost odporu fotorezistoru osvětlení spektrální citlivost závisí šířce zakázaného pásu použitého polovodiče absorpčním mechanismu .3.60 2. princip založen vnitřním fotoelektrickém jevu (pohlcováním fotonů uvolňují volné nosiče náboje působením optického záření zvětšuje jejich vodivost) vyrábějí polykrystalických materiálů typu AII BIV (PbS, CdS, ….2 Polykrystalické součástky pro detekci optického záření fotorezistory