ZPRAVODAJSTVÍ
TELEVIZE
DISKUSE
DOKUMENTY
O NÁS
KONTAKTY
Vyhledat
Pouze v této knize
Přihlásit se
Přehled podle firmy
Přehled podle obsahu
Elektronika V1 1.semestr
| Kategorie:
Skripta
|
Tento dokument chci!
Strana
60
z 75
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Více info o tomto dokumentu zde!
»
« Předchozí
Další »
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
60 2.) závislost odporu fotorezistoru osvětlení spektrální citlivost závisí šířce zakázaného pásu použitého polovodiče absorpčním mechanismu .3. princip založen vnitřním fotoelektrickém jevu (pohlcováním fotonů uvolňují volné nosiče náboje působením optického záření zvětšuje jejich vodivost) vyrábějí polykrystalických materiálů typu AII BIV (PbS, CdS, ….2 Polykrystalické součástky pro detekci optického záření fotorezistory