59
vyrábějí z
o monokrystalického (účinnost konverze sluneční energie
na elektrickou 15-18%)
o polykrystalického (10%)
o amorfního (6-7%), nejlevnější
Fototranzistor
optoelektronický detekční prvek, něhož proud vzniklý
v důsledku absorpce dopadajícího záření zesílen tranzistorovým
jevem
maximum světelného záření absorbováno oblasti báze (není
vyvedena)
dopadající záření vytváří páry elektron-díra
o elektrony pohybují směrem kolektorovému přechodu
o díry procházejí závěrně polarizovaným přechodem vytvářejí
fotoelektrický proud
emitor musí být nejtenčí (aby většina záření dostala báze)
VA charakteristiky obdobné jako bipolárního tranzistoru
(parametrem zářivý tok)
spektrální charakteristika obdobná jako fotodiody (citlivost o
1 řády vyšší)
menší rychlost (doba odezvy 10µs)
Fototyristor
čtyřvrstvá polovodičová struktura PNPN, která sepnutého
stavu uvádí optickým zářením
nadbytečné nosiče náboje potřebné jeho sepnutí vytvářejí
absorpcí fotonů
maximum světelného záření absorbováno oblasti závěrně
polarizovaného přechodu
rychlost sepnutí výrazně závisí velikosti dopadajícího zářivého
toku
