35
Činnost tranzistoru MOSFET indukovaným kanálem
napětí uDS napětí uGS 0
o odpor mezi velmi vysoký proud tranzistorem je
téměř nulový
napětí uGS přiložíme tak, hradlo vyšším potenciálu než
source S
o izolační vrstvě pod hradlem vytvoří elektrostatické
pole
o jeho siločáry směřují hradla povrchu polovodiče ⇒
díry jsou odpuzovány polovodiče, elektrony jsou
k povrchu přitahovány výrazné zvýšení koncentrace
elektronů pod hradlem inverze populace (typ vodivosti
se mění zmizí přechod elektrod D
⇒ vytvoří vodivé spojení S-D kanál konstantního
průřezu
přiložíme napětí uGS
o kanálem bude protékat proud iD
o vlivem odporu kanálu napětí mezi kanálem hradlem uG
zmenšuje kanál zužuje (viz průběh charakteristik)
