34
2. vrstva SiO2) tloušťce 0,05 0,2µm
elektroda (gate) dobře vodivého materiálu (hliník,
polykrystalický křemík) tloušťce několika desítek µm
rozdělení tranzistorů MOSFET
o MOSFET indukovaným kanálem
o MOSFET vodivým kanálem
.6 Součástky povrchovými jevy.1.
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)
o MISFET (Metal Insulator Semiconductor FET)
o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) jako
izolační vrstva použit oxid křemíku (SiO2)
Struktura MIS
polovodivá podložka (křemíková destička tloušťce 300 až
500 µm)
vrstva dielektrika (např.
Tranzistory izolovaným hradlem
