Elektronika V1 1.semestr

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 34 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
34 2.1. Tranzistory izolovaným hradlem. vrstva SiO2) tloušťce 0,05 0,2µm elektroda (gate) dobře vodivého materiálu (hliník, polykrystalický křemík) tloušťce několika desítek µm rozdělení tranzistorů MOSFET o MOSFET indukovaným kanálem o MOSFET vodivým kanálem . IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) o MISFET (Metal Insulator Semiconductor FET) o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) jako izolační vrstva použit oxid křemíku (SiO2) Struktura MIS polovodivá podložka (křemíková destička tloušťce 300 až 500 µm) vrstva dielektrika (např.6 Součástky povrchovými jevy