1.
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)
o MISFET (Metal Insulator Semiconductor FET)
o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) jako
izolační vrstva použit oxid křemíku (SiO2)
Struktura MIS
polovodivá podložka (křemíková destička tloušťce 300 až
500 µm)
vrstva dielektrika (např.6 Součástky povrchovými jevy.
Tranzistory izolovaným hradlem.34
2. vrstva SiO2) tloušťce 0,05 0,2µm
elektroda (gate) dobře vodivého materiálu (hliník,
polykrystalický křemík) tloušťce několika desítek µm
rozdělení tranzistorů MOSFET
o MOSFET indukovaným kanálem
o MOSFET vodivým kanálem
