Elektromagnetismus

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Cílem předmětu je seznámení se základními pojmy teorie elektromagnetického pole. Po prostudování modulu by měl student být schopen orientovat se v základní terminologii elektrotechniky, řešit elementární úlohy z elektro/magnetostatického pole, stacionárního a kvazistacionárního pole a měl by znát základní principy šíření elektromagnetických vln.

Vydal: VŠB – Technická univerzita Ostrava Autor: Lubomír Ivánek

Strana 71 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
29) obr. skupiny Al,Ga,In) čistému germaniu nebo křemíku ze IV.19 . Jestliţe krystalu nepůsobí el.Vliv prostředí elektromagnetické pole 61 Pro technickou praxi však důleţitější tzv. skupina P,As,Sb) nebo akceptoru (prvky III. Podobně jako molekuly plynů, mají tyto částice tendenci rozptýlit rovnoměrně celém prostoru krystalu prostřednictvím difuzního proudu. 2. Kmitání způsobuje nejen příleţitostné vytrţení valenčních elektronů jejich vazeb, ale také neuspořádaný, chaotický pohyb volných elektronů děr). Podle Ohmova zákona diferenciálním tvaru úměrný této intenzitě tedy gradientu potenciálu.19 krystal polovodiče, rozdělený souřadnici dělící stěnou na dva díly. Tento jev mimořádný význam rozhraní spojených polovodičů kde vzniká difuzní napětí. Atom donoru zasazený krystalové mříţe nebo valenčním pásmu pět elektronů. Tím díra přemísťuje, vzniká vodivost typu Elektrony díry vzniklé dotováním nazýváme majoritními náboji. Difuzní konstanty jsou pro díry elektrony různé. Opačně, je-li čisté nebo dotováno akceptorem, vzniká defekt elektronu (díra) valenční vazbě přimíseného atomu, který můţe být nahrazen jiným elektronem.28) Znaménko mínus říká, kladné částice díry měly před rozmezím větší hustotu, rozmezím menší, tedy dochází spádu hustoty vlivem difuze. Nosiče začnou zcela jistě zaplňovat celý krystal, takţe čase t1 a ještě později čase bude měnit koncentrace nosičů. toho jen čtyři jsou vázány sousedním atomům polovodiče, pátý bez valenční vazby, snadno (jiţ při pokojové teplotě) přechází pásma vodivosti vytváří vodiči vodivost typu N. Difuzní proud můţe vznikat jako pohyb nabitých částic místa jejich větší hustoty místa s hustotou menší. Chceme-li udrţovat difuzní proud rozhraním, musíme vlevo dodávat nové nosiče náboje. V jednorozměrném směru proudu J E (-x) (2.27) Díry jakoţto kladně nabité částice pohybují řádově niţším potenciálům, elektrony jako záporně nabité částice směřují potenciálům vyšším. Difuzní pochod podporován vysokými teplotami pohyblivostí nosičů Obecně platí Einsteinova rovnice pro vzájemnou souvislost difuzní konstanty pohyblivosti D b. Jeho hustota Jdif úměrná gradientu hustoty faktor úměrnosti nazveme konstantou difuze D. Levý díl obsahuje kladné nosiče náboje, tedy díry, zatímco pravý díl prázdný. čase t = bude náhle dělící stěna odstraněna. gradDe x n DeJ P dif  ()(   np) (2. e Tk  (2. kaţdém krystalu dochází kmitání jeho částic, které zvětšuje rostoucí teplotou. Dejme tomu, obr. Nad průřezem 0 protéká difuzní proud. poruchová vodivost, získaná příměsí buď donoru (V.2. Jak jiţ bylo řečeno působením elektrického pole intenzitou protéká vodičem buzený proud. 12,5 cm3 /s, cm3 /s. Např. skupiny. Dochází difuzi. pole, pohybují částice bez cíle neuspořádaným pohybem. V polovodičích uplatňuje druhý mechanismus vedení: difuze nosičů náboje pod vlivem spádu jejich hustoty. Tento proud také nazývá driftový proud