Cílem předmětu je seznámení se základními pojmy teorie elektromagnetického pole. Po prostudování modulu by měl student být schopen orientovat se v základní terminologii elektrotechniky, řešit elementární úlohy z elektro/magnetostatického pole, stacionárního a kvazistacionárního pole a měl by znát základní principy šíření elektromagnetických vln.
Přidání uzemněného krytu dále ještě více redukuje parazitní kapacitní
sdruţení neţádoucí signál.
Podobný problém můţe vyvstát indukčního sdruţení. Kapacitní
vazby mohou nastat také mezi vstupem výstupem zesilovače.
Stínění pole bude probráno souvislosti šířením elmag vln.polí nízkých frekvencí, musí být uţita krabička z
vodivého materiálu. Podobně bude záviset stínící účinek kvalitě spojů při výrobě krabičky.36 ukazuje příklad jednoduchého
sdruţení dvou obvodů jejich vzájemnou indukčností Jestliţe protéká obvodem střídavý proud,
produkuje tento proud magnetický tok, který můţe být spojen obvodem Pro jednoduchost
předpokládejme, mnohem větší neţ I2, takţe
obr. 3.35.
Parazitní kapacita rozdělena dvou
částí sérii, jejichţ jeden společný bod je
uzemněn.35
. 3.
Dostatečně efektivního stínění lze dosáhnout
dílčím ohrazením prováděným tak, ţe
ohrazení přeruší většinu siločar probíhajících
z bodu Podstatné je, stěna uzemněna, druhé straně bod spojen bodem Q
kapacitou Cs1 sérii Cs2 bez signálové cesty zemi těchto bodů. Jestliţe R'in =
1MW 1mV, přibliţně
2,4.Veličiny počítané rozměrů parametrů prostředí
130
1
11
1
U
RX
R
RR
R
U
ins
in
Ls
L
s
(3.34.88)
kde 1/jCs R'in (Rs2Rin)/(Rs2 Rin). Rušivé napětí dáno touto rovnicí srovnáváno napětím
signálu zesilovači
Usig U2Rin/(Rs2 Rin) (3.88) zřejmé, rušivý signál největší, kdyţ impedance zdroje Rs1 nízká efektivní
vstupní impedance druhého obvodu R'in
je vysoká.34
obr. praxi tomu tak, zatímco
stěna kompletně uzavírá jeden obvodů, je
stále mezi body zbytková kapacita
přímo spojující, „obtékající“ stěnu. Efektivita
elektrického stínění definována jako poměr hodnoty elektrického pole stíněním určítém bodě
k hodnotě elektrického pole odejmutým stíněním témţe bodě.3. Zdroj obvodu můţe být měnič (převodník, čidlo), umístěný jisté
vzdálenosti zesilovače. Jestliţe zesilovač
vysoký činitel potlačení souhlasného napětí diferenčního vstupu, potom uţitečnému signálu
připočte jen jejich rozdíl. Obr. Rs1 je
potom velmi malý.1014
, coţ odpovídá při Hz
parazitní kapacitě řádu 10-17
F.
Kapacitní sdruţení mezi obvody můţe
být redukováno poloţením uzemněné
roviny mezi obvody podle obr. Protoţe všechny zdroje polí leţí vně krabičky musí být ekvipotenciální
plochou, teoreticky uvnitř pole nulové. 3. Indikace správné velikosti
kapacitance která můţe působit obtíţe
můţe být získána, kdyţ předpokládáme,
ţe obvod především střídavý. tomto případě musí být přívody stíněny, stejně jako zesilovač.3.
Efekt kapacitního sdruţení můţe být také redukován uţitím diferenciálního zesilovače, kdyţ zdroj
U2 izolován země viz obr. V
praxi musí být sebedokonalejší krabička opatřena dírami pro přívody vývody, které sniţují stínící
efekt. Parazitní kapacity Cs1 Cs2 jsou často přibliţně stejné tak je
rušivý signál normálním invertujícím vstupu zesilovače přibliţně stejný. Taková krabička známá pod názvem Faradayová klec.89)
Z rovnice (3.
Pokud vyţadováno velmi dobré odstínění el. Obvykle vyjadřována dB. Kdyţ tomu dojde, můţe způsobit
kladná zpětná vazba oscilaci obvodu, takţe opět pouţito stínění
