Cílem předmětu je seznámení se základními pojmy teorie elektromagnetického pole. Po prostudování modulu by měl student být schopen orientovat se v základní terminologii elektrotechniky, řešit elementární úlohy z elektro/magnetostatického pole, stacionárního a kvazistacionárního pole a měl by znát základní principy šíření elektromagnetických vln.
33. Modernějším prostředkem ochrany neţ
zahušťování bleskosvodné sítě pouţití aktivního bleskosvodu. Poslední stupeň této ochrany (ochrana zásuvky) bývá doplněn
vf filtrem. některých případech vytváří důleţitých budov bleskosvodná síť, která sniţuje
účinky přímého zásahu budov tím více, čím hustější. Problém spočívá
spíše neţ přesném řešení polí minimalizování neţádoucích vazeb.
Jednoduchý případ sdruţení dvou obvodů parazitní kapacitou ukázán obr. 3. Ochranu proti úderům blesku dělíme vnitřní vnější. Neţádoucí kapacitní spojení mezi
dvěmi elektronickými obvody můţe představovat
zásadní problém.
Velmi časté jsou případy, kdy opomenutím ochrany jediného datového vstupu serveru (např. Indukční účinky
blesku způsobí přepětí desítky kV.
spojení vzdálenou tiskárnou) dojde při úderu blesku, nebo při větší poruše napájecí síti, zničení
nejen tohoto nechráněného vstupu, ale dalších I/O karet, případně celé základní desky počítače. Francouzská firma Helita vyvinula
systém, který aktivován vysokou intenzitou elektrického pole. Teorie elektromagnetického
pole nabízí řadu zkoumatelných případů elektromagnetické interference techniky jejich zpracování.33
. aktivaci tento bleskosvod vysílá k
vyvíjejícímu blesku vstřícný výboj vychýlí blesk špičce jímací tyče bleskosvodu.Veličiny počítané rozměrů parametrů prostředí
129
rezonančních jevů naindukovat větší přepětí neţ vodiči „nestíněném“.
Vnější ochranu tvoří bleskosvodná soustava vertikální Franklinovy tyče spojené zemniči dobrým
uzemněním. Obvody 2
jsou spojeny parazitní kapacitou běţnou zemí.
Vnitřní ochranu proti účinkům blesku, tj.
U ochrany proti přepětí platí pravidlo, zařízení nebo systém musí být chráněno plně nebo vůbec. Poloměr
ochrany aktivního bleskosvodu můţe být 25-násobek ochranného poloměru klasického bleskosvodu
Franklinova typu, tedy HELITA také, zejména členitých budov, levnější. 3.
Elektromagnetická interference elektronických obvodů
V této kapitole vyuţijeme znalosti kapitol
předcházejících, které dotýkají kapacit a
indukčností. napětí zdroje, vlivem
interference ovlivňující obvod Proud, tekoucí kapacitorem malý srovnání proudem RL1,
takţe rušivý signál který objeví vstupu zesilovače aproximován vztahem
obr.
Můžeme definovat tři základní varianty působení:
a) ovlivňující ovlivňovaný obvod jsou galvanicky oddělené,
b) ovlivňující ovlivňovaný obvod mají společný vztaţný obvod,
c) obvody jsou ovlivňované přes kapacitu vůči zemi.
Velmi častá kapacitní vazba může být způsobena existenci parazitních kapacit mezi souběžnými
vodiči (rušícím rušeným) nebo obecně kapacitním působením jednotlivých částí konstrukce. Parazitní kapacita malá, běţně řádu pF, takţe její
impedance (Xs 1/jCs) vysoká, ale klesá stoupající frekvencí. proti atmosférickému průmyslovému přepětí, tvoří soustava
svodičů bleskových proudů přepěťových ochran, zaloţená nelineárních prvcích, které při vzrůstu
napětí nad jmenovité napětí sniţují extrémně krátkém čase svůj odpor svádějí přepětí ochranný
vodič. Tvoří spolu neţádoucími
indukčními vazbami dílčí problém zkoumání
elektromagnetické interference. Platí zásada: špatné, či
nedokonale provedené stínění horší neţ ţádné.
Nejsilnějším zdrojem přepětí blesk, který můţe způsobit přepětí 100kV 1MV.
Komplexnost ochrany zařízení pak znamená ochranu všech datových vstupů proti přepětí 3
stupňovou ochranu napájecích rozvodů
