Na závěr děkuji recensentu skripta B. Sedlákovi za pozorné pročtení skripta a za cenné připomínky, které pomohly zlepšit text. Můj dík patří rovněž pracovnicím katedry M. Teňákové, J. Beranově a L. Kadeřábkové za velmi přesné a pečlivé zpracování rukopisu a nakreslení obrázků.
,aá_ja4iální,j>a$r velikost (f/4 kide r
je poloaár libovolné kulové plochy podle obr.
. dalším článku ukážeme, jak změní
kapacita kondensátoru, vložíme-li prostoru mezi jeho vodiči elektricky
nevodivou látku.
Analogickým postupem jako předchozím případě dostaneme pro kapacitu vál
cového kondensátoru výraz
C £'
Uvedli jsme základní typy kondensátorů, nichž jsme předpokládali, že
vodiče, které tvoří, jsou vakuu.pro kapacitu rovinného kondensátoru podle rov.vých kulových ploch, jejichž poloměry jsou příslušná náboja Ä
a fl.
Rovinný kondensátor soustavou vodivých těles, vyznačující rovin
nou symetrií. 1,39
a odtud záfcladě rov.toru,. Intensita elektrostatického pole £__▼ «poetora ■eaitžnito nabitými
lma£v^i_j!ic«ihaiai. (1,104)
C (1,105)
Jak zřejaé tohoto vztahu, kapacitajroyijm^iaJuizidejxaá.ae^i jehoS
deskami vakuum, přímo úměrné ploše desek nepřímo úměrná jejich vzdá
lenosti. Kulový kondensátor skládá dvou soustředných vodi-
. (1,104) platí pro kapacitu kulového kondensátoru
c ‘trn (1, 106)
Válcový kondensátor skládá dvou souosých vodivých válcových ploch
jejichž, poloměry jsou příslušné náboje Rozdíl po
loměrů volí malý srovnání délkou válcových ploch. Mezi těmito
plochami rozdíl potenciálů
Obr. 1,39, která soustředná
s kulovými plochami tvořícíai konden
sátor leží aezi nimi. Symetrii kulovou kulový kondensátor symetrii osovou kon
densátor válcový
