Na závěr děkuji recensentu skripta B. Sedlákovi za pozorné pročtení skripta a za cenné připomínky, které pomohly zlepšit text. Můj dík patří rovněž pracovnicím katedry M. Teňákové, J. Beranově a L. Kadeřábkové za velmi přesné a pečlivé zpracování rukopisu a nakreslení obrázků.
pro kapacitu rovinného kondensátoru podle rov. Mezi těmito
plochami rozdíl potenciálů
Obr.vých kulových ploch, jejichž poloměry jsou příslušná náboja Ä
a fl.toru,.,aá_ja4iální,j>a$r velikost (f/4 kide r
je poloaár libovolné kulové plochy podle obr.ae^i jehoS
deskami vakuum, přímo úměrné ploše desek nepřímo úměrná jejich vzdá
lenosti. Kulový kondensátor skládá dvou soustředných vodi-
. Symetrii kulovou kulový kondensátor symetrii osovou kon
densátor válcový. 1,39
a odtud záfcladě rov. 1,39, která soustředná
s kulovými plochami tvořícíai konden
sátor leží aezi nimi. (1,104) platí pro kapacitu kulového kondensátoru
c ‘trn (1, 106)
Válcový kondensátor skládá dvou souosých vodivých válcových ploch
jejichž, poloměry jsou příslušné náboje Rozdíl po
loměrů volí malý srovnání délkou válcových ploch.
. Intensita elektrostatického pole £__▼ «poetora ■eaitžnito nabitými
lma£v^i_j!ic«ihaiai.
Rovinný kondensátor soustavou vodivých těles, vyznačující rovin
nou symetrií. (1,104)
C (1,105)
Jak zřejaé tohoto vztahu, kapacitajroyijm^iaJuizidejxaá. dalším článku ukážeme, jak změní
kapacita kondensátoru, vložíme-li prostoru mezi jeho vodiči elektricky
nevodivou látku.
Analogickým postupem jako předchozím případě dostaneme pro kapacitu vál
cového kondensátoru výraz
C £'
Uvedli jsme základní typy kondensátorů, nichž jsme předpokládali, že
vodiče, které tvoří, jsou vakuu
