Na závěr děkuji recensentu skripta B. Sedlákovi za pozorné pročtení skripta a za cenné připomínky, které pomohly zlepšit text. Můj dík patří rovněž pracovnicím katedry M. Teňákové, J. Beranově a L. Kadeřábkové za velmi přesné a pečlivé zpracování rukopisu a nakreslení obrázků.
Analogickým postupem jako předchozím případě dostaneme pro kapacitu vál
cového kondensátoru výraz
C £'
Uvedli jsme základní typy kondensátorů, nichž jsme předpokládali, že
vodiče, které tvoří, jsou vakuu.
.
Rovinný kondensátor soustavou vodivých těles, vyznačující rovin
nou symetrií. dalším článku ukážeme, jak změní
kapacita kondensátoru, vložíme-li prostoru mezi jeho vodiči elektricky
nevodivou látku.ae^i jehoS
deskami vakuum, přímo úměrné ploše desek nepřímo úměrná jejich vzdá
lenosti. Kulový kondensátor skládá dvou soustředných vodi-
. Symetrii kulovou kulový kondensátor symetrii osovou kon
densátor válcový.toru,. 1,39
a odtud záfcladě rov.pro kapacitu rovinného kondensátoru podle rov.,aá_ja4iální,j>a$r velikost (f/4 kide r
je poloaár libovolné kulové plochy podle obr. (1,104) platí pro kapacitu kulového kondensátoru
c ‘trn (1, 106)
Válcový kondensátor skládá dvou souosých vodivých válcových ploch
jejichž, poloměry jsou příslušné náboje Rozdíl po
loměrů volí malý srovnání délkou válcových ploch. Mezi těmito
plochami rozdíl potenciálů
Obr. (1,104)
C (1,105)
Jak zřejaé tohoto vztahu, kapacitajroyijm^iaJuizidejxaá. 1,39, která soustředná
s kulovými plochami tvořícíai konden
sátor leží aezi nimi.vých kulových ploch, jejichž poloměry jsou příslušná náboja Ä
a fl. Intensita elektrostatického pole £__▼ «poetora ■eaitžnito nabitými
lma£v^i_j!ic«ihaiai
