Na závěr děkuji recensentu skripta B. Sedlákovi za pozorné pročtení skripta a za cenné připomínky, které pomohly zlepšit text. Můj dík patří rovněž pracovnicím katedry M. Teňákové, J. Beranově a L. Kadeřábkové za velmi přesné a pečlivé zpracování rukopisu a nakreslení obrázků.
(1,104)
C (1,105)
Jak zřejaé tohoto vztahu, kapacitajroyijm^iaJuizidejxaá. 1,39
a odtud záfcladě rov.
.,aá_ja4iální,j>a$r velikost (f/4 kide r
je poloaár libovolné kulové plochy podle obr. Intensita elektrostatického pole £__▼ «poetora ■eaitžnito nabitými
lma£v^i_j!ic«ihaiai.vých kulových ploch, jejichž poloměry jsou příslušná náboja Ä
a fl. dalším článku ukážeme, jak změní
kapacita kondensátoru, vložíme-li prostoru mezi jeho vodiči elektricky
nevodivou látku.toru,.ae^i jehoS
deskami vakuum, přímo úměrné ploše desek nepřímo úměrná jejich vzdá
lenosti. (1,104) platí pro kapacitu kulového kondensátoru
c ‘trn (1, 106)
Válcový kondensátor skládá dvou souosých vodivých válcových ploch
jejichž, poloměry jsou příslušné náboje Rozdíl po
loměrů volí malý srovnání délkou válcových ploch.
Rovinný kondensátor soustavou vodivých těles, vyznačující rovin
nou symetrií. 1,39, která soustředná
s kulovými plochami tvořícíai konden
sátor leží aezi nimi. Kulový kondensátor skládá dvou soustředných vodi-
.
Analogickým postupem jako předchozím případě dostaneme pro kapacitu vál
cového kondensátoru výraz
C £'
Uvedli jsme základní typy kondensátorů, nichž jsme předpokládali, že
vodiče, které tvoří, jsou vakuu. Mezi těmito
plochami rozdíl potenciálů
Obr.pro kapacitu rovinného kondensátoru podle rov. Symetrii kulovou kulový kondensátor symetrii osovou kon
densátor válcový
