Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 53 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Závěrná větev statické charakteristiky diody Na obrázku naznačena dioda, polarizovaná závěrně vnějším zdro­ jem. c) Oblast vodivosti typu N. 35. Přípustné napěťové zatížení diod Téměř celý úbytek závěrném směru objevuje oblasti prostoro­ vého náboje, jež vytváří obou stranách přechodu PN. Diodou prochází záv ěrn rou úbytek závěrném směru (závěrné ětí diody) hodnotu . ztráty, vztažsné cm2 plochy přechodu PN? 6. Na okrajových plochách krystalu vybíhá oblast prostorového náboje 54 . Kontrolní otázka: Kterou oblast diody PvN (PtcN) připojujeme na kladný pól baterie, chceme-li diodu polarizovat závěrně? a) Oblast vodivosti typu P. V pravé části obr. Napětí, při němž dochází tomuto stavu, označujeme jako razn ětí í7(br). vyznačena závislost mezi oběma veličinam závěrná větev voltampérové charakteristiky diody, jejíž druhou větev — propustnou jsme poznali článku 5, Závěrná větev potvrzuje to, již znáte předchozích kapitol II (závěrný proud přechodu značných hodnot závěrného napětí 0 Obr. 7. Jak velký tedy přibližně měrný ztrátový výkon propustném směru (tj. Závěrná charakteristika diody r n tL U,(B IO nepatrný zvětšuje značně teprve tehdy, jestliže bylo dosaženo kritické hodnoty intenzity elektrického pole oblasti přechodu (srovnejte kapi­ tolu II, článek 17, článek 24).každým čtverečným milimetrem jejího přechodu prochází proud 1,5 A. Úbytek propustném směru při tom zhruba V. b) Oblast