Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Závěrná větev statické charakteristiky diody
Na obrázku naznačena dioda, polarizovaná závěrně vnějším zdro
jem.
c) Oblast vodivosti typu N. 35. Přípustné napěťové zatížení diod
Téměř celý úbytek závěrném směru objevuje oblasti prostoro
vého náboje, jež vytváří obou stranách přechodu PN. Diodou prochází záv ěrn rou úbytek závěrném směru
(závěrné ětí diody) hodnotu . ztráty, vztažsné cm2 plochy přechodu PN?
6.
Na okrajových plochách krystalu vybíhá oblast prostorového náboje
54
.
Kontrolní otázka: Kterou oblast diody PvN (PtcN) připojujeme na
kladný pól baterie, chceme-li diodu polarizovat závěrně?
a) Oblast vodivosti typu P.
V pravé části obr. Napětí, při němž dochází tomuto
stavu, označujeme jako razn ětí í7(br). vyznačena závislost mezi oběma veličinam
závěrná větev voltampérové charakteristiky diody, jejíž druhou větev —
propustnou jsme poznali článku 5,
Závěrná větev potvrzuje to, již znáte předchozích kapitol II
(závěrný proud přechodu značných hodnot závěrného napětí
0
Obr.
7.
Jak velký tedy přibližně měrný ztrátový výkon propustném
směru (tj. Závěrná charakteristika diody
r n
tL
U,(B IO
nepatrný zvětšuje značně teprve tehdy, jestliže bylo dosaženo kritické
hodnoty intenzity elektrického pole oblasti přechodu (srovnejte kapi
tolu II, článek 17, článek 24).každým čtverečným milimetrem jejího přechodu prochází proud 1,5 A.
Úbytek propustném směru při tom zhruba V.
b) Oblast
