Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 53 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
7. Přípustné napěťové zatížení diod Téměř celý úbytek závěrném směru objevuje oblasti prostoro­ vého náboje, jež vytváří obou stranách přechodu PN. Kontrolní otázka: Kterou oblast diody PvN (PtcN) připojujeme na kladný pól baterie, chceme-li diodu polarizovat závěrně? a) Oblast vodivosti typu P. V pravé části obr. Diodou prochází záv ěrn rou úbytek závěrném směru (závěrné ětí diody) hodnotu . Na okrajových plochách krystalu vybíhá oblast prostorového náboje 54 . Napětí, při němž dochází tomuto stavu, označujeme jako razn ětí í7(br). Jak velký tedy přibližně měrný ztrátový výkon propustném směru (tj. vyznačena závislost mezi oběma veličinam závěrná větev voltampérové charakteristiky diody, jejíž druhou větev — propustnou jsme poznali článku 5, Závěrná větev potvrzuje to, již znáte předchozích kapitol II (závěrný proud přechodu značných hodnot závěrného napětí 0 Obr. Závěrná charakteristika diody r n tL U,(B IO nepatrný zvětšuje značně teprve tehdy, jestliže bylo dosaženo kritické hodnoty intenzity elektrického pole oblasti přechodu (srovnejte kapi­ tolu II, článek 17, článek 24). Úbytek propustném směru při tom zhruba V. 35. c) Oblast vodivosti typu N.každým čtverečným milimetrem jejího přechodu prochází proud 1,5 A. b) Oblast . ztráty, vztažsné cm2 plochy přechodu PN? 6. Závěrná větev statické charakteristiky diody Na obrázku naznačena dioda, polarizovaná závěrně vnějším zdro­ jem