Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
....................................................... Volný elektron, díra ........... ........................................................ 33
5............ 18
9........................................................ Difúzni vodivostní ................................ Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ...... Připojení přechodu vnější .......................40
5
.............................................. Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů ............15
5.............................................. Difúze nosičů nábojů, difúzni ........ Donory, akceptory, .............................................................................................................. 22
15.... Rozdíl mezi polovodičem ................. Vznik difúzního napětí ............................ 25
20.....................................27
22................................................................................................. iče ........................................................................... Propustně polarizovaný přechod ............................................ ekom bin ace...................................................................... Vodivost typu ......................................................19
11.....................24
19............................. Příčina vzniku difúzního tí............................. Přeměna vázaného elektronu volný tro ................................................................................................................................ Vázané tro ........................................................................................................................34
8........................................................ Mezery krystalové mříži jejich pohyb ...................................................33
6................................................................... 38
12.....................................................26
21......................35
9.................. ................... 14
3................................................................ 20
13...............................................................................................17
7..23
16......................................... Vlastní ..........37
11................................................................................... Přechod ............... Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron ...................................................39
13....................................... ekom binace......................................................... 17
8... Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ....32
4................31
1........................................... 24
18....................................23
17...........................................13
1............................................................................. Silná slabá dotace základního ....................................................... 34
7..........................................................H
P ............. 13
2.................................................................................................................................. Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ................................................................................................. 14
4................................................................... iče ........................................................................................... 32
3..... Donory, vodivost typu ......................................................................... Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y........................................................................... Doba života nosičů ....... Generace páru elektron— díra .................................................................................28
23.. 36
10.21
14.............................................. ........... Volné elek tron y..................................11
X.....31
2............................. 20
12....................................... 16
6... Fyzikální model Shockleyho ................................................. Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh ......... 18
10........ Oblast prostorového náboje ............28
II.... ................................. Vnitřní valenční elektrony .........................
