Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 4 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
..................................................................... Přeměna vázaného elektronu volný tro ..... 36 10.................................................................................................................................................................. iče ........................... 18 9................................................................................................. 18 10.................... Volné elek tron y........................................................................................................ ekom binace............................................................... 33 5................................ ..................................................................................................... Vnitřní valenční elektrony .......27 22............ iče ..... 24 18.................................... 14 3................................................................................... 22 15....... Přechod ..........................40 5 ......... Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh ................................ Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ............ Volný elektron, díra ......24 19.....................................................28 II............. Vázané tro .....15 5.................................................................................................................................................................................31 2................................. 14 4............................ Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů ....................32 4................................................................ Generace páru elektron— díra .................................................................................................................................................................................... Donory, vodivost typu ................................. Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron .......................17 7............................... Propustně polarizovaný přechod ................. Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y................... Vodivost typu ............................................................................................... Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ............................................................. 20 13........................... 13 2....................................................... Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ..................................................... 34 7........................................................................................... Silná slabá dotace základního ..................................................................... Donory, akceptory, .............. ........31 1......................37 11........................... 38 12...................................................................23 17................................................. Mezery krystalové mříži jejich pohyb ................................. Difúze nosičů nábojů, difúzni .........................................23 16..............................................39 13................................................. Doba života nosičů ............................................... Vznik difúzního napětí ... 17 8................................................................19 11............................................................35 9....................... Rozdíl mezi polovodičem ..26 21......................................................... ekom bin ace........................ Příčina vzniku difúzního tí.......................... Vlastní ................................... Difúzni vodivostní ..................................................................................................21 14...........................................28 23......................... 25 20..................33 6................................ .................................... Fyzikální model Shockleyho .................. 32 3....................... 16 6..... .....................................................13 1........... 20 12.......................................... Oblast prostorového náboje ...........11 X..............H P ..... Připojení přechodu vnější .........34 8...................................................