Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
...................................................... Fyzikální model Shockleyho .... Difúze nosičů nábojů, difúzni .......................................................................................31
2........................................................................................... ekom bin ace................... Přeměna vázaného elektronu volný tro ......23
16......................................................... Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ........................................................... 14
3...................... Příčina vzniku difúzního tí................................................................... Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron ......... Vlastní .........................................................35
9...... Připojení přechodu vnější ................23
17........................................... Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ..... 17
8........27
22............ 24
18...................... Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ............................................................................................37
11.......................... Silná slabá dotace základního ... Vodivost typu .....H
P ..................................................................................................26
21................ 14
4.............. iče .......................................... Přechod ............ 16
6...................... Oblast prostorového náboje ...................................................................................................................................... Generace páru elektron— díra ....................................31
1..................................... 38
12............... ............................. Difúzni vodivostní ...................................11
X.................................................................................... 13
2........................ iče ...... Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů ............................ ......................................................................................................................................................................................................................................................................................... ................................................ Vznik difúzního napětí ........13
1...................................................................................................33
6........................... Donory, vodivost typu ............................................................................................................................................28
II........................................ 34
7......................24
19...................... Vnitřní valenční elektrony .......40
5
.............................................................................................................................21
14...............................................28
23.........................................39
13................ Rozdíl mezi polovodičem .......... Volné elek tron y............................................................ 33
5............................................................................................................. 20
12.................................. Donory, akceptory, ....... 25
20......................................................... Vázané tro . 36
10..................34
8.................................17
7........... Volný elektron, díra ................................................... 18
10....................................................... ekom binace........................................ ......................... 20
13..............................15
5.. Propustně polarizovaný přechod .................. 18
9.........................19
11.. Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh ........ 22
15...........................................................................................32
4.................................................................... Mezery krystalové mříži jejich pohyb ................................................. Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y................................. 32
3................................................. Doba života nosičů ..........................................
