Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
.................................. Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ...................................23
17.....17
7...................................................................................... 14
3................................................. 16
6.......................................................................................................................................................... Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ...................................................................................................... Propustně polarizovaný přechod ..... 20
13.................. Volné elek tron y........................................................13
1......................................... Vlastní . ekom binace............................................................................ 18
10. Vnitřní valenční elektrony ........................... Donory, akceptory, ............ Vázané tro .............................35
9............................................................................... Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron ....................32
4......... Příčina vzniku difúzního tí...............................37
11........................ Přechod ...........................................................11
X..........................................31
1............. 34
7...................... .......................................................................................................33
6.......................................... Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh ............................26
21................ ................................ Připojení přechodu vnější .................................. Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ...................................... 24
18............................. 22
15...28
23........................................................................................................................................................... 14
4............ 17
8..... Donory, vodivost typu .......28
II................................................................ Rozdíl mezi polovodičem ......27
22......................15
5....................................................... .......... 36
10........................ 38
12........................................................... 25
20..............................19
11............................................................................................................................. 18
9...................................................................................................................... Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y................................................................... Difúze nosičů nábojů, difúzni ................... Oblast prostorového náboje ....... Přeměna vázaného elektronu volný tro ..............................................31
2..................................................... Volný elektron, díra ......... Difúzni vodivostní ......................................................... Vodivost typu ... Mezery krystalové mříži jejich pohyb .............. iče ................................................................. Fyzikální model Shockleyho ........................ Vznik difúzního napětí .............................................................. 33
5..................................................... iče ................................... ekom bin ace............................. 13
2.................................. Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů .......................................................21
14.......................................40
5
........................................................................................ 20
12........................................... Silná slabá dotace základního .....................................................................................................34
8...............23
16.................................................................................................................. Doba života nosičů ..... 32
3.... .......................24
19.........................................................................H
P ............................. Generace páru elektron— díra ................................39
13........
