Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
...................................................................................................... Oblast prostorového náboje ....................................................... Propustně polarizovaný přechod ...........................................................................................................................40
5
............................................................................................. Difúzni vodivostní ............. Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ...................................... 33
5....... 34
7.... Vodivost typu ........................................... Mezery krystalové mříži jejich pohyb .................................................................................................................35
9.............................. Rozdíl mezi polovodičem ................................................................ Vnitřní valenční elektrony ................................................................................................................... ................... Vázané tro ................................ Generace páru elektron— díra ...................................... 17
8.............. ... 13
2................................................................................... 18
10...........................................................................................................24
19.................................... iče ............. Vznik difúzního napětí ....................27
22....... Připojení přechodu vnější ............ 14
4..............................................19
11........................ Silná slabá dotace základního ..........................................................................................39
13................................................................................................................................................15
5.......17
7.......................................... Přeměna vázaného elektronu volný tro ............ Difúze nosičů nábojů, difúzni .............. 16
6. Donory, akceptory, ...................................................................... ekom binace......26
21.............................................31
2..................................H
P ............................................................. Volné elek tron y.............................................................................................. 18
9............................................................. Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron .......................... Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ........................................... .........21
14........28
23............. iče .................................................................................................. 22
15...................37
11........... Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y.......................................31
1................................................................................... Donory, vodivost typu ................................................... 38
12........................................................................................28
II... Přechod ............. Volný elektron, díra ................................... Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ........... Fyzikální model Shockleyho .............13
1........................... .............. Příčina vzniku difúzního tí....... Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh .................................................... 24
18.............. 20
13.................................... 32
3........................... Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů ............................32
4..................................... 20
12............................... ekom bin ace.......................................................................................................................... 14
3.............. Vlastní ...............................................................................................................23
16...........................................................................................33
6.............. 36
10..........23
17................................................................................... 25
20................... Doba života nosičů .........11
X.....34
8....
