Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
......................................................... Přeměna vázaného elektronu volný tro ........31
2................................... 18
9................. 13
2..................................................................... Příměsová vodivost, způsobená pětimocným ...................................... 33
5..................................................................................................27
22........................................19
11.................................. 25
20.....................................................28
II.................................... Vázané tro ........................................ Volné elek tron y............................................ 18
10.................13
1...................................... ............................................................ 22
15................................. 14
3.................................................................. Donory, vodivost typu ....................... Vodivost typu .......... Vnitřní valenční elektrony ..................................31
1...................................... 32
3......................................................................................................... Donory, akceptory, ........................................................................................ Mezery krystalové mříži jejich pohyb .....................................................................28
23.......................24
19.......................................................... Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ...................... iče ................... .23
17........................................................................ 16
6...........................................................................................................................................26
21...........................................................39
13................ 20
12..........23
16.... Vlastní ......................... 24
18........................................................ 14
4.................................................................................. 36
10. 20
13....................... 34
7...35
9... Připojení přechodu vnější ..........................21
14................. Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem .............................................................15
5.............................................................................................. Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y......................... .17
7................H
P ...................... ekom binace......................................................... Fyzikální model Shockleyho ....................... ekom bin ace............. Rozdíl mezi polovodičem ..........................................................37
11...................................................................................................................................................... Volný elektron, díra ......11
X............................................................... Difúze nosičů nábojů, difúzni ................................ Silná slabá dotace základního ............................... Přechod ....................................................................................................................................... ....... Vznik difúzního napětí .....33
6................................ Oblast prostorového náboje ............. Doba života nosičů .............. iče ..................................... Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron ............................................................... 17
8.................................... Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů .... Difúzni vodivostní ...........34
8....................................................................................................................................................................................................................... Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh . Generace páru elektron— díra ............................................................................................ Příčina vzniku difúzního tí........................................................................40
5
.......................32
4..... Propustně polarizovaný přechod ........................ 38
12...
