Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Strana 4 z 304
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
... Ustálený stav průchodu difúzního proudu přech ................................................................................................................................................................................................................. Příměsová vodivost, způsobená pětimocným .............................................. Volné elek tron y.......................................................................... Příměsová vodivost, způsobená trojm ocným prvkem ..............................................23
17.............................................................................. Difúze nosičů nábojů, difúzni ...................................................... ............. 20
13......................................... Přechod ....................................................... Příčina vzniku difúzního tí......................... Donory, vodivost typu .......................................... Fyzikální model Shockleyho ................................................................................................. Vázané tro ......................................................................................... Vliv vzrůstu teploty chování valenčníeh ....... 33
5.............................................. 17
8...............35
9..................................15
5....... 34
7....................................................... Generace páru elektron— díra ............................... 25
20.. 38
12......................................................................... Vznik difúzního napětí ............... ..13
1....................................................................H
P ............. 36
10...................................................................................17
7........... 22
15.......................19
11.........26
21..................28
II............................................................... Rozdíl mezi polovodičem ............................................................................................................................................................. 24
18..... Difúzni vodivostní .................................................................... 18
9................................................................................................................................................................................................ Krystalová struktura, vliv valenčníeh elektronů ...............................................28
23.................. Volný elektron, díra ...................................................37
11............................................. ekom binace.................................... .................. Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektron y............... Vnitřní valenční elektrony ............ ekom bin ace.............................................................. 16
6......................... ..............................34
8.......... Přeměna vázaného elektronu volný tro .................23
16......................................24
19............................27
22..........................31
1.31
2..................................................... iče ............................................................... 14
4....................................................................33
6............................................... 14
3...............32
4............................. Silná slabá dotace základního ............................................... 20
12..............................................39
13........................21
14....... Propustně polarizovaný přechod ..... Připojení přechodu vnější ....................... Donory, akceptory, .............................. 18
10........ Oblast prostorového náboje .....................11
X.............................................................. Doba života nosičů ..... Mezery krystalové mříži jejich pohyb ..................................................................................................... Vliv vnějšího elektrického pole volný elektron ............................40
5
..................................................................... iče ............... 13
2.......................... Vodivost typu ................................................................ Vlastní ................................. 32
3................
