Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 32 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Kontrolní otázka: Závisí počet rekombinačních pochodů polovodi­ čovém krystalu, jež probíhají časové jednotce, silně teplotě? a) Ano. poruchy (poruchového místa), již nazýváme rek ím centrem . Ne každý elektron rekombinuje dírou, jestliže tyto nosiče proudu setkají křemíkovém germaniovém krystalu. Zmíněný přímý rekombi- nační proces totiž technicky nejdůležitějších polovodičových mate­ riálech křemíku germaniu —•stává zřídkakdy. S. V kterém krystalu doba života nosičů nábojů delší? 33 . Kontrolní otázka: Mějme dispozici dva křemíkové krystaly 2. zlata. Po­ psaný děj nazývá rek ce. Podle druhu použití volívá doba života nosičů nábojů rozsahu až 0,01 fxs. Krystal obsahuje větší počet rekombinačních center než krystal 2. děr. Doba života nosičů nábojů V křemíku germaniu pochod generace párů elektron—díra re­ kombinace vázán převážně rekombinační centra. Také tvoření párů podstatě vázáno zmíněná rekombinační centra. Zvláště účinná rekombinační centra představují křemíkových a germaniových krystalech atomy těžkých kovů, např. Později zjistíme, jak důležité zvolit vhodnou dobu života nosičů nábojů, chceme-li dosáhnout dobré funkce polovodičových součástek. Daleko častější, tím i důležitější, jsou rekombinace, nimž dochází okolí působnosti nějaké tzv. každém polovodičovém krystalu při tom do­ chází vzniku ustáleného stavu, němž počet vytvořených párů elektron—díra časové jednotce stejně velký jako počet rekombinací. Podobně působí nepatrné odchylky „ideálního“ uspořádání krystalové mříže. b) Ne. Proto těchto pochodů proběhne časovou jednotku tím více, čím větší počet rekombinačních center krystal obsahuje. D můžeme pro účely technické praxe rozumět průměrnou dobu, jež uplyne mezi „narozením“ (generací páru elektron— díra) „smrtí“ (jeho rekombinací). Rekombinační centra neovlivňují vodivost křemíkového germanio­ vého krystalu, určují pouze dobu života volných elektronů, popř.Rekombinace V kapitole jste seznámili pochodem, opačným tomu, který jsme připomněli článku potká-li volný elektron při svém pohybu díru, „spadne“ ní, stává valenčním elektronem oba původní nosiče proudu, elektron díra, nemohou již přispívat vzniku elektrické vodivosti