Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Ne, nejvýhodnější způsoby jsou III (články 18, 24).ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLE II
1.
14. Oba dílčí tyristory, vytvářející strukturu triaku, mají tři vrstvy
společné (článek 5). Zvolená konstrukce triaku musí umožňovat jeho zapnutí
podle způsobu III nebo II, (článek 12).
11. Mezi řídicími elektrodami, umístěnými různých
vrstvách struktury, mohlo objevit závěrné napětí, které řídicí
obvod přemostil (článek 9).
15.
301
. Diak (diodový tyristor obousměrný) stejnou strukturu jako
triak, ale chybí řídicí elektroda pod nacházející vrstvy vodivosti
typu (článek 19).
3.
12.
4. Nemůžeme. čtyř možností odpovídá zapínacímu pochodu tyristoru
možnost (články 10, 12). Nulový potenciál přisuzujeme výhodou horní vrstvě triaku
(článek 7). Dolní strana triaku musí být záporná, tzn.
10. Musí zapnout postupně dva fiktivní tyristory struktury (člán
ky 16).
2. Řídicí elektrodu můžeme vyvést obou vnitřních vrstev tyristo-
rové struktury—-z báze vodivosti typu báze vodivosti typu (článek 2). 223).
9. Amplituda propustného proudu triaku poloviční srovnání
s amplitudou proudu tyristoru (článek 4).
8.
13.
7. Tyristor nahrazujeme kombinací dvou doplňkových tranzistorů
NPN PNP (článek 1).
6. Zapínací pochod, vyvolaný kladným záporným řídicím napětím,
má různou fyzikální podstatu (článek 12).
5. Ano. Ne, řídicí proud dvě složky, nichž jedna neužitečná pro
chází mezi vývody umístěnými horní straně struktury (článek 8,
obr. Zapnutí podle způsobu III (články 11, 12). anoda záporný
potenciál oproti anodě (článek 1,7)
