Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
3.
301
. Zvolená konstrukce triaku musí umožňovat jeho zapnutí
podle způsobu III nebo II, (článek 12). Tyristor nahrazujeme kombinací dvou doplňkových tranzistorů
NPN PNP (článek 1).
8. čtyř možností odpovídá zapínacímu pochodu tyristoru
možnost (články 10, 12).
9.
6.
2. Nemůžeme.ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLE II
1. Ne, nejvýhodnější způsoby jsou III (články 18, 24).
13. Diak (diodový tyristor obousměrný) stejnou strukturu jako
triak, ale chybí řídicí elektroda pod nacházející vrstvy vodivosti
typu (článek 19). Nulový potenciál přisuzujeme výhodou horní vrstvě triaku
(článek 7). Mezi řídicími elektrodami, umístěnými různých
vrstvách struktury, mohlo objevit závěrné napětí, které řídicí
obvod přemostil (článek 9). Zapínací pochod, vyvolaný kladným záporným řídicím napětím,
má různou fyzikální podstatu (článek 12).
10.
11.
4. Řídicí elektrodu můžeme vyvést obou vnitřních vrstev tyristo-
rové struktury—-z báze vodivosti typu báze vodivosti typu (článek 2). Dolní strana triaku musí být záporná, tzn.
5. anoda záporný
potenciál oproti anodě (článek 1,7).
7.
15. Ano. 223). Ne, řídicí proud dvě složky, nichž jedna neužitečná pro
chází mezi vývody umístěnými horní straně struktury (článek 8,
obr. Zapnutí podle způsobu III (články 11, 12).
14. Amplituda propustného proudu triaku poloviční srovnání
s amplitudou proudu tyristoru (článek 4). Oba dílčí tyristory, vytvářející strukturu triaku, mají tři vrstvy
společné (článek 5). Musí zapnout postupně dva fiktivní tyristory struktury (člán
ky 16).
12
