Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
223).ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLE II
1.
6. Mezi řídicími elektrodami, umístěnými různých
vrstvách struktury, mohlo objevit závěrné napětí, které řídicí
obvod přemostil (článek 9). Zapínací pochod, vyvolaný kladným záporným řídicím napětím,
má různou fyzikální podstatu (článek 12). Řídicí elektrodu můžeme vyvést obou vnitřních vrstev tyristo-
rové struktury—-z báze vodivosti typu báze vodivosti typu (článek 2). anoda záporný
potenciál oproti anodě (článek 1,7).
3. Oba dílčí tyristory, vytvářející strukturu triaku, mají tři vrstvy
společné (článek 5). Dolní strana triaku musí být záporná, tzn. Ne, řídicí proud dvě složky, nichž jedna neužitečná pro
chází mezi vývody umístěnými horní straně struktury (článek 8,
obr. Amplituda propustného proudu triaku poloviční srovnání
s amplitudou proudu tyristoru (článek 4).
10.
9. Nemůžeme.
4. Ne, nejvýhodnější způsoby jsou III (články 18, 24).
11. Ano.
14.
8.
2. Tyristor nahrazujeme kombinací dvou doplňkových tranzistorů
NPN PNP (článek 1).
301
.
12. Musí zapnout postupně dva fiktivní tyristory struktury (člán
ky 16).
7. Nulový potenciál přisuzujeme výhodou horní vrstvě triaku
(článek 7). čtyř možností odpovídá zapínacímu pochodu tyristoru
možnost (články 10, 12).
13. Zapnutí podle způsobu III (články 11, 12). Diak (diodový tyristor obousměrný) stejnou strukturu jako
triak, ale chybí řídicí elektroda pod nacházející vrstvy vodivosti
typu (článek 19).
15. Zvolená konstrukce triaku musí umožňovat jeho zapnutí
podle způsobu III nebo II, (článek 12).
5
