Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
2.
4.
11.
13.
7.
15.
10. Vstupní odpor jako vždy dán poměrem vstupního napětí
a proudu, tedy poměrem Dbe/Ze -
KONTROLNÍ TEST B
1.
3. Zapojení společným kolektorem používá tehdy, je-li vnitřní
odpor zdroje velký (článek 14). Tranzistor proudově buzen tehdy, jestliže odpor zdroje iřg
větší než vstupní odpor tranzistoru.
12. Napěťové buzení tranzistoru (napájení zdroje napětí) na-
rtává tehdy, jé-li vnitřní odpor generátoru menší než vstupní odpor
tranzistoru. Zbytkový proud omezuje maximální amplitudu zesilovaného
signálu tehdy, klesá-li celkový proud nule (článek 8). Zapojení tranzistoru:
282
. Minimální šumové číslo posouvá směrem vyšším hodnotám
kolektorových proudů (ělánek 6). 96. Klidový bod musí ležet výše (článek 3). PoŽadujemé4i především minimální šum tranzistoru, zvolíme
hodnotu proudu nacházející levé Části diagramu obr.společným společnou společným
emitorem bází kolektorem
Proudové zesílení ano ano
Napěťové zesílení ano ano ne
(kapitola V)
3. Vstupní odpor tranzistoru 900 kíí; vnitřní vstupní odpor
tranzistoru zapojeného společným emitorem, který bychom měli uve
dené hodnotě přičíst (300 900 kíi), bývá několik málo kiloohmů,
a tedy proti hodnotě 900 zanedbatelný. Kolektorový proud musíme nastavit rozmezí 10~2 1G” mA.
2. Tranzistor zkreslí přenášený signál, protože kolektorový proud
nemůže nikdy poklesnout pôd hodnotu zbytkového proudu. Vstupní odpor tranzistoru dán poměrem jeho vstupního
napětí proudu, tedy výrazem í7bb// -
14.
9.
Kontrolní otázky;
6. Zesílení zvětšuje asi 100 %. proudovém buzení hovoříme tehdy, jestliže vnitřní od
por zdroje větší než vstupní odpor tranzistoru (článek 10).
4, Úbytek tranzistoru klidovém stavu musí činit na
pájecího napětí (článek 5). Maximální zkreslení výstupního signálu nastává při napěťo
vém buzení (odpor menší než vstupní odpor tranzistoru).
8
