Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
9.
Kladné napětí kolektor-emitor znamená, kolektor je
kladný oproti emitoru (tranzistor NPN), je-li Uqb kolektor záporný
oproti bázi (tranzistor PNP). Největší proud emitorový 7e, nejmenší proud báze 7b, platí
rovnice -
4. Jednotlivé její body stanovíme tak, že
měříme kolektorový proud při různém napětí přechodu B—E.
2.
5. Vyznačíme tečnu vstupní charakteristice bodě určíme
libovolnou dvojici sobě odpovídajících hodnot AUb A7b např.
KONTROLNÍ TEST A
1. Udaná charakteristika ukazuje závislost mezi kolektorovým
proudem napětím báze-emitor. Nejprve vyznačíme průběh odporové přímky. Vstupní charakteristiku tranzistoru společným emitorem udává
závislost /(f/BE). zapojení společným emitorem kolektorem přivádíme vstupní
signál bázi.
11.
Průsečík odporové přímky charakteristiky pro proud jxA
určuje hledaný pracovní bod: Uce 2,8 mA. AZ7be =
278
. Kladný kolektorový proud (Ic vstupuje vnějšího obvodu
do tranzistoru, jedná proto tranzistor NPN. Poměr proudu báze emitoru mívá moderních tranzistor
hodnotu 100 1000 (článek 3).
Kontrolní otázky:
7.Kontrolní otázky:
1. Tranzistorem proud neprochází: vždy jedna obou diod
(emitorová nebo kolektorová) zapojena závěrném směru. Největší absolutní hodnotu proud emitoru (článek 3).
5.
12.
4. Emitorová dioda tranzistoru polarizována propustně, kolekto
rová závěrně.
8.
2.
13. Zesilovací činitel h2ie c/I 300/1,5 200. Rovnice zní: Uce č7cb Ube-
6.
3. Zapojení společným emitorem vyznačuje malým VBtup-
nim velkým výstupním odporem. Uce V
je kolektor záporný oproti emitoru, daném případě (článek 6).
10. Při záporném napětí kolektor-emitor (např. Tranzistor zesiluje napěťově proto, jednak proudové zesí
lení, jednak malý vstupní odpor, podstatně menší, než odpor výstupní. Protíná obě osy
v bodech určených napětím zdroje proudem U/R /l,5 kíi =
= při němž celé napětí zdroje spotřebuje zatěžovacím odporu. Oblasti tranzistoru označujeme jako emitor kolektor báze B,
(článek 1)
