Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 268 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
11. 19. Míjí-li volný elektron díru, spojí („spadne ní“), tzn. KONTROLNÍ TEST D 1. Vazby mezi valenčními elektrony lze přerušit buď pomocí cizí částice, která nese dostatečné kvantum energie, nebo tím, krystal ohřejeme (články 10). 16. rekombinuje. 2. 14. Nelze převést (článek 11). 3. Elektrony odpovědi jsou volné elektrony odpovědi 1, podobně díry odpovědi odpovídají vázaným elektronům odpovědi č. Pohybuje proti směru intenzity elektrického pole. 3. 13. KONTROLNÍ TEST C 1. Počet elektronů roven počtu děr. Kontrolní otázky: 12. KONTROLNÍ TEST B 1. Elektrony díry (článek 15). 17. Poměr závisí stupni dotace teplotě. 2. Dvě odpovědi jsou správné: a) Izolanty dosahují pozorovatelných hodnot elektrické vodivosti teprve při značných teplotách. Kontrolní otázky: 18. Protože atom india jeden valenční elektron méně, než za­ potřebí tomu, aby zaplnily čtyři vazby krystalové mříži (článek 8). Dvojnásobný počet elektronů, než počet atomů (článek 7). Protože atom arzénu jeden valenční elektron více, než je zapotřebí tomu, aby byly vytvořeny vazby čtyřmi sousedními atomy germania (článek 8). b) Vodivost izolantů při každé teplotě menší než elektrická vodi­ vost polovodičů. Vodivost, získaná dotací (příměsná vodivost), protože nezávisí příliš teplotě (článek 19). 20. Výtah nefunguje. Proud polovodiči vzniká pohybem elektronů děr. Nachází-li blízkosti mezery, vytvořené tím, jiný valenční elektron přerušil svoji vazbu krystalové mříži. 15. b), Vázané volné elektrony (články 15, 16). (článek 15). Vodivost krystalu vzroste tisíckrát (články 18, 20). 269 . 21