Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
R
O )
Úvod
Při vysvětlování principu činnosti této polovodičové součástky vy
jdeme stejných fyzikálních zákonitostí, které jsme poznali předchozích
výkladech, týkajících funkce tyristoru. Bázi tranzistoru pak
přivádíme kladný řídicí proud (íq 0), tj. kapitoly pochopíte činnost
jedné, jako příklad zvolené konstrukční varianty triaku zejména ujas
níte čtyři možnosti, kterými lze zapnout triak. Tyto možnosti jistém
směru sebe zásadně liší. Jinými problémy, souvi
sejícími vnitřní strukturou triaku, jako např.
Poslední kapitolu zvládnete snadno, jestliže jste poctivě prostudovali
předchozí části, zvláště ty, které týkají tranzistorů tyristorů. 217a musí být kladný oproti emitoru N). jeho anoda musí mít kladný potenciál oproti katodě (emitor P
na obr. Tento proud vyvolá kolektorový proud tranzistoru NPN, způ
sobovaný pohybem záporných nosičů proudu, volnými elektrony. proud, který součástky vstu
puje. Kolekto
rový proud však působí jako záporný řídicí proud bázi doplňkového
245
.
Z různých technických aplikací probereme pouze jednu, při níž
triak nahrazuje dvojici antiparalelních tyristorů; tohoto příkladu však
zato všimneme podrobně. otázka dynamických
parametrů triaku, již zabývat nebudeme.
Má-li tyristor sepnout, musí především nacházet blokovacím
stavu, tzn. ka
pitole vysvětlíme, jak spolupracují jednotlivé části podstatně složitější
struktury jednoho konstrukčního provedení triaku. Pochopíme nejen jeho
činnost, ale prohloubíme současně své znalosti, pokud jde fyzikální
základy polovodičové techniky. však budete schopni porozumět činnosti
i jiných konstrukčních řešení triaku, kterými později setkáte.
1. Činnost tyristoru typu P
Když jsme vysvětlovali činnost tyristoru (kapitola vycházeli
jsme náhrady tyristoru (obr. 217a) dvěma fiktivními tranzistory
typu (obr. 217b). Rozdíl spočívá větším počtu
a jisté komplikovanosti způsobů, kterými lze vyvolat zapnutí triaku. Této
otázce proto věnována větší část této kapitoly.
Shrňme ještě jednou: absolvování II
