Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
121
. při zesilování
signálu gramofonových krystalových přenosek).
dynamické mikrofony. 102). První stupeň předzesilovače zapojení
se společným kolektorem
Zapojíme-li tranzistor společným kolektorem (obr.
Vstupní odpor tranzistoru tomto zapojení malý, řádově několik ohmů,
protože 7t2iEkrát menší než vstupní odpor stejného tranzistoru, zapoje
ného společným emitorem. článek 23), zvětšeným hodnotu
kde z-atěžovací odpor h2ie stejnosměrný proudový zesilovací činitel
tranzistoru zapojení společným emitorem. Zapojení společnou bází
Zbývá nám ještě zmínka zapojení tranzistoru společnou bází
(obr. 101), jeho
vstupní odpor dán vstupním odporem tohoto tranzistoru, zapojeného se
společným emitorem (kap. Daleko častěji používá zapojení společnou bází
ve vysokofrekvenční technice, protože zesilovač pak dosahuje nejvyššího
možného mezního kmitočtu.14. 101.
Kontrolní otázka: Udejte vstupní odpor tranzistoru zapojení spo
lečným kolektorem, jestliže činitel A2ie 300 zatěžovací odpor hod
notu kQ. První stupeň předzesilovače zapojení společným kolektorem
Proto používáme zapojení společným kolektorem případě, kdy
má budicí zdroj signálu značný vnitřní odpor (např. Vnitřní odpor této hodnoty mívají např. Toto zapojení nízkofrekvenčních zesilovačů užívá málokdy.
15. Při dnes běžných hodnotách
činitele h2ie 200 odporu může dosáhnout vstupní odpor
tranzistoru hodnoty kolem MQ.
Obr
