Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
toho plyne, vstupní odpor tranzistoru zapojení společ
nou bází Ä2iEkrát menší než při zapojení tranzistoru společným
emitorem. 83. Zapojení tranzistoru NPN společnou bází
Kontrolní otázka: Určete řídicí proud tranzistoru zapojení spo
lečnou bází, je-li A2ib 0,995 proud kolektoru 100 mA. Můžeme
proto volit velkou hodnotu zatěžovacího odporu ižz, kterém objeví
značný úbytek Tranzistorem, zapojeným společnou bází, můžeme
dosáhnout napěťového zesílení cIU (článek 9).
Porovnejte:
Společný emitor Společná báze
j^vst(E) Ube/Ib -ftvst(B) Ube/Ie Ube/Ic —
Ve výstupním obvodu sérii zapojena kolektorová dioda, polarizovaná
závěrně, takže výstupní odpor tranzistoru i?vý3t <b) značný.
Napětí báze—emitor U-re tedy pro stejně velký proud emitoru
v zapojení společnou bází stejnou hodnotu jako při zapojení společným
emitorem.Zdůrazněme ještě jednou
^2iB (Ic/I-r) 1
h21b (A/c/A/e) 1
velký proud |/£ |
—O----
velký proud c
vstup výstup
o+
O- ■O
Obr.
20.
Zapojení společnou bází užívá hlavně vysokofrekvenčních
zesilovačích, protože malý vstupní odpor snižuje vliv parazitních vstupních
UBE ^vst(E)
7b^2ie ie
103
. Vstupní výstupní odpor zapojení společnou bází
Při zapojení tranzistoru společnou bází působí vstupní napětí
mezi emitorem bází stejně jako případě zapojení společným emitorem
