Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
83.Zdůrazněme ještě jednou
^2iB (Ic/I-r) 1
h21b (A/c/A/e) 1
velký proud |/£ |
—O----
velký proud c
vstup výstup
o+
O- ■O
Obr. Můžeme
proto volit velkou hodnotu zatěžovacího odporu ižz, kterém objeví
značný úbytek Tranzistorem, zapojeným společnou bází, můžeme
dosáhnout napěťového zesílení cIU (článek 9).
20. toho plyne, vstupní odpor tranzistoru zapojení společ
nou bází Ä2iEkrát menší než při zapojení tranzistoru společným
emitorem.
Zapojení společnou bází užívá hlavně vysokofrekvenčních
zesilovačích, protože malý vstupní odpor snižuje vliv parazitních vstupních
UBE ^vst(E)
7b^2ie ie
103
. Vstupní výstupní odpor zapojení společnou bází
Při zapojení tranzistoru společnou bází působí vstupní napětí
mezi emitorem bází stejně jako případě zapojení společným emitorem.
Porovnejte:
Společný emitor Společná báze
j^vst(E) Ube/Ib -ftvst(B) Ube/Ie Ube/Ic —
Ve výstupním obvodu sérii zapojena kolektorová dioda, polarizovaná
závěrně, takže výstupní odpor tranzistoru i?vý3t <b) značný.
Napětí báze—emitor U-re tedy pro stejně velký proud emitoru
v zapojení společnou bází stejnou hodnotu jako při zapojení společným
emitorem. Zapojení tranzistoru NPN společnou bází
Kontrolní otázka: Určete řídicí proud tranzistoru zapojení spo
lečnou bází, je-li A2ib 0,995 proud kolektoru 100 mA
