Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is.
45
. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. 26.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Obě součástky, tj. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem.
Optoelektronické členy sfototyristorem.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. 26. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ
