Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 43 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ) je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Zatím tohoto systému používá pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů výkonových tyristorů triaků. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro­ pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti l 0,9 |im. Obě součástky, tj. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Velikost neozářeného odporu se pohybuje rozmezí MQ. Výstupní obvod může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto- tyristorem. 45 . 26. Zapínací vypínací doby pohybují roz­ mezí |is. Tyto členy ohou použít v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické oddělení). Optoelektronické členy sfototyristorem. Poměr vstupního výstupního proudu se pohybuje rozmezí 0,1 1,4. místo fotoelektrického odporu použit fototranzistor. Vstupní proud (proud diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až 120 MW. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Optoelektronické členy fototranzistorem. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Vazební optoelektronic ké členy: a) fotoodporem, fototran zistorem, fototyristorem Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná, n. 26. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi 100 MQ. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně zapouzdřeny. • Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Fotoelektrický odpor je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Optoelektro­ nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou používá bezkontaktních sp; ~'~° Obr