Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n.
45
. 26.
Optoelektronické členy sfototyristorem. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ. 26. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Obě součástky, tj. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW
