Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod.
Optoelektronické členy sfototyristorem. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. 26. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. 26.
45
. Obě součástky, tj. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe
