Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. 26. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor.
45
. 26. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ.
Optoelektronické členy sfototyristorem.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Obě součástky, tj. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ
