Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Obě součástky, tj. 26.
Optoelektronické členy sfototyristorem. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. 26. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ.
45
. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe
