Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 43 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Optoelektronické členy sfototyristorem.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná, n. Tyto členy ohou použít v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické oddělení). fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně zapouzdřeny. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ) je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. 45 . 26. 26. Optoelektronické členy fototranzistorem. Zapínací vypínací doby pohybují roz­ mezí |is. Výstupní obvod může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto- tyristorem. Obě součástky, tj. Optoelektro­ nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou používá bezkontaktních sp; ~'~° Obr. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Poměr vstupního výstupního proudu se pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Velikost neozářeného odporu se pohybuje rozmezí MQ. Vstupní proud (proud diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až 120 MW. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi 100 MQ. místo fotoelektrického odporu použit fototranzistor. Zatím tohoto systému používá pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů výkonových tyristorů triaků. Schematicky jsou případy znázorněny obr. • Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Vazební optoelektronic ké členy: a) fotoodporem, fototran zistorem, fototyristorem Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro­ pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti l 0,9 |im. Fotoelektrický odpor je zhotoven selenidu kadmia CdSe