Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. Obě součástky, tj. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. 26.
45
. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Schematicky jsou případy znázorněny obr. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. 26. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n.
Optoelektronické členy sfototyristorem. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im.
Optoelektronické členy fototranzistorem
