Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ.
45
. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Obě součástky, tj. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. 26.
Optoelektronické členy fototranzistorem.
Optoelektronické členy sfototyristorem. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. 26. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ
