Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 43 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro­ pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti l 0,9 |im. Obě součástky, tj. Výstupní obvod může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto- tyristorem.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná, n. Poměr vstupního výstupního proudu se pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Tyto členy ohou použít v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické oddělení). Zapínací vypínací doby pohybují roz­ mezí |is. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi 100 MQ. Vazební optoelektronic ké členy: a) fotoodporem, fototran zistorem, fototyristorem Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Optoelektronické členy fototranzistorem. Vstupní proud (proud diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až 120 MW. místo fotoelektrického odporu použit fototranzistor. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Velikost neozářeného odporu se pohybuje rozmezí MQ. Zatím tohoto systému používá pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů výkonových tyristorů triaků. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. • Tato změna nastane při ozáření dobu ms. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně zapouzdřeny. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ) je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Fotoelektrický odpor je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Optoelektronické členy sfototyristorem. 26. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. 26. 45 . Optoelektro­ nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou používá bezkontaktních sp; ~'~° Obr