Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. 26. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. 26.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Obě součástky, tj. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Schematicky jsou případy znázorněny obr.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem.
45
.
Optoelektronické členy sfototyristorem. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ
