Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 43 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Optoelektro­ nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou používá bezkontaktních sp; ~'~° Obr. Vstupní proud (proud diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až 120 MW. Tyto členy ohou použít v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické oddělení). Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Optoelektronické členy sfototyristorem. místo fotoelektrického odporu použit fototranzistor. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně zapouzdřeny. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Vazební optoelektronic ké členy: a) fotoodporem, fototran zistorem, fototyristorem Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro­ pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti l 0,9 |im. Velikost neozářeného odporu se pohybuje rozmezí MQ. Fotoelektrický odpor je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi 100 MQ. Zatím tohoto systému používá pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů výkonových tyristorů triaků. Optoelektronické členy fototranzistorem. 45 . Poměr vstupního výstupního proudu se pohybuje rozmezí 0,1 1,4. 26. Zapínací vypínací doby pohybují roz­ mezí |is. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Výstupní obvod může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto- tyristorem. • Tato změna nastane při ozáření dobu ms. Obě součástky, tj.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná, n. 26. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ) je nastavena vhodná citlivost fototyristoru