Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Izolační odpor mezi vstupním výstupním obvodem asi
100 MQ. Obvod této diody tvoří vstupní, řídicí obvod. Výstupní obvod
může být tvořen budfotoelektrickým odporem, fototranzistorem nebo foto-
tyristorem.
45
. 26. Velikost neozářeného odporu se
pohybuje rozmezí MQ. 26. •
Tato změna nastane při ozáření dobu ms. fotodiody fotoelektrický odpor jsou společně
zapouzdřeny. Fotoelektrický odpor
je zhotoven selenidu kadmia CdSe. Schematicky jsou případy znázorněny obr. Při ozáření zmenší odpor 0,6 kQ. Tyto členy ohou použít
v bezkontaktních logických obvodech jako spínače nebo jako pomocné
obvody zapínacích obvodech bezkontaktních spínačů (pro galvanické
oddělení). Optoelektro
nická vazba galvanicky odděluje vstupní výstupní obvod, což výhodou
používá bezkontaktních sp; ~'~°
Obr. Odporem řídicím obvodu (asi 100 kQ)
je nastavena vhodná citlivost fototyristoru. Vstupní proud (proud
diody) obvykle při napětí 1,8 aximální výkonová
ztráta fotoelektrického odporu obvykle pohybuje rozmezí až
120 MW.
Optoelektronické členy sfototyristorem.
Optoelektronické členy fototranzistorem. Poměr vstupního výstupního proudu se
pohybuje rozmezí 0,1 1,4. Obě součástky, tj.luminiscenční dioda arzenidu galia GaAs nás vyrábí TESLA Blatná,
n. jež okolí svého přechodu vyzařuje při průchodu proudu pro
pustném směru infračervené záření vlnovou délkou maximu zářivosti
l 0,9 |im. Zatím tohoto systému používá
pro malovýkonové fototyristory, jež obvykle zapojují řídicích obvodů
výkonových tyristorů triaků. Zapínací vypínací doby pohybují roz
mezí |is. Vazební optoelektronic
ké členy:
a) fotoodporem, fototran
zistorem, fototyristorem
Optoelektronické členy fotoelektrickým odporem. místo fotoelektrického
odporu použit fototranzistor
