Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 19 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů napsat Pc UCEJc (6) Grafický tento vztah znázorněný obr. (I. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti jsou pak popsány různým způsobem. Emitorový přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. třetím kvadrantu vstupní charakteristika LBn). vlastně úbytek napětí na zapnutém tranzistoru (tzv. oba vypnutí přibližně rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek mikrosekund (10 |J. třeba pozna­ menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. aximální vý­ konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko­ novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující zesilovač. [109], současných výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém přechodu (/E /c, UCB UBE). převodní charakteristika f(t/BE). druhém kvadrantu tzv. pro UCB 0). Pro návrh spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /? určeného mezi nasycení (tj. Param etrem napětí UCE. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. jsou znázorněny průběhy během spínání. Jednotlivé časy, jejichž význam zřejmý obr. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. Maximální kolektorová ztráta. jsou definovány [5], resp. saturační napětí). Popis vlastností obojím způsobem je 21 . Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu přechodu. c) . Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při zapínání (resp. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. Param etrem napětí UCE.s). III. N obr. kvadrant). ra­ nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem a emitorem meze nasycení téměř konstantní