Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
převodní charakteristika f(t/BE). kvadrant). pro UCB 0). Param etrem napětí UCE. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem.
c) .
III.s). saturační napětí). Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu. třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). Popis vlastností obojím způsobem je
21
.
Maximální kolektorová ztráta. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. jsou znázorněny průběhy během spínání. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. druhém kvadrantu tzv. (I. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). jsou definovány [5], resp. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J. Param etrem napětí UCE.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s).
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.
N obr
