Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
III. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. Param etrem napětí UCE. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s).s).
Maximální kolektorová ztráta. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. (I. druhém kvadrantu tzv. jsou znázorněny průběhy během spínání. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). saturační napětí). jsou definovány [5], resp. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází.
převodní charakteristika f(t/BE). Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. pro UCB 0). Popis vlastností obojím způsobem je
21
. kvadrant).této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J.
c) . Param etrem napětí UCE. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu.
N obr
