Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 19 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu přechodu. [109], současných výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). kvadrant). jsou znázorněny průběhy během spínání. Param etrem napětí UCE. druhém kvadrantu tzv. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. oba vypnutí přibližně rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek mikrosekund (10 |J. c) . třetím kvadrantu vstupní charakteristika LBn). N obr.s). převodní charakteristika f(t/BE). Maximální kolektorová ztráta. Pro návrh spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /? určeného mezi nasycení (tj. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů napsat Pc UCEJc (6) Grafický tento vztah znázorněný obr. ra­ nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem a emitorem meze nasycení téměř konstantní. (I. pro UCB 0). aximální vý­ konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko­ novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti jsou pak popsány různým způsobem. Popis vlastností obojím způsobem je 21 . Emitorový přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. saturační napětí). vlastně úbytek napětí na zapnutém tranzistoru (tzv. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém přechodu (/E /c, UCB UBE). spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Param etrem napětí UCE. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při zapínání (resp. III. Jednotlivé časy, jejichž význam zřejmý obr.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující zesilovač. třeba pozna­ menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. jsou definovány [5], resp