Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
III. pro UCB 0). Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE).
N obr. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. saturační napětí). Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. jsou znázorněny průběhy během spínání.
c) . vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.
Maximální kolektorová ztráta. Param etrem napětí UCE. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu.s). třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). jsou definovány [5], resp.
převodní charakteristika f(t/BE). (I. kvadrant). [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). Popis vlastností obojím způsobem je
21
. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. Param etrem napětí UCE. druhém kvadrantu tzv.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv
