Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
pro UCB 0). druhém kvadrantu tzv. saturační napětí).
převodní charakteristika f(t/BE). Param etrem napětí UCE.
N obr.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.s). (I. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s).této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J. Param etrem napětí UCE. jsou znázorněny průběhy během spínání.
III. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. kvadrant).
Maximální kolektorová ztráta. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. jsou definovány [5], resp. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Popis vlastností obojím způsobem je
21
. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní.
c) . třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn)
