Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
jsou znázorněny průběhy během spínání. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr.
převodní charakteristika f(t/BE). spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J. pro UCB 0). Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. druhém kvadrantu tzv. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem.s).
III. kvadrant). [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s).
c) . Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu.
N obr. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Param etrem napětí UCE. (I. Popis vlastností obojím způsobem je
21
. saturační napětí). Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE).
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.
Maximální kolektorová ztráta. třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. Param etrem napětí UCE. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. jsou definovány [5], resp. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů
