Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Popis vlastností obojím způsobem je
21
. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.
Maximální kolektorová ztráta.
c) . Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. pro UCB 0). jsou znázorněny průběhy během spínání. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv.
převodní charakteristika f(t/BE). ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. (I. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J.s). aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). Param etrem napětí UCE. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. jsou definovány [5], resp.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu. kvadrant). saturační napětí). třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. druhém kvadrantu tzv.
N obr. Param etrem napětí UCE.
III
