Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
Popis vlastností obojím způsobem je
21
. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr.s). Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. Param etrem napětí UCE. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu. (I.
N obr. Param etrem napětí UCE. saturační napětí).
Maximální kolektorová ztráta.
III. jsou definovány [5], resp. jsou znázorněny průběhy během spínání.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp.
c) . Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. kvadrant). třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn).této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. pro UCB 0). Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. druhém kvadrantu tzv. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J.
převodní charakteristika f(t/BE). ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv
