Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr. saturační napětí).této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač.s).
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp. Param etrem napětí UCE. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní.
převodní charakteristika f(t/BE). jsou definovány [5], resp. Param etrem napětí UCE. kvadrant). Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). (I.
c) . jsou znázorněny průběhy během spínání. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. druhém kvadrantu tzv. vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru. Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. Popis vlastností obojím způsobem je
21
.
III. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J.
Maximální kolektorová ztráta. třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. pro UCB 0).
N obr. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s). Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu
