Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
vypínání) časy odpovídající jednotlivým fázím těchto dějů. (I. Lze tedy pro ztrátový výkon tranzistorů
napsat
Pc UCEJc (6)
Grafický tento vztah znázorněný obr.
Z dynamických vlastností jsou zejména průběhy proudů napětí při
zapínání (resp. Pro návrh
spínacích obvodů důležitá velikost proudového zesilovacího činitele /?
určeného mezi nasycení (tj. jsou definovány [5], resp.této oblasti může tranzistor pracovat jako spojitě pracující
zesilovač. jsou znázorněny průběhy během spínání. Nemá-li tranzistor poškodit, nesmí
teplo vzniklé výkonovou ztrátou tranzistoru překročit přípustnou teplotu
přechodu.s).
N obr. třetím kvadrantu vstupní
charakteristika LBn). [109], současných
výkonových tranzistorů doba zapnutí, jež přibližně rovná době čela
impulsu řr, několik ikrosekund (menší než ^s).
Maximální kolektorová ztráta. vlastně úbytek napětí
na zapnutém tranzistoru (tzv. pro UCB 0).
převodní charakteristika f(t/BE). Jednotlivé časy, jejichž
význam zřejmý obr.
c) . Param etrem napětí UCE. Param etrem napětí UCE.
III. spínacím režimu touto oblastí pouze prochází. Tranzistor spínacím (impulsovém) režimu
můžeme pokládat řízení buďto proudem, nebo nábojem jeho vlastnosti
jsou pak popsány různým způsobem. Hlavním zdrojem tepla výkonová ztráta kolektorovém
přechodu (/E /c, UCB UBE). třeba pozna
menat, při mezi bází emitorem napětí řádově kolem
hodnoty 100 vlivem zbytkového proudu /CE0. Oblast nasycená tranzistor vodivém (zapnutém) stavu. kvadrant). druhém kvadrantu tzv. oba vypnutí přibližně
rovná součtu doby přesahu doby týlu impulsu řádově několik desítek
mikrosekund (10 |J. ra
nicí této oblasti mez nasycení, kdy UCB Napětí mezi kolektorem
a emitorem meze nasycení téměř konstantní. saturační napětí). Popis vlastností obojím způsobem je
21
. aximální vý
konová ztráta nesmí své střední hodnotě překročit dovolenou výko
novou ztrátu, jež důležitým param etrem tranzistorů. Emitorový
přechod polován propustném kolektorový přechod závěrném směru
